为什么栅氧厚度层越薄的同时要提高沟道掺杂浓度

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-03-01 03:14 标签： 栅氧

【摘要】：本文从二维模拟热载鋶子注入电流入手讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的影响．模擬结果表明，对于不同的硅层厚度沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用，有时甚至是决定性的作用．沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样是影响薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的重要因素，这也就解释了以往文献Φ随着硅层减薄，沟道电场增大热载流子效应反而减小的矛盾．模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内（６０～１００ｎｍ），器件热载流子效应达到最小值而且在这一硅层范围内，热载流子效应对硅层厚度、栅氧厚度厚度以及掺杂浓度的变化不敏感这对高性能深亚微米薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ设计具有重要的指导意义．


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【摘要】：提出了一种新的全耗盡SOIMOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层硅界面处的电势最小值用于监测SOIMOSFETs的阈值电压.通過对不同栅长、栅氧厚度厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOIMOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.


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