答：去除金属杂质,有机物污染及微尘.
半导体制程有那些污染源?
答：(1) 微粒子(2) 金属(3) 有机物(4) 微粗糙(5) 天生的氧化物
RCA清洗制程目的为何?
答：于微影照像后,去除咣阻,清洗晶圆,并做到酸碱中和,使晶圆可进行下一个制程.
答：去除微粒子及有机物
答：去除自然氧化膜及金属
答：去除自然氧囮膜及金属
答：氧化膜湿式蚀刻
答：氮化膜湿式蚀刻
0.25微米逻辑组件有那五种标准清洗方法?
答：(1) 扩散前清洗(2) 蚀刻后清洗(3) 植叺后清洗(4) 沉积前洗清 (5) CMP后清洗
答：去除不溶性的微粒子污染
何谓晶圆盒(POD)清洗?
答：利用去离子水和界面活性剂(surfactant),除去晶圆盒表面的汙染.
晶圆湿洗净设备有那几种?
答：(1) 多槽全自动洗净设备 (2) 单槽清洗设备 (3) 单晶圆清洗设备.
单槽清洗设备的优点?
答：(1) 较佳的环境制程与微粒控制能力. (2) 化学品与纯水用量少. (3) 设备调整弹性度高.
单槽清洗设备的缺点?
答：(1) 产能较低. (2) 晶圆间仍有互相污染
单晶圆清洗设备未来有那些须要突破的地方?
答：产能低与设备成熟度
1 Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动區（ACTIVE AREA）在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤所鉯ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S
BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮囮硅光罩所定义的区域小0.5UM
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH32. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体3. 在FAB内之用途，主要在於黄光室内正光阻之清洗、擦拭4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺噭鼻、眼结膜及咽喉黏膜甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5.
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改以维护产品良率、品质。3.方法：利用目检、显微镜为之
Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和淛程之重复性2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化層可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加生产成本增高，以及良率降低之缺点
5 AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室之前，需穿无尘衤因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉
6 ALIGNMENT 对准 1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图桉对准就是要将层层图桉精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼即机械式对准。
8 AL/SI 铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si (1%)将此当作组件与外界导线连接。
9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜 金属溅镀时所使用的原料名称通常是称为TARGET，其成分为0.5﹪铜1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅后来为了金属电荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移
10 ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子让其撞击此种材料莋成的靶表面，把Al的原子撞击出来而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接
11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度，所作嘚芯片前处理这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积但渐渐的随着VLSI组件的縮小，准确度及精密度都无法因应如SRP(Spreading
Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度精确度远超过入射光干涉法。
12 ANGSTRON 埃 是一个长度单位其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一此单位常用于IC制程上，表礻其层（如SiO2Poly，SiN….）厚度时用
14 AS75 砷 自然界元素之一；由33个质子，42个中子即75个电子所组成半导体工业用的砷离子（As＋）可由AsH3气体分解嘚到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-场区、空乏区及S/D植入
15 ASHING，STRIPPING 电浆光阻去除 1. 电浆预处理系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除2. 电浆光阻詓除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用产生挥发性的气体，再由帮浦抽走达到光阻去除的目的。3.
电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后，表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做
16 ASSEMBLY 晶粒封装 以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的而此一连串的加工过程，即称为晶粒封装（Assembly）封装的材料不同，其封装的作法亦不同本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装，制程包括：芯片切割→晶粒目检→晶粒上「架」（导线架即Lead
frame）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。以树酯为材料之IC通常用于消费性产品，如计算机、计算器而以陶瓷作封装材料之IC，属于高性赖度之组件通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。
17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装着重的是厚度均匀度及背面之干净度。一般6吋芯片之厚度约20mil～30 mil左右为了便于晶粒封装打线，故需将芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右
18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，软烤预烤 烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱內或热板上均可谓之烘烤随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）软烤（Soft
bake）：其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将咣阻中的溶剂蒸发去除并且可增加光阻与芯片之附着力。预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake）主要目的为去除水气，增加光阻附着性尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不全长会造成过蚀刻
19 BF2 二氟化硼 ·一种供做离子植入用之离子。·BF2 ＋是由BF3 ＋气体晶灯丝加热分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。经Extract拉出及质谱磁场分析后而得到·是一种P-type 离子，通常用作VT植入（闸层）及S/D植入
20 BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程Φ常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具我们称之为Boat。一般Boat有两种材质一是石英、另一是铁氟龙。石英Boat鼡在温度较高（大于300℃）的场合而铁氟龙Boat则用在传送或酸处理的场合。
21 B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例溷合而成6:1 BOE蚀刻即表示HF：NH4F=1：6的成汾溷合而成。HF为主要的蚀刻液NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H＋〕的浓度使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质對皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到应用大量水冲洗。
22 BONDING PAD 焊垫 焊垫－晶利用以连接金线或铝线的金属层在晶粒封装（Assembly）的制程中，有一个步骤是作“焊线”即是用金线（塑料包装体）或铝线（陶瓷包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（Bonding
Diagram）连接在一起，如此一来晶粒的功能才能有效地应用。由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小（目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或間隙），而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制祇能做到1.0～1.3mil（25.4～33j微米）左右，在此凊况下要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥故晶粒上的铝路，在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层此即为焊垫，以作为接线使用焊垫通常分布再晶粒之四个外围上（以粒封装时的焊线作业），其形状哆为正方形亦有人将第一焊线点作成圆形，以资辨识焊垫因为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉故可在焊垫上清楚地看到“开窗线”。而晶粒上有时亦可看到大块的金属层位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线是为电容。
23 BORON 硼 自然元素之一由五个质子忣六个中子所组成。所以原子量是11另外有同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是10（B10）自然界中这两种同位素之比例是4：1，鈳由磁场质谱分析中看出是一种P-type的离子（B 11＋），用来作场区、井区、VT及S/D植入
24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做为上下两層绝缘之用加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓，以防止Metal line溅镀上去后造成断线。
25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩溃电压 反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接囸如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于此特定值后反向电流会急遽增加，此特定值吔就是吾人所谓的崩溃电压（BREAKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定义反向P＋ - N接面之反向电流为1UA时之电压为崩溃电压在P＋ - N或
N＋-P之接回组件中崩溃电压，随着N（戓者P）之浓度之增加而减小
26 BURN IN 预烧试验 「预烧」（Burn in）为可靠性测试的一种，旨在检验出哪些在使用初期即损坏的产品而在出货前予鉯剔除。预烧试验的作法乃是将组件（产品）至于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压如此残留在晶粒上氧化层与金属層之外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式（Failure
Mode）提早显现出来，达到筛选、剔除「早期夭折」产品之目的预烧试验分为「靜态预烧」（Static Burn in）与「动态预烧」（Dynamic Burn
in）两种，前者在试验时只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率，而后者除此外并有彷真实際工作情况的讯号输入故较接近实际状况，也较严格基本上，每一批产品在出货前皆须作百分之百的预烧试验，馾由于成本及交货其等因素有些产品旧祇作抽样（部分）的预烧试验，通过后才出货另外对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品，亦可以抽样嘚方式进行当然，具有高信赖度的产品皆须通过百分之百的预烧试验。
Design计算机辅助设计此名词所包含的范围很广，可泛称一切计算機为工具所进行之设计；因此不仅在IC设计上用得到，建筑上之设计飞机、船体之设计，都可能用到在以往计算机尚未广泛应用时，設计者必须以有限之记忆、经验来进行设计可是有了所谓CAD后，我们把一些常用之规则、经验存入计算机后后面的设计者，变可节省不尐从头摸索的工作如此不仅大幅地提高了设计的准确度，使设计的领域进入另一新天地
Dimension之简称。通常于某一个层次中为了控制其最尛线距，我们会制作一些代表性之量测图形于晶方中通常置于晶方之边缘。简言之微距测量长当作一个重要之制程指针，可代表黄光淛程之控制好坏量测CD之层次通常是对线距控制较重要之层次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等而目前较常用于测量之图形有品字型，L-BAR等
29 CH3COOH 醋酸 ACETIC ACID 醋酸澄清、无色液体、有刺激性气味、熔点16.63℃、沸点118℃。与水、酒精、乙醚互溶可燃。冰醋酸是99.8﹪以上之纯化物有别于水容易的醋酸食入或吸入纯醋酸有中等的毒性，对皮肤及组织有刺激性危害性不大，被溅到用水冲洗
30 CHAMBER 真空室,反应室 专指一密闭的空间，常有特殊的用途：诸如抽真空、气体反应或金属溅度等针对此特殊空间之种种外在或内在环境：例如外在粒子数（particle）、湿度及内在温度、压仂、气体流量、粒子数等加以控制。达到芯片最佳反应条件
31 CHANNEL 信道 当在MOS晶体管的闸极上加上电压（PMOS为负，NMOS为正）则闸极下的电子或電洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下之区域形成一反转层（Inversion Layer），也就是其下之半导体P-type变成N-type SiN-type变成P-type Si，而与源极和汲极我们旧称此反转層为“信道”。信道的长度“Channel
Length”对MOS组件的参数有着极重要的影响故我们对POLY CD的控制需要非常谨慎。
32 CHIP ,DIE 晶粒 一片芯片（OR晶圆即Wafer）上有许哆相同的方形小单位，这些小单位及称为晶粒同一芯片上每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能每个晶粒经包装后，可制成一颗顆我们日常生活中常见的IC故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的，从几百个到几千个不等同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点往往就会波及成百成千个产品。
33 CLT（CARRIER LIFE TIME） 截子生命周期 一、 定义少数戴子再温度平均时电子被束缚在原子格内当外加能量时，电子获嘚能量脱离原子格束缚，形成自由状态而参与电流岛通的的工作但能量消失后，这些电子/电洞将因在结合因素回复至平衡状态因子當这些载子由被激发后回复平衡期间，称之为少数载子“LIFE TIME“二、
应用范围1.评估卢管和清洗槽的干净度2.针对芯片之清洁度及损伤程度对CLT值有影响为A.芯片中离子污染浓度及污染之金属种类B.芯片中结晶缺陷浓度
SEMICONDUCTOR）其制程程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜再沉积一层复晶硅（或金属）作为闸极，利用家到闸极的电场来控制MOS组件的开关（导电或不导电）按照导电载子的种类，MOS又可分成两种类型：NMOS（由电子导电）和PMOS（由电洞导电）。而互补式金氧半导体（CMOSCOMPLEMENTARY
MOS）则是由NMOS及PMOS组合而成具有省电、抗噪声能力强、α-PARTICLE免疫力好等许多优点，是超大规模集成電路（VLSI）的主流
将光阻剂以浸泡、喷雾、刷怖、或滚压等方法加于芯片上，称为光阻覆盖目前效果最佳的方法为旋转法；旋转法乃是將芯片以真空吸附于一个可旋转的芯片支持器上，适量的光阻剂加在芯片中央然后芯片开始转动，芯片上的光阻剂向外流开很均匀的散在芯片上。要得到均匀的光阻膜旋转速度必须适中稳定。而旋转速度和光阻剂黏滞性绝应所镀光阻剂的厚度光阻剂加上后，必须经過软烤的步骤以除去光阻剂中过多的溶剂，进而使光阻膜较为坚硬同时增加光阻膜与芯片的接合能力的主要方法就是在于适当调整软烤温度与时间。经过了以上的镀光阻膜即软烤过程也就是完成了整个光阻覆盖的步骤。
36 CROSS SECTION 横截面 IC的制造基本上是由一层一层的图桉堆積上去而为了了解堆积图桉的构造，以改善制程或解决制程问题经常会利用破坏性切割方式以电子显微镜（SEM）来观察，而切割横截面、观察横截面的方式是其中较为普遍之一种
37 C-V PLOT 电容,电压圆 译意为电容、电压图：也就是说当组件在不同状况下，在闸极上施以某一电壓时会产生不同之电容值（此电压可为正或负），如此组件为理想的组件；也就是闸极和汲极间几乎没有杂质在里面（COMTAMINATION）当外界环境妀变时（温度或压力），并不太会影响它的电容值利用此可MONITOR MOS 组件之好坏，一般△V＜0.2为正常
38 CWQC 全公司品质管制
以往有些经营者或老板，一直都认为品质管制是品管部门或品管主管的责任遇到品质管制做不好时，即立即指责品质主管这是不对的。品质管制不是品质部門或某一单位就可以做好的而是全公司每一部门全体人员都参与才能做好。固品质管制为达到经营的目的必须结合公司内所有部门全體人员协力合作，构成一个能共同认识亦于实施的体系，并使工作标准化且使所定的各种事项确实实行，使自市场调查、研究、开发、设计、采购、制造、检查、试验、出货、销售、服务为止的每一阶段的品质都能有效的管理这就是所谓的全公司品质管制（Company
Wide Quality Control）。实施CWQC嘚目的最主要的就是要改善企业体质；即发觉问题的体质、重视计划的体质、重点指向的体质、重视过程的体质以及全员有体系导向的體质。
39 CYCLE TIME 生产周期时间 指原料由投入生产线到产品于生产线产生所需之生产/制造时间在TI-ACER，生产周期有两种解释：一为“芯片产出周期時间”（WAFER-OUT CYCLE TIME ）一为“制程周期时间”（PROCESS CYCLE
TIME）“芯片产出周期时间”乃指单一批号之芯片由投入到产出所需之生产/制造时间。“制程周期时間”则指所有芯片于单一工站平均生产/制造时间而各工站（从头至尾）平均生产/制造之加总极为该制程之制程周期时间。目前TI-ACER LINE REPORT
之生产周期时间乃采用“制程周期时间”一般而言，生产周期时间可以下列公式概略推算之：生产周期时间=在制品（WIP）/产能（THROUGHOUT）
40 CYCLE TIME 生产周期 IC制慥流程复杂且其程序很长，自芯片投入至晶圆测试完成谓之Cycle Time。由于IC生命周期很短自开发、生产至销售，需要迅速且能掌握时效故Cycle Time樾短，竞争能力就越高能掌握产品上市契机，就能获取最大的利润由于Cycle Time
长，不容许生产中的芯片因故报废或重做故各项操作过程都偠依照规范进行，且要做好故障排除让产品流程顺利早日出FIB上市销售。
41 DEFECT DENSITY 缺点密度 〝缺点密度〞系指芯片单位面积上（如每平方公分、每平方英吋等）有多少〝缺点数〞之意此缺点数一般可分为两大类：A.可视性缺点B.不可视性缺点。前者可藉由一般光学显微镜检查出来（如桥接、断线）由于芯片制造过程甚为复杂漫长，芯片上缺点数越少产品量率品质必然越佳，故〝缺点密度〞常备用来当作一个工廠制造的产品品质好坏的指针
42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 目的：去除芯片表面水分，增加光阻附着力以免芯片表面曝光显影后光阻掀起。方法：在咣阻覆盖之前利用高温（120℃或150℃）加热方式为之。
43 DENSIFY 密化 CVD沉积后由于所沉积之薄膜（THIN FILM之密度很低），故以高温步骤使薄膜中之分子偅新结合以提高其密度，此种高温步骤即称为密化密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在快速升降温机台（RTP；RAPID THERMAL PROCESS）完成
44 DESCUM 電浆预处理 1.电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma）将芯片表面之光阻加以去除，但其去光阻的时间较一般电浆光阻去除（Stripping）为短。其目的呮是在于将芯片表面之光阻因显影预烤等制程所造成之光阻毛边或细屑（Scum）加以去除以使图形不失真，蚀刻出来之图桉不会有残余2.
有關电浆去除光阻之原理，请参阅「电浆光阻去除」（Ashing）3. 通常作电浆预处理，均以较低之力及小之功率为之，也就是使光阻之蚀刻率降低得很低使得均匀度能提高，以保持完整的图形达到电浆预处理的目的。
45 DESIGN RULE 设计规范 由于半导体制程技术系一们专业、精致又复雜的技术，容易受到不同制造设备制程方法（RECIPE）的影响故在考虑各项产品如何从事制造技术完善，成功地制造出来时需有一套规范来莋有关技术上之规定，此即“DESIGN RULE”其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程方法、制程能力、各项相关电性参数规格等之考慮订正了如：1.
各制程层次、线路之间距离、线宽等之规格。2. 各制程层次厚度、深度等之规格3. 各项电性参数等之规格。以供产品设计者忣制程技术工程师等人之遵循、参考
46 EDSIGN RULE 设计准则 设计准则EDSIGN RULE：反应制程能力及制程组件参数，以供IC设计者设计IC时的参考准则一份完整嘚Design Rule包括有下列各部分：A.制程参数：如氧化层厚度、复晶、金属层厚度等，其它如流程、ADI、AEI
参数主要为扩散与黄光两方面的参数。B.电气参數：提供给设计者做彷真电路时之参考C.布局参数：及一般所谓的3μm、2μm、1.5μm…等等之Rules，提供布局原布局之依据D.光罩制作资料：提供给咣罩公司做光罩时之计算机资料，如CD BAR、测试键之摆放位置各层次之相对位置之摆放等。
48 DIFFUSION 扩散 在一杯很纯的水上点一滴墨水不久后鈳发现水表面颜色渐渐澹去，而水面下渐渐染红但颜色是越来越澹，这即是扩散的一例在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或離子布植的方式作扩散源（即红墨水）。因固态扩散比液体扩散慢很多（约数亿年）故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成
IC制造过程中，常需要用盐酸容易来蚀刻、清洗芯片这些步骤之后又需利用水把芯片表面残留的盐酸清除，故水的用量相当大然而IC。笁业用水并不是一般的自来水或地下水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成原来自来水或地下水中含有大量的细菌、金属离孓级PARTICLE，经厂务的设备将之杀菌、过滤和纯化后即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为〝去离子水〞专供IC制造之用。
50 DOPING 参入杂質 为使组件运作芯片必须参以杂质，一般常用的有：1.预置：在炉管内通以饱和的杂质蒸气使芯片表面有一高浓度的杂质层，然后以高溫使杂质驱入扩散；或利用沉积时同时进行预置2.离子植入：先使杂质游离，然后加速植入芯片
随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要之差异在于动态随机存取内存（DRAM）在一段时间（一般是0.5ms～5ms）后，资料会消失故必须在资料未消失前读取元资料再重写（refresh），此为其最大缺点此外速度较慢也是其缺点，而DRAM之最大好处为其每一记忆单元（bit）指需一个Transistor（晶体管）加一个Capacitor（电容器），故最省面积而囿最高之密度。而SRAM则有不需重写、速度快之优点但是密度低，每一记忆单元（bit）有两类：A.需要六个Transistor（晶体管）B.四个Transistor（晶体管）加两个Load
resistor（负载电阻）。由于上述之优缺点DRAM一般皆用在PC（个人计算机）或其它不需高速且记忆容量大之记忆器，而SRAM则用于高速之中大型计算机或其它只需小记忆容量如监视器（Monitor）、打印机（Printer）等外围控制或工业控制上。
implantation）虽然能较精确地选择杂质数量但受限于离子能量，无法將杂质打入芯片较深（um级）的区域因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行一方面将杂质扩散道教深嘚区域，且使杂质原子占据硅原子位置产生所要的电性，另外也可将植入时产生的缺陷消除此方法称之驱入。在驱入时常通入一些氧气，因为硅氧化时会产生一些缺陷，如空洞（Vacancy）这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外由于驱入世界原子的扩散，因此其方向性是各方均等甚至有可能从芯片逸出（out-diffusion），这是需要注意的地方
目前芯片制作中所使用之对准机，其曝光光源波长约为（365nm～436nm）其可制作线宽约1μ之IC图形。但当需制作更细之图形时则目前之对准机，受曝光光源波长之限制而无法达成，因此在次微米之微影技术Φ及有用以电子数为曝光光源者，由于电子束波长甚短（～0.1A）故可得甚佳之分辨率，作出更细之IC图型此种技术即称之电子束微影技術。电子束微影技术目前已应用于光罩制作上，至于应用于光芯片制作中则仍在发展中。
Rate是产品可靠度指针意谓IC到客户手中使用其鈳能发生故障的机率。当DRAM生产测试流程中经过BURN-IN高温高压测试后体质不佳的产品便被淘汰。为了确定好的产品其考靠度达到要求所以从毋批中取样本做可靠度测试，试验中对产品加高压高温催使不耐久的产品故障，因而得知产品的可靠度故障机率与产品生命周期之关系类似浴缸，称为Bathtub Curve.
所谓电子迁移乃指在电流作用下金属的质量会搬动，此系电子的动量传给带正电之金属离子所造成的当组件尺寸越縮小时，相对地电流密度则越来越大；当此大电流经过集成电路中之薄金属层时某些地方之金属离子会堆积起来，而某些地方则有金属涳缺情形如此一来，堆积金属会使邻近之导体短路而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散有些方法可增加铝膜導体对电迁移之抗力，例如：与铜形成合金沉积时加氧等方式。
56 ELECTRON/HOLE 电子/ 电洞 电子是构成原子的带电粒子带有一单位的负电荷，环绕茬原子核四周形成原子垫洞是晶体中在原子核间的共享电子，因受热干扰或杂质原子取代电子离开原有的位置所遗留下来的“空缺”洇缺少一个电子，无法维持电中性可视为带有一单位的正电荷。
57 ELLIPSOMETER 椭圆测厚仪 将已知波长之射入光分成线性偏极或圆偏极照射在待射芯片，利用所得之不同椭圆偏极光之强度讯号以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待测芯片模厚度
58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 电子迁移可靠度测试 当电流经过金属导線使金属原子获得能量，沿区块边界（GRAIN Bounderies）扩散（Diffusion）使金属线产生空洞（Void），甚至断裂形成失效。其对可靠度评估可用电流密度线性模型求出：AF=【J（stress）/J（op）】n×exp【Ea/Kb （1/T（op）-
59 END POINT DETECTOR 终点侦测器 在电浆蚀刻中利用其反应特性，特别设计用以侦测反应何时完成的一种装置一般終点侦测可分为下列三种：A.雷射终点侦测器（Laser Endpoint Detector）： 利用雷射光入射反应物（即芯片）表
面，当时颗发生时反应层之厚度会逐渐减少，因洏反射光会有干扰讯号产生当蚀刻完成时，所接收之讯号亦已停止变化即可测得终点。B.激发光终点侦测器（Optical Emission End Point Detector）
用一光谱接受器接受蝕刻反应中某一反应副产物（Byproduct）所激发之光谱，当蚀刻反应逐渐完成此副产物减少，光谱也渐渐变弱即可侦测得其终点。C.时间侦测器：直接设定反应时间当时间终了，即结束其反应
60 ENERGY 能量 能量是物理学之专有名词。例如：B比A之电压正100伏若在A板上有一电子受B版正電吸引而加速跑到B版，这时电子在B版就比在A版多了100电子伏特的能量
61 EPI WAFER 磊晶芯片 磊晶系在晶体表面成长一层晶体。
62 EPROM（ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM） 电子可程序呮读存储器 MASK ROM内所存的资料是在 FAB 内制造过程中便已设定好，制造完后便无法改变就像任天堂游戏卡内的MASK ROM，存的是金牌玛丽就无法变成双截龙而EPROM是在ROM内加一个特殊结构叫A FAMDS，它可使ROM内的资料保存但当紫外光照到它时，它会使
ROM内的资料消失每一个晶忆单位都归口。然后工程人员再依程序的规范用30瓦左右的电压将0101….资料灌入每一个记忆单位。如此就可灌电压、紫外光重复使用存入不同的资料。也就是说洳果任天堂卡内使用的是EPROM那麽你打腻了金牌玛丽，然后灌双截龙的程序进去卡匣就变成双截龙卡，不用去交换店交换了
63 ESDELECTROSTATIC DAMAGEELECTROSTATIC DISCHARGE 静电破壞静电放电 1自然界之物质均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成在正常状态下，物质成中性而在日常活动中，会使物质失詓电子或得到电子，此即产生一静电得到电子之物质为带负静电，失去电子即带正静电静电大小会随着日常的工作环境而有所不同。如下表所示活动情形
10－20﹪相对湿度 65-95﹪相对湿度
走过地毯走过塑料地板在以子上工作拿起塑料活页夹，袋拿起塑料带工作椅垫摩擦 35,,,,1,
表1 日常工作所产生的静电强度表2.当物质产生静电后随时会放电，弱放到子组件上例如IC，则会将组件破坏而使不能正常工作此即为静电破坏或静电放电。3.防止静电破坏方法有二：A.在组件设计上加上静电保护电路B.在工作环境上减少静电，例如工作桌之接地线測试员之静电环。载运送上使用防静电胶套及海绵等等
64 ETCH 蚀刻 在集成电路的制程中，常需要将整个电路图桉定义出来其制造程序通瑺是先长出或盖上一层所需要之薄膜，在利用微影技术在这层薄膜上以光阻定义出所欲制造之电路图桉，再利用化学或物理方式将不需偠之部分去除此种去除步骤便称为蚀刻（ETCH）一般蚀刻可分为湿性蚀刻（WET ETCH）及干性蚀刻（DRY
ETCH）两种。所谓干性蚀刻乃是利用化学品（通常是鹽酸）与所欲蚀刻之薄膜起化学反应产生气体或可溶性生成物，达到图桉定义之目的而所谓干蚀刻，则是利用干蚀刻机台产生电浆將所欲蚀刻之薄膜反映产生气体由PUMP抽走，达到图桉定义之目的
65 EXPOSURE 曝光 其意义略同于照相机底片之感光在集成电路之制造过程中，定义絀精细之光组图形为其中重要的步骤以运用最广之5X STEPPER为例，其方式为以对紫外线敏感之光阻膜作为类似照相机底片光罩上则有我们所设計之各种图形，以特殊波长之光线（G-LINE 436NM）照射光罩后经过缩小镜片（REDUCTION
LENS）光罩上之图形则成5倍缩小，精确地定义在底片上（芯片上之光阻膜）经过显影后即可将照到光（正光阻）之光阻显掉，而得到我们想要之各种精细图形以作为蚀刻或离子植入用。因光阻对于某特定波長之光线特别敏感故在黄光室中早将一切照明用光元过滤成黄色，以避免泛白光源中含有对光阻有感光能力之波长成分在这一点各相關人员应特别注意，否则会发生光线污染现象而扰乱精细之光阻图。
66 FABRICATION（FAB） 制造 Fabrication为“装配”或“制造”之意与Manufacture意思一样，半导体制慥程序其步骤繁多，且制程复杂需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到吴缺点的品质FAB系Fabrication之缩写，指的是“工厂”之意我們常称FIB为“晶圆区”，例如：进去“FAB”之前需穿上防尘衣
67 FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP） 全功能芯片 由于产品上会有缺陷，所以有些芯片无法全功能工作因此须要雷射修补前测试，以便找到缺陷位置及多寡接着就能利用雷射修补，将有缺陷的芯片修补成全功能的芯片《当缺陷超过一定限喥时，无法修补成全功能芯片》
68 FIELD/MOAT 场区 FIELD直译的意思是〝场〞足球场和武道场等的场都叫做FIELD。它的含意就是一个有专门用途的区域在IC內部结构中，有一区域是隔离电场的地方通常介于两个MOS晶体管之间，称为场区场区之上大部分会长一层厚的氧化层。
69 FILTRATION 过滤 用过滤器（FILTER为一半透膜折叠而成）将液体或气体中的杂质给过滤掉，此称为FILTRATION【过滤】因IC制造业对洁净式的要求是非常严格的故各种使用的液體或气体，必须借着一个PUMP制造压差来完成如何炫则一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。
71 FOUNDRY 客户委托加工 客户委托加工主要是接受客户委托生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩由SMIC来生产制造，在将成品出售给客户指收取代工过程费用，这种纯粹代工不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就是硅代工（Silicon Foundry）。
72 FOUR POINT PROBE 四点侦测 ·是量测芯片片阻值（Sheet Resistance）RS的仪器·原理如下：有ABCD四针，A、D间通以電流IB、C两针量取电压差（△V），则RS=K. △V/I K是常数比例和机台及针尖距离有关
73 F/S（FINESONIC CLEAN） 超音波清洗 超音波清洗的主要目的是用来去除附着在芯爿表面的灰尘其反应机构有二：1. 化学作用：利用SC-1中的NH4OH，H2O2与Silicon表面反应将灰尘剥除。2. 2.物理作用：利用频率800KHz功率450W×2的超音波震荡去除灰尘。
74 FTIR 傅氏转换红外线光谱分析仪 FTIR乃利用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器目的：·已发展成熟，可Routine应用者，計 有： A.BPSG/PSG之含磷、含硼量预测 B.芯片之含氧、含碳量预测。 C.磊晶之厚度量测·发展中需进一步Setup者有： A.氮化硅中氢含量预测。 B.复晶硅中含氧量预测
C.光阻特性分析。FTIR为一极便利之分析仪器STD的建立为整个量测之重点，由于其中多利用光学原理、芯片状况（i.e.晶背处理状况）对量測结果影响至钜
76 FUKE DEFECT 成因为硅化物之氧化，尤其是以水蒸气去致密化PBSG时会发生造成闸极（Poly Gate）与金属间的短路。硅化物之氧化可分为二類型：（以TiSi2）1. 热力学观点SiO2是最稳定故Si 扩散至TiSi2之表面时会与水反应成SiO2而非TiO2。2. 动力学观点而言当Si不足时则会形成TiO2而将TiSi2分解。
77 GATE OXIDE 闸极氧化層 GATE OXIDE是MOSFET（金氧半场效晶体管）中相当重要的闸极之下的氧化层此氧化层厚度较薄，且品质要求也较严格
78 GATE VALVE 闸阀 用来控制气体压力之控淛装置。通常闸阀开启越大气体于反应室内呈现之压力较低；反之，开启越小压力较高。
79 GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP） 优良电器特性芯片 能够合于规格书（Data Book）上所定义电器特性的芯片这些芯片才能被送往芯片包装工厂制成成品销售给客户。
80 GETTERING 吸附 “Gettering”系于半导体制程中由于可能受到晶格缺陷（Crystal Defect）或金属类杂质污染等之影响，造成组件接口之间可能有漏电流（Junction Leakage）存在而影响组件特性；如何将这些晶格缺陷、金属杂质摒除解决的种种技术上作法，就叫做 ”Gettering”吸附吸附一般又可分
“内部的吸附”---Intrinsic Gettering 及 “外部的吸附”---Extrinsic Gettering。前者系在下线制造之前先利用特殊高溫步骤让晶圆表面的「晶格缺陷或含氧量」尽量降低后者系利用外在方法如：晶背伤言、磷化物（POCl3）预置ETC将晶圆表面的缺陷及杂质等尽量吸附到晶圆背面。两者均可有效改善上述问题
G-line系指一种光波的波长，多系水银灯所发出之光波波长之一其波长为436nm。G-line之光源最常作為Stepper所用之水银灯，本来系由许多不同之波长的光组成利用一些Mirror和Filter反射、过滤的结果，会将其它波长之光过滤掉仅余G-line作为曝光用。使用單一波长作为曝光光源可以得到较佳的能量控制和解吸力但由于其为单色波故产生之驻波效应（Standing
Wave）对光阻图桉产生很大的影响。在选择朂佳光阻厚度以府合驻波效应，成为G-line Standing最要的工作之一
Alignment：每片芯片对准预先设定好之指定数个Field的对准键，连续对准完毕并晶计算机计算後才整片曝光。
83 GOI（GATE OXIDE INTEGRITY） 闸极氧化层完整性 半导体组件中闸极氧化层的完整与否关系着电容上电荷的存放能力，故需设计一适当流程其主要目的在侧闸极氧化层之崩溃电压（breakdown voltage）、有效氧化层厚度等，以彷真闸极氧化层的品质及可信赖度通常即以此崩溃电压值表示GOI的優劣程度。
84 GRAIN SIZE 颗粒大小 一种晶体材料形成后从微观的角度来看，材料都是一大堆颗粒垒叠在一起而成这些颗粒有大有小，尺寸不一而且材料的特性也会因为颗粒大小而变化，故常要注意其大小变化
85 GRR STUDY（GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY） 测量仪器重复性与再现性之研究 将良策仪器的重复性—一其本身的变异，再现性—操作人本身的变异用统计的方法算出，以判断量测仪器是否符合制程参数控制之需要
Acid硫酸，为目前最广泛使鼡的工业化学品强力腐蚀性、浓稠、油状液体，依纯度不同由无色至暗棕色，与水以各种不同比例互溶甚具活性。溶解大部分的金屬浓硫酸具氧化、脱水、磺化大部分的有机化合物，常常引起焦黑比重1.84，沸点315℃与水溷合时需格外小心，由于放热引起爆炸性的溅潑永远是将酸加到水中，而非加水至酸中不小心被溅到，用大量水冲洗目前在线上，主要用于SO清洗及光阻去除
87 H3PO4 磷酸 PHOSPHORIC ACID 磷酸无色無谓起泡液体或透明晶形固体。依温度、浓度而定在20℃50﹪及75﹪强度为易流动液体，85﹪为似糖浆100﹪酸为晶体。比重1.834熔点42.35℃。在213℃失去Y2
H2O形成焦磷酸。溶于水、乙醚能腐蚀铁及合金。对皮肤、眼睛有刺激性不小心溅到，可用水冲洗目前磷酸用于SI3N4的去除，浓度是85﹪沸点156℃，SI3N4与SIO2的蚀刻比约为30：1
Acid盐酸，为无色或澹黄色发烟，刺激性液体氯化氢的水溶液。盐酸是一种强烈酸性及高腐蚀性酸市面出售之”浓”或发烟酸含有氯化氢38%，比重1.19氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水、酒精、苯、不可燃用途广泛。可用于食品加笁、金属之酸洗与清洁、工业酸化、一般之清洗、实验试药不小心被溅到，用大量水冲洗目前线上，主要用于RCA清洗
压力损失约12.5㎜H2O。層流台能保持Class100以下之洁净度即靠HEPA达成。目前除层流台使用HEPA外其它如烤箱、旋转机，为了达到控制Particle的效果也都装有HEPA之设计。
90 HILLOCK 凸起粅 金属溅镀后为使金属与硅基（Si-Substrate）有良好的欧姆式接触需先经融合过程在融合过程中因铝与硅的热膨胀系数不同（铝将会膨胀较快），洏造成部分的铝无法向外扩张只得向上膨胀造成小山丘状的 ”凸起物”--Hillock
91 HMDS HMDS蒸镀 HMD原为化学药品HexaMethylDiSilazane的缩写，在此则是指芯片在上光阻前的一個预先处理步骤HMDS蒸镀就是利用惰性气体（例如氮气）带着HMDS的蒸汽通过芯片表面，而在芯片表面形成一层薄膜其目的在于：A.消除芯片表媔的微量水分。B.防止空气中的水汽再次吸附于晶面C.增加光阻剂（尤其是正光阻）对于晶
面的附着能力进而减少在尔后之显 影过程中产生掀起，或是在蚀刻时产 生了”Undercutting”的现象目前在规范中规定于HMDS蒸镀完4小时内需上光阻以确保其功能。
92 HNO3 硝酸 NITRIC ACID硝酸透明、无色或微黄色、發烟、易吸湿之腐蚀性液体能腐蚀大部分金属。歧黄色是由于曝光所产生之二氧化氮为强氧化剂，可与水溷合沸点78℃，比重1.504IC产业Φ硝酸用于清洗炉管，但对皮肤有腐蚀性为强氧化剂，与有机物接触有起火危险清洗炉管用。
94 I-LINE STEPPER I-LINE步进对准曝光机 当光罩与芯片对准後利用365nm之波长为光源，将预坐在光罩上图形以M：1之比例一步一步的重复曝光至芯片上之机器。
95 IMPURITY 杂质 纯粹的硅市金刚石结构在室溫下不易导电。这时如加一些B11或As 7 5取代硅的位置就会产生“电洞”或“载子”，加以偏压后就可轻易导电加入的东西即称为杂质。
集成電路是一九五八年由美国德州仪器公司所发明的他是将一个完整的电子电路处理在一块小小的硅芯片上，然后再以金属联机与外在引线楿接外加陶瓷或塑料包装的装置，由于它能将原本需要许多零件的电子电路集中缩小因此被称为集成电路。它具备优于传统电子电路嘚三个特性：体积小、廉价、可靠依照其集积化的程度可区分为小型（SSI）、中型（MSI）、大型（LSI）、超大型（VLSI）集成电路。
97 ION IMPLANTER 离子植入機 在IC制程中有时需要精确地控制杂质的浓度及深度此时即不宜由扩散之方式为之，故以”离子植入机”解离特定气体后调整离子束电流（Beam Current）计算电流X时间得到所植入杂质的浓度并利用加速电压控制植入的深度。
98 ION IMPLANTATION 离子植入 1. 由于加速器集真空技术的发展离子布植机成為本世纪高科技产品之一，取代了早先的预置制程2. 其好处有：2-1可精确控制剂量。2-2在真空下操作可免除杂质污染。2-3可精确控制植入的深喥2-4是一种低温的制程。2-5 只要能游离任何离子皆可植入
99 ISOTROPIC ETCHING 等向性蚀刻 在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外横向反应亦同时发生，此總蚀刻即称之为等向性蚀刻一般化学湿蚀刻多发生此种现象。干式蚀刻其实刻后的横截面具有异向性蚀刻特性（Anisotropic），即可得到较陡的圖形
RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基体内CMOS中形成两个双截子晶体管P-N-P-N形式的路径有如一个垂直的P+-N-P与一个水平N+-P-N晶体管组合形成于CMOS反向器，如果电压降过大或受到外界电压、电流或光的触发时将造成两个晶体管互相导过而短路，严重的话将使IC烧毁故设计CMOS路防止LATCH-UP的发生是当前IC界最重要的课题。
102 LAYOUT 布局 此名词用在IC设计时是指将设计者根据客户需求所设计之线路，经由CAD（计算机辅助设计）转换成实际制作IC时，所需要之光罩布局以便去制作光罩。因此此一布局工作关系到光罩制作出后是和原设计者之要求符何，因此必须根据一定之规则好比一场游戏一样，必须循一定之规则才能顺利完成，而布局完成后之图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形
103 LOAD LOCK 传送室 用来隔绝反应室与外界大器直接接触，以确保反应室内之洁净降低反应是受污染之程度。一般用于电浆蚀刻及金属溅度等具有真空反应室之设备
104 LOT NUMBER 批号 批号乃是为線上所有材料之身份证，KEY IN批号如同申报流动户口经由COMAX系统藉以管制追踪每批材料之所在站别，并得以查出每批材料之详细相关资料固為生产过程中之重要步骤。批号为7其编排方法如下： X X X X X 年码 流水序号92 0294 00003以下类推※批号之产生乃于最投片时由SMS系统自动产生。
Pa或更地）加熱组件。目地在使金属膜内之原子籍由热运动重新排列，以减少原有之晶格缺陷形成较佳之金属结晶颗粒以增加膜之品质。由于在低壓下热传导之途径主要为辐射（Radiation）而非对流（Convection）或传导（Conduction）因此控温之方式须选以加热线圈为监控温度（Spike Control）而非实际芯片或管内之温度（Profile
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