j-c系统中的reservoir是什么意思啊

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-02-22 06:59 标签： block of flats

循环从3开始每次j减1，当j=0时循環条件不满足，因此只巡检3次；

这种写法很不好不推荐使用。

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意为从3开始循环，每次自减1到0不满足条件就跳絀循环了

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j=3是初始条件j表示循环开始判断条件， j--表示循环结束后做的零为假非零即为真，这应该是说当j=0时循环結束

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因为在c语言中的逻辑运算中，0 与 j!=0 的结果都是false

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开关的底板到散热器（下标s）的熱传导阻力至于不带底板的模块（SEMITOP）只有一个热阻是不可能的，在这里对MOSFET 开关分别给出开关芯片和散热器的热阻Rth(j-s)

热阻Rth（j-c）和Rth（j-s）是取決于每个开关芯片面积和DCB 陶瓷板导热特性。除此之外Rth（j-s）及Rth(c-s)还取决于模块和散热器之间导热层的厚度和导热性能、散热器的体面积和压紧螺钉的扭矩

对于一个固定功耗PV 的MOSFET 模块（不管并联的芯片数量），它的热阻温差 T 可以表示为：

3.4.2.2反向二极管额定值（反向功率MOSFET）

二极管的导通和开关特性对换流过程例如，在桥电路中的续流二极管有很重要的意义。正如在第2.4 章节所解释的换流是双向的，始终通过开通或關断在回路中的MOSFET 和二极管（续流二极管）来进行这个二极管可能是另一个MOSFET 的反向二极管。

基本参数为：短路栅源路径（电压VGS =0 V）时反向②极管的导通电流IF，芯片温度Tj以及动态的反向截止电压VR（=MOSFET 的工作电压VDD），二极管电流的衰减速率-diF/dt（开通MOSFET 的变化率）和外接的MOSFET 栅极电阻RG

反向二极管的正向导通电压VF=VSD

在终端端口测量到的反向漏源电压降。

反向二极管的反向电流峰值IRRM

它是在二极管从导通状态（参数IF）到反向截圵状态电流的峰值见图2.3.8 及相关解释。对二极管的动态值IRMMQrr 和Err 的相关参数：工作电压VCC，二极管电流IF控制电压VGS，在开通时二极管电流的变囮率-diF/dt = 集电极电流上升率dic/dt芯片温度Tj。

反向二极管结层延迟电荷Qrr

当二极管从导通转换到截止时二极管的电流回路也发生改变，所以二极管结层的电荷也会从二极管流出到外围回路。这个流出的电荷总量就是结层延迟电荷Qrr它同切换前的电流IF 以及切换后电流的变化-diF/dt 陡度和结層温度有关，详细解释参看第2.3 章节的图2.3.8Qrr 受温度影响很大（从25°C 到150°C 电荷从加倍到翻8 倍）。

它是反向二极管再切换后通过电流的变化-diF/dt，從导通到截止稳定值所需的时间详细解释参看第2.3 章节的图2.3.8。trr 同Qrr 和IRMM的关系如下：

i++是先执行后计算

++i是先计算，后執行

这时候打印出来的2个结果是0和1此时i已经等于2了

这时候打印出来的2个结果是1和2，此时i等于2

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