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三级管的饱和区和MOS管的饱和区
bjt:iC不随iB的增加而增加；
N-MOS：高电平导通低电平断开；
高电平左边带正电质子右边带負电电子，箭头指向右边板；
P-MOS：低电平导通高电平断开；
低电平左边带负电电子右边带正电质子，箭头指向右边板；
判断三极管是否进入饱和区的标准是 Ib×β > Ic(max),因为在上大学的时候模拟电路书上写的是 对于NPN三极管 处于饱和区的条件是Ube>0 Ubc>0可是在单片机应用中，一般集电极通过电阻接Vcc所以基极的电压就不可能比集电极高，所以我觉得也可以这样理解Ib增大，Ic = Ib×β 也随着增大，如果 Ib 增大到一定的值Ic不随着Ib一起增大时，三极管就进入了饱和区 如下图
计算R37 R38使三极管工作在饱和区
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