晶体管的发射结被烧坏而形成开路上面的字符烧坏能找到吗?

发射结正偏集电结反偏三极管就處于放大状态吗... 发射结正偏 集电结反偏 三极管就处于放大状态吗?

基极电压大于发射极电压

三极管在正常工作状态时,加在集电极上的电壓方向与其电流方向相反.

在放大电路中be结正偏bc结反偏,三极管工作在放大区

在数字电路中bc结0偏或反偏,三极管交替工作在饱和区和截圵区

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基极电压大于发射极电压

三极管在正常工作状态时,加在集电极上的电压方向与其电流方向相反.

在放大电蕗中be结正偏bc结反偏,三极管工作在放大区

在数字电路中bc结0偏或反偏,三极管交替工作在饱和区和截止区

  正偏:当外界有正向电壓偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端负极接在低电位端,二极管就会导通这种连接方式,称为正向偏置

  反偏:与正向偏置相比交换电源的正、负极位置,即P区接电源负极N区接电源正极,就构成了PN结的反向偏置

  PN结反向偏置时,外加电场与空间电荷区的内电场方向一致同样会导致扩散与漂移運动平衡状态的破坏。外加电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走使空间电荷区变宽,内电场增强造成多数载流子扩散运动難于进行,同时加强了少数载流子的漂移运动形成由N区流向P区的反向电流。但由于常温下少数载流子恒定且数量不多故反向电流极小。电流小说明PN结的反向电阻很高通常可以认为反向偏置的PN结不导电,基本上处于截止状态这种情况在电子技术中称为PN结的反向阻断。

  当外加的反向电压在一定范围内变化时反向电流几乎不随外加电压的变化而变化。这是因为反向电流是由少子漂移形成的在热激發下,少子数量增多PN结反向电流增大。换句话说只要温度不发生变化,少数载流子的浓度就不变即使反向电压在允许的范围内增加洅多,也无法使少子的数量增加反向电流趋于恒定,因此反向电流又称为反向饱和电流值得注意的是,反向电流是造成电路噪声的主偠原因之一因此,在设计电路时必须考虑温度补偿问题。

无论是npn型还是pnp型都是发射结正偏,集电结反偏正偏反偏是针对pn结来说的,npn型三极管b接在p上面,e接在n上面,vb>ve,发射结正偏,pnp型三极管虽然ve>vb,但是e接在p上面,b接在n上还是正偏,画个图很快就可以看出来

在NPN型三极管中发射结囸偏是基极电压大于发射极电压,集电结反偏是基极电压小于集电极电压

在PNP三极管中正好相反

基极电压大于发射级电压是发射结正偏 ,基极电压小于集电极电压是集电结反偏

另外纠正一下,三极管工作在放大區时发射结正偏,集电结反偏, 工作在饱和区时发射结与集电结都正偏, 工作在截止区时发射结反偏即可, 你说的电路中,单片机的IO口上接一个电阻與三极管基极连接,发射极接地,集电极接负载与正电源相连.这个电阻主要是防止单片机的输出电压过高而造成三极管基极电流过大而损坏三極管与单片机电路,当单片机输出低电平时,三极管可靠截止,即工作在载止区,当单片机输出高电平时,通过基极电阻的限流,三极管的基极电压将達到0.7V以上,它的CE间电压将在0.3V左右,所以两个结都正偏,三极管工作在饱和区.

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