fet的电学设计性实验报告性该如何表征

内容提示:三栅FinFET电学设计性实验報告特性仿真分析与研究

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利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2場效应晶体管(FET),通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学设计性实验报告参数结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨導法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质電荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学设计性实验报告参数都不完全一致这表明在分析MoS_2 FET的电学設计性实验报告性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。(本文共计7页)

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