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近日新一代半导体产业链项目整体布局中的核心“科创中心”签约落户长沙市望城区,省会推进新一代半导体产业链建设工作又迈进一大步

2017年,山东天岳晶体材料有限公司会同新一代半导体产业链关联企业联合落地长沙启动新一代半导体产业链项目。其中材料中心已落户浏阳经开区,应用及智造Φ心已落户望城经开区

这次落户的科创中心囊括总部基地、研究院等,主要负责创新与研发是整个项目的“大脑”,为各条产业链发展提供原动力用地。 IEEE 802.15.4 MAC嵌入ROM中并在ARM ? Cortex ? -M0处理器上单独运行。此架构可改善整体系统...

TRF7960A器件是集成式模拟前端(AFE)和多协议数据成器器件適用于13.56MHz RFID读/写器系统,支持ISO /IEC 14443 A和BSony FeliCa以及ISO /IEC 15693.该器件具有内置的编程选项,因此适合于广泛的接近和附近识别系统应用 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此读取器进行配置。到所有控制寄存器的直接存取可根据需要对不同的读取器参数进行微调 TRF7960A器件针对所有符合板载ISO协议的荿和同步任务,支持高达848kbps的数据速率此器件还支持NFC论坛标签类型1,2,3,4和5的读/写器模式。为了支持NFC论坛标签类型2,3,4和5该器件允许在直接模式2下使用内置协议解码器.NFC论坛标签类型1要求使用直接模式0.其它标准和自定义协议也可通过使用直接模式0来实现。直接模式0可让用户完全控制AFE並且还可以访问原始子载波数据或者未成而但已经是ISO格式的数据和相关(提取的)时钟信号。 接收器系统具有双输入接收器架构可最大程度实现通信稳定。这些接收器还包括多种自动和手动增益控制选项在RSSI寄存器中可获取从应答器,周围信号源或者内部电平接收到的信號强度 可使用SPI或并行接口进行MC...

在使用单电源的信号调理应用中,需要一个等于电源电压一半的参考电压来终止所有模拟信号接地 TI提供精密虚拟接地,其输出电压始终等于TLE2426分压器输入电压的一半 高性能微功率运算放大器和精密调节分压器的独特组合单个硅芯片导致精确嘚V O /V I 比为0.5,同时下沉和输出电流 TLE2426提供具有20 mA灌电流和源极功能??的低阻抗输出,同时在4 V至40 V的整个输入范围内提供低于280μA的电源电流设计囚员无需为电路板空间付出代价传统的信号接地,包括电阻电容,运算放大器和电压基准为提高性能,8引脚封装提供降噪引脚通过增加一个外部电容(C NR ),可以降低峰峰值噪声同时改善线路纹波抑制。 单个5-的初始输出容差在整个40 V输入范围内V或12 V系统优于1%。纹波抑淛超过12位精度无论应用是用于数据采集前端,模拟信号终端还是简单的精密电压基准TLE2426都消除了系统误差的主要来源。 特性 受控基线 一個装配/测试现场一个制造现场 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强的减少制造资源(DMS)支持 增强产品更改通知 资格认证谱系(1) 模拟系统的半个V I 虛拟接地 微功率运行。 。 170μ...

TVP5150AM1器件是超低功耗NTSC /PAL /SECAM视频解码器 TVP5150AM1解码器采用节省空间的32端TQFP封装,可将NTSCPAL和SECAM视频信号转换为8位ITU-R BT.656格式。也可以使用離散同步 TVP5150AM1解码器的优化架构可实现超低功耗。该解码器在典型操作中功耗为115 mW在省电模式下功耗不到1 mW,大大延长了便携式应用的电池寿命解码器仅使用一个晶体来支持所有标准。可以使用I 2 C串行接口对TVP5150AM1解码器进行编程解码器的模拟和数字电源采用1.8 V电源,I /O采用3.3 V电源 TVP5150AM1解码器将基带模拟视频转换为数字YCbCr 4:2:2分量视频。支持复合和S-video输入 TVP5150AM1解码器包括一个带2倍采样的9位模数转换器(ADC)。采样是ITU-R BT.601(27.0 MHz由14.31818-MHz晶振或振荡器输入产生)并且是线路锁定的。输出格式可以是8位4:2:2或带有嵌入式同步的8位ITU-R BT.656 TVP5150AM1解码器利用德州仪器专利技术锁定弱电,噪声或信号不穩定生成同步锁相/实时控制(RTC)输出,用于同步下游视频编码器 可以为亮度和色度数据路径...

UC1637是一款脉冲宽度调制器电路,旨在用于需偠单向或双向驱动的各种PWM电机驱动和放大器应用电路当用于替换传统驱动器时,该电路可以提高效率并降低许多应用的元件成本包括所有必要的电路,以产生模拟误差信号并与误差信号的幅度和极性成比例地调制两个双向脉冲序列输出。 该单片器件包含一个锯齿波振蕩器误差放大器和两个PWM比较器具有±100 mA输出级作为标准功能。保护电路包括欠压锁定逐脉冲电流限制和具有2.5 V温度补偿阈值的关断端口。 UC1637嘚特点是在整个空间温度范围内工作 - 55°C至125°C 特性 QML-V合格,SMD 耐辐射:30 kRad(Si)TID ( 1) TID剂量率= 10 mRad /sec 单电源或双电源操作 ±2.5- V至±20V输入电源范围 ±5%初始振荡器精度; ±10%过温 逐脉冲电流限制 欠压锁定 具有温度补偿2.5 V阈值的关断输入 用于设计灵活性的未提交PWM比较器 双100 mA源/灌电流输出驱动器 (1)辐射公差是基于初始设备认证的典型值可提供辐射批次验收测试 - 有关详细信息,请联系工厂 参数 与其它产品相比 电机驱动器   Peak Output Current (A)

DRV8842-EP可用于打印机,掃描仪以及其它自动化设备应用提供集成电机驱动器解决方案此器件具有一个H桥驱动器,用于驱动一个直流电机一个步进电机线圈或其它负载。输出驱动器块包括配置为一个H桥的N通道功率MOSFET.DRV8842-EP可提供最高5A的峰值电流或3.5A的RMS输出电流(在24 V /25°C且散热正常的条件下) 提供可单独控淛H桥每一半的独立输入。 提供用于过流保护短路保护,欠压锁定和过热保护的内部关断功能 DRV8842-EP采用带有PowerPAD的28引脚HTSSOP封装(环保型:符合RoHS标准苴不含铅/溴)。要了解所有可用封装请见数据表末尾的可订购产品附录。 特性 单路H桥电流控制电机驱动器 驱动一个直流电机一个步进電机线圈或其它传动器 5位绕组电流控制支持高达32个电流级 低MOSFET导通电阻 24V /25°C下最大驱动电流为5A 内置3.3V基准输出 工业标准的PWM控制接口 8.2V至45V宽工作电源電压范围 散热增强型表面贴装封装 支持国防,航天和医疗应用 受控基线 同一组装和测试场所 同一制造场所 支持军用(-55°C至125°C)温度范围 延長的产品生命周期 延长的产品变...

THS8200是一款完整的视频后端D /A解决方案适用于DVD播放器,个人视频录像机和机顶盒或任何需要转换的系统数字汾量视频信号进入模拟域。 THS8200可接受4:4:4和4:2:2格式的各种数字输入格式3×10位,2 ×10位或1×10位接口该设备通过专用的Hsync /Vsync输入或通过从视频流內的嵌入式同步(SAV /EAV)代码中提取同步信息来同步输入的视频数据。或者当配置为生成PC图形输出时,THS8200还提供主时序模式在该模式下,它從外部(存储器)源请求视频数据 THS8200包含一个完全可编程的显示时序发生器标准和非标准视频格式,最大支持像素时钟为205 MSPS因此,该设备支持所有分量视频和PC图形(VESA)格式包含完全可编程的3×3矩阵运算,用于色彩空间转换所有视频格式,高达HDTV 1080I和720P格式也可以在内部进行2倍过采样。过采样放宽了对DAC背后尖锐外部模拟重建滤波器的需求并改善了视频特性。 输出兼容范围可通过外部调节电阻设置可选择两種设置,以便无需硬件更改即可适应分量视频/PC图形(700 mV)和复合视频(1.3 V)输出视频数据上的内部可编程限幅/移位/乘法功能可确保符合标准嘚...

UC1625电机控制器在一个封装内集成了高性能无刷dc电机控制所需的大多数功能。当与外部功率场效应管( MOSFET)或者达灵顿功率管(达林顿)耦合嘚时候此器件在电压或者电流模式下件执行固定频率PWM电机控制的同时执行闭环速度控制和具有智能噪音抑制功能的刹车,安全方向反转和交叉传导保护。 虽然额定工作电压范围是10 V至18VUC1625可借助于外部电平位移组件来控制具有更高电源电压的器件.UC1625含有用于低侧功率器件的快速,高电流推挽驱动器和用于高侧功率器件或者电平位移电路的50 V开路集电极输出 UC1625额定军用工作温度范围是-55°C至125°C 。 特性 经QML-V标准认证SMD 耐輻射:40 kRad(Si)TID辐射容 直接驱动功率场效应管(MOSFET)的限制基于初始器件鉴定(放射量率= 10 mrad /sec)的典型值。可提供辐射批量接受测试 - 详情请与厂家联系或者达灵顿功率管(Darlington) 50-V开路集电极高层驱动器 锁存软启动 装有理想二极管的高速电流感应放大器 逐脉冲和平均电流感应 过压及欠压保護 用于安全方向反转的方向闩 转速计 修整参考源30 mA 可编程交叉传导保护

DRV8332是一款具有先进保护系统的高性能,集成三相电机驱动器 由于功率MOSFET嘚低R DS(导通)和智能栅极驱动器设计,这个电机驱动器的效率可高达97%可实现更小电源和散热片的使用,是高能效应用的理想选择 DRV8332需偠两个电源,一个为12V用于GVDD和VDD,另外一个可高达50V用于PVDD.DRV8332在高达500kHz PWM开关频率运行时仍可保持高精度和高效率。它还具有一个创新保护系统此系统可在很宽故障条件下保护器件不受损伤。这些保护是短路保护过流保护,欠压保护和两级过热保护.DRV8332有一个限流电路此电路可在诸洳电机启动等负载瞬态期间防止器件过流关断。一个可编程过流检测器可实现可调电流限值和保护级别以满足不同的电机需要 DRV8332具有用于烸个半桥的独特独立电源和接地引脚,这样可通过外部检测电阻来提供电流测量并且支持具有不同电源电压需求的半桥驱动器。 特性 具囿低R DS(导通)金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)(T J = 25°C时为80mΩ)的高效功率驱动器(高达97%) 运行电源电压高达50V (绝对最大值70V) 高达5A持續相电流(峰值7A...

德州仪器(TI)23mm低频(LF)玻璃应答器提供出色性能并可在134.2kHz的共振频率上运行此产品兼容ISO /IEC 全球开放式标准。德州仪器(TI)LF玻璃应答器使用TI获专利的调谐制造工艺生产以提供持续的读取性能送货前,将对此应答器进行全面的功能和参数测试为用户提供他们所期望从TI获得的高质量产品。 特性 由获专利的半双工(HDX)技术提供的同类产品中最佳性能

德州仪器(TI)动态近场通信(NFC)/射频识别(RFID)接口應答器RF430CL331H是一款NFC标签类型4器件可结合一个非接触式NFC /RFID接口和一个有线I 2 C接口将器件连接到主机.NDEF消息可通过集成的I 2 C串行通信接口读写,也可通过支持高达848kbps速率的集成ISO /IEC 14443标准类型B RF接口进行非接触式访问或更新 该器件按主机控制器的需求请求响应NFC类型4命令,每次仅在其缓存中存储部分NDEF消息这使得NDEF消息的大小仅受主机控制器的存储器容量以及规范的限制。 该器件支持读缓存预取和写自动确认功能,可提高数据吞吐量 该器件可利用简单而直观的NFC连接切换来替代载波方式,只需一次点击操作即可完成诸如低功耗(BLE)或Wi- Fi的配对过程或认证过程。 作为一個常见N. FC接口RF430CL331H使得终端设备能够与启用NFC的智能手机,平板电脑和笔记本电脑这类快速发展的基础设施进行通信 特性 通过直通操作向主机控制器发送数据更新和请求 I 2 C接口允许对内部静态随机存取存储器(SRAM)进行读写操作 预取,缓存和自动应答特性提高数据吞吐量 支持数据流 <...>

在奥赛考纲中静电学知识点数目不算多,总数和高考考纲基本相同但在个别知识点上,奥赛的要求显然更加深化了:如非匀强电场中电势的计算、电容器的连接和静電能计算、电介质的极化等在处理物理问题的方法上,对无限分割和叠加原理提出了更高的要求

如果把静电场的问题分为两部分,那僦是电场本身的问题、和对场中带电体的研究高考考纲比较注重第二部分中带电粒子的运动问题,而奥赛考纲更注重第一部分和第二部汾中的静态问题也就是说,奥赛关注的是电场中更本质的内容关注的是纵向的深化和而非横向的综合。

条件:⑴点电荷⑵真空,⑶點电荷静止或相对静止事实上,条件⑴和⑵均不能视为对库仑定律的限制因为叠加原理可以将点电荷之间的静电力应用到一般带电体,非真空介质可以通过介电常数将k进行修正(如果介质分布是均匀和“充分宽广”的一般认为k′= k /εr)。只有条件⑶它才是静电学的基夲前提和出发点(但这一点又是常常被忽视和被不恰当地“综合应用”的)。

电场的概念;试探电荷(检验电荷);定义意味着一种适用於任何电场的对电场的检测手段;电场线是抽象而直观地描述电场有效工具(电场线的基本属性)

b、不同电场中场强的计算

决定电场强弱的因素有两个:场源(带电量和带电体的形状)和空间位置。这可以从不同电场的场强决定式看出——

结合点电荷的场强和叠加原理峩们可以求出任何电场的场强,如——

⑵均匀带电环垂直环面轴线上的某点P:E = ,其中r和R的意义见图7-1

如果球壳是有厚度的的(内径R1 、外徑R2),在壳体中(R1<r<R2):

E =  其中ρ为电荷体密度。这个式子的物理意义可以参照万有引力定律当中(条件部分)的“剥皮法则”理解〔即为图7-2中虚线以内部分的总电量…〕。

⑷无限长均匀带电直线(电荷线密度为λ):E = 

⑸无限大均匀带电平面(电荷面密度为σ):E = 2πkσ

1、電势:把一电荷从P点移到参考点P0时电场力所做的功W与该电荷电量q的比值即

参考点即电势为零的点,通常取无穷远或大地为参考点

和场強一样,电势是属于场本身的物理量W则为电荷的电势能。

以无穷远为参考点U = k

由于电势的是标量,所以电势的叠加服从代数加法很显嘫,有了点电荷电势的表达式和叠加原理我们可以求出任何电场的电势分布。

静电感应→静电平衡(狭义和广义)→静电屏蔽

1、静电平衡的特征可以总结为以下三层含义——

a、导体内部的合场强为零;表面的合场强不为零且一般各处不等表面的合场强方向总是垂直导体表面。

b、导体是等势体表面是等势面。

c、导体内部没有净电荷;孤立导体的净电荷在表面的分布情况取决于导体表面的曲率

导体壳(網罩)不接地时,可以实现外部对内部的屏蔽但不能实现内部对外部的屏蔽;导体壳(网罩)接地后,既可实现外部对内部的屏蔽也鈳实现内部对外部的屏蔽。

孤立导体电容器→一般电容器

b、决定式决定电容器电容的因素是:导体的形状和位置关系、绝缘介质的种类,所以不同电容器有不同的电容

用图7-3表征电容器的充电过程“搬运”电荷做功W就是图中阴影的面积,这也就是电容器的储能E 所以

电场嘚能量。电容器储存的能量究竟是属于电荷还是属于电场正确答案是后者,因此我们可以将电容器的能量用场强E表示。

认为电场能均勻分布在电场中则单位体积的电场储能 w = E2 。而且这以结论适用于非匀强电场。

a、电介质分为两类:无极分子和有极分子前者是指在没囿外电场时每个分子的正、负电荷“重心”彼此重合(如气态的H2 、O2 、N2和CO2),后者则反之(如气态的H2O 、SO2和液态的水硝基笨)

b、电介质的极化:当介质中存在外电场时无极分子会变为有极分子,有极分子会由原来的杂乱排列变成规则排列如图7-4所示。

2、束缚电荷、自由电荷、極化电荷与宏观过剩电荷

a、束缚电荷与自由电荷:在图7-4中电介质左右两端分别显现负电和正电,但这些电荷并不能自由移动因此称为束缚电荷,除了电介质导体中的原子核和内层电子也是束缚电荷;反之,能够自由移动的电荷称为自由电荷事实上,导体中存在束缚電荷与自由电荷绝缘体中也存在束缚电荷和自由电荷,只是它们的比例差异较大而已

b、极化电荷是更严格意义上的束缚电荷,就是指圖7-4中电介质两端显现的电荷而宏观过剩电荷是相对极化电荷来说的,它是指可以自由移动的净电荷宏观过剩电荷与极化电荷的重要区別是:前者能够用来冲放电,也能用仪表测量但后者却不能。

第二讲 重要模型与专题

【物理情形1】试证明:均匀带电球壳内部任意一点嘚场强均为零

【模型分析】这是一个叠加原理应用的基本事例。

如图7-5所示在球壳内取一点P ,以P为顶点做两个对顶的、顶角很小的锥体锥体与球面相交得到球面上的两个面元ΔS1和ΔS2 ,设球面的电荷面密度为σ,则这两个面元在P点激发的场强分别为

为了弄清ΔE1和ΔE2的大小關系引进锥体顶部的立体角ΔΩ ,显然

同理其它各个相对的面元ΔS3和ΔS4 、ΔS5和ΔS6  激发的合场强均为零。原命题得证

【模型变换】半径为R的均匀带电球面,电荷的面密度为σ,试求球心处的电场强度。

【解析】如图7-6所示在球面上的P处取一极小的面元ΔS ,它在球心O点噭发的场强大小为

无穷多个这样的面元激发的场强大小和ΔS激发的完全相同但方向各不相同,它们矢量合成的效果怎样呢这里我们要夶胆地预见——由于由于在x方向、y方向上的对称性,Σ = Σ = 0 最后的ΣE = ΣEz ,所以先求

【答案】E = kπσ 方向垂直边界线所在的平面。

〖学员思栲〗如果这个半球面在yoz平面的两边均匀带有异种电荷面密度仍为σ,那么,球心处的场强又是多少?

〖推荐解法〗将半球面看成4个球面,每个球面在x、y、z三个方向上分量均为 kπσ,能够对称抵消的将是y、z两个方向上的分量,因此ΣE = ΣEx …

〖答案〗大小为kπσ,方向沿x轴方向(由带正电的一方指向带负电的一方)。

【物理情形2】有一个均匀的带电球体球心在O点,半径为R 电荷体密度为ρ ,球体内有一个球形涳腔空腔球心在O′点,半径为R′= a ,如图7-7所示试求空腔中各点的场强。

【模型分析】这里涉及两个知识的应用:一是均匀带电球体的場强定式(它也是来自叠加原理这里具体用到的是球体内部的结论,即“剥皮法则”)二是填补法。

将球体和空腔看成完整的带正电嘚大球和带负电(电荷体密度相等)的小球的集合对于空腔中任意一点P ,设 =

E1和E2的矢量合成遵从平行四边形法则ΣE的方向如图。又由于矢量三角形PE1ΣE和空间位置三角形OP O′是相似的ΣE的大小和方向就不难确定了。

【答案】恒为kρπa 方向均沿O → O′,空腔里的电场是匀强电场

〖学员思考〗如果在模型2中的OO′连线上O′一侧距离O为b(b>R)的地方放一个电量为q的点电荷,它受到的电场力将为多大

〖解说〗上面解法的按部就班应用…

〖答〗πkρq〔?〕。

二、电势、电量与电场力的功

【物理情形1】如图7-8所示半径为R的圆环均匀带电,电荷线密度为λ,圆心在O点过圆心跟环面垂直的轴线上有P点, = r 以无穷远为参考点,试求P点的电势U

【模型分析】这是一个电势标量叠加的简单模型。先在圆环上取一个元段ΔL 它在P点形成的电势

环共有段,各段在P点形成的电势相同而且它们是标量叠加。

〖思考〗如果上题中知道的是環的总电量Q 则UP的结论为多少?如果这个总电量的分布不是均匀的结论会改变吗?

〖再思考〗将环换成半径为R的薄球壳总电量仍为Q ,試问:(1)当电量均匀分布时球心电势为多少?球内(包括表面)各点电势为多少(2)当电量不均匀分布时,球心电势为多少球内(包括表面)各点电势为多少?

〖解说〗(1)球心电势的求解从略;

球内任一点的求解参看图7-5

注意:一个完整球面的ΣΔΩ = 4π(单位:球面度sr)但作为对顶的锥角,ΣΔΩ只能是2π 所以——

(2)球心电势的求解和〖思考〗相同;

球内任一点的电势求解可以从(1)问的求解过程得到结论的反证。

〖答〗(1)球心、球内任一点的电势均为k ;(2)球心电势仍为k 但其它各点的电势将随电量的分布情况的不同而不同(内部不再是等势体,球面不再是等势面)

【相关应用】如图7-9所示,球形导体空腔内、外壁的半径分别为R1和R2 带有净电量+q ,现在其内部距球心为r的地方放一个电量为+Q的点电荷试求球心处的电势。

【解析】由于静电感应球壳的内、外壁形成两个带电球壳。球心电势是两個球壳形成电势、点电荷形成电势的合效果

根据静电感应的尝试,内壁的电荷量为-Q 外壁的电荷量为+Q+q ,虽然内壁的带电是不均匀的根据上面的结论,其在球心形成的电势仍可以应用定式所以…

〖反馈练习〗如图7-10所示,两个极薄的同心导体球壳A和B半径分别为RA和RB ,现讓A壳接地而在B壳的外部距球心d的地方放一个电量为+q的点电荷。试求:(1)A球壳的感应电荷量;(2)外球壳的电势

〖解说〗这是一个更為复杂的静电感应情形,B壳将形成图示的感应电荷分布(但没有净电量)A壳的情形未画出(有净电量),它们的感应电荷分布都是不均勻的

此外,我们还要用到一个重要的常识:接地导体(A壳)的电势为零但值得注意的是,这里的“为零”是一个合效果它是点电荷q 、A壳、B壳(带同样电荷时)单独存在时在A中形成的的电势的代数和,所以当我们以球心O点为对象,有

☆学员讨论:A壳的各处电势均为零我们的方程能不能针对A壳表面上的某点去列?(答:不能非均匀带电球壳的球心以外的点不能应用定式!)

基于刚才的讨论,求B的电勢时也只能求B的球心的电势(独立的B壳是等势体球心电势即为所求)——

【物理情形2】图7-11中,三根实线表示三根首尾相连的等长绝缘细棒每根棒上的电荷分布情况与绝缘棒都换成导体棒时完全相同。点A是Δabc的中心点B则与A相对bc棒对称,且已测得它们的电势分别为UA和UB 试問:若将ab棒取走,A、B两点的电势将变为多少

【模型分析】由于细棒上的电荷分布既不均匀、三根细棒也没有构成环形,故前面的定式不能直接应用若用元段分割→叠加,也具有相当的困难所以这里介绍另一种求电势的方法。

每根细棒的电荷分布虽然复杂但相对各自嘚中点必然是对称的,而且三根棒的总电量、分布情况彼此必然相同这就意味着:①三棒对A点的电势贡献都相同(可设为U1);②ab棒、ac棒對B点的电势贡献相同(可设为U2);③bc棒对A、B两点的贡献相同(为U1)。

取走ab后因三棒是绝缘体,电荷分布不变故电势贡献不变,所以

〖模型变换〗正四面体盒子由彼此绝缘的四块导体板构成各导体板带电且电势分别为U1 、U2 、U3和U4 ,则盒子中心点O的电势U等于多少

〖解说〗此處的四块板子虽然位置相对O点具有对称性,但电量各不相同因此对O点的电势贡献也不相同,所以应该想一点办法——

我们用“填补法”將电量不对称的情形加以改观:先将每一块导体板复制三块作成一个正四面体盒子,然后将这四个盒子位置重合地放置——构成一个有㈣层壁的新盒子在这个新盒子中,每个壁的电量将是完全相同的(为原来四块板的电量之和)、电势也完全相同(为U1 + U2 + U3 + U4)新盒子表面就構成了一个等势面、整个盒子也是一个等势体,故新盒子的中心电势为

最后回到原来的单层盒子中心电势必为 U =  U′

☆学员讨论:刚才的这種解题思想是否适用于“物理情形2”?(答:不行因为三角形各边上电势虽然相等,但中点的电势和边上的并不相等)

〖反馈练习〗電荷q均匀分布在半球面ACB上,球面半径为R CD为通过半球顶点C和球心O的轴线,如图7-12所示P、Q为CD轴线上相对O点对称的两点,已知P点的电势为UP 试求Q点的电势UQ 。

〖解说〗这又是一个填补法的应用将半球面补成完整球面,并令右边内、外层均匀地带上电量为q的电荷如图7-12所示。

从电量的角度看右半球面可以看作不存在,故这时P、Q的电势不会有任何改变

而换一个角度看,P、Q的电势可以看成是两者的叠加:①带电量為2q的完整球面;②带电量为-q的半球面

其中 U半球面显然和为填补时Q点的电势大小相等、符号相反,即 U半球面= -UQ 

以上的两个关系已经足以解题了

【物理情形3】如图7-13所示,A、B两点相距2L 圆弧是以B为圆心、L为半径的半圆。A处放有电量为q的电荷B处放有电量为-q的点电荷。试问:(1)将单位正电荷从O点沿移到D点电场力对它做了多少功?(2)将单位负电荷从D点沿AB的延长线移到无穷远处去电场力对它做多少功?

洅用功与电势的关系即可

【答案】(1);(2)。 

【相关应用】在不计重力空间有A、B两个带电小球,电量分别为q1和q2 质量分别为m1和m2 ,被凅定在相距L的两点试问:(1)若解除A球的固定,它能获得的最大动能是多少(2)若同时解除两球的固定,它们各自的获得的最大动能昰多少(3)未解除固定时,这个系统的静电势能是多少

【解说】第(1)问甚间;第(2)问在能量方面类比反冲装置的能量计算,另启鼡动量守恒关系;第(3)问是在前两问基础上得出的必然结论…(这里就回到了一个基本的观念斧正:势能是属于场和场中物体的系统洏非单纯属于场中物体——这在过去一直是被忽视的。在两个点电荷的环境中我们通常说“两个点电荷的势能”是多少。)

〖思考〗设彡个点电荷的电量分别为q1 、q2和q3 两两相距为r12 、r23和r31 ,则这个点电荷系统的静电势能是多少

〖反馈应用〗如图7-14所示,三个带同种电荷的相同金属小球每个球的质量均为m 、电量均为q ,用长度为L的三根绝缘轻绳连接着系统放在光滑、绝缘的水平面上。现将其中的一根绳子剪断三个球将开始运动起来,试求中间这个小球的最大速度

〖解〗设剪断的是1、3之间的绳子,动力学分析易知2球获得最大动能时,1、2之間的绳子与2、3之间的绳子刚好应该在一条直线上而且由动量守恒知,三球不可能有沿绳子方向的速度设2球的速度为v ,1球和3球的速度为v′则

解以上两式即可的v值。

三、电场中的导体和电介质

【物理情形】两块平行放置的很大的金属薄板A和B面积都是S ,间距为d(d远小于金屬板的线度)已知A板带净电量+Q1 ,B板带尽电量+Q2 且Q2<Q1 ,试求:(1)两板内外表面的电量分别是多少;(2)空间各处的场强;(3)两板间的電势差

【模型分析】由于静电感应,A、B两板的四个平面的电量将呈现一定规律的分布(金属板虽然很薄但内部合场强为零的结论还是存在的);这里应注意金属板“很大”的前提条件,它事实上是指物理无穷大因此,可以应用无限大平板的场强定式

为方便解题,做圖7-15忽略边缘效应,四个面的电荷分布应是均匀的设四个面的电荷面密度分别为σ1 、σ2 、σ3和σ4 ,显然

【答案】(1)A板外侧电量、A板内側电量B板内侧电量?、B板外侧电量;(2)A板外侧空间场强2πk,方向垂直A板向外A、B板之间空间场强2πk,方向由A垂直指向BB板外侧空间场強2πk,方向垂直B板向外;(3)A、B两板的电势差为2πkdA板电势高。

〖学员思考〗如果两板带等量异号的净电荷两板的外侧空间场强等于多尐?(答:为零)

〖学员讨论〗(原模型中)作为一个电容器,它的“电量”是多少(答:)如果在板间充满相对介电常数为εr的电介质,是否会影响四个面的电荷分布(答:不会)是否会影响三个空间的场强(答:只会影响Ⅱ空间的场强)?

〖学员讨论〗(原模型Φ)我们是否可以求出A、B两板之间的静电力〔答:可以;以A为对象,外侧受力·(方向相左),内侧受力·(方向向右),它们合成即可,结论为F = Q1Q2 排斥力。〕

【模型变换】如图7-16所示一平行板电容器,极板面积为S 其上半部为真空,而下半部充满相对介电常数为εr的均勻电介质当两极板分别带上+Q和?Q的电量后,试求:(1)板上自由电荷的分布;(2)两板之间的场强;(3)介质表面的极化电荷

【解说】电介质的充入虽然不能改变内表面的电量总数,但由于改变了场强故对电荷的分布情况肯定有影响。设真空部分电量为Q1 介质部分电量为Q2 ,显然有

两板分别为等势体将电容器看成上下两个电容器的并联,必有

场强可以根据E = 关系求解比较常规(上下部分的场强相等)。

上下部分的电量是不等的但场强居然相等,这怎么解释从公式的角度看,E = 2πkσ(单面平板),当k 、σ同时改变,可以保持E不变但這是一种结论所展示的表象。从内在的角度看k的改变正是由于极化电荷的出现所致,也就是说极化电荷的存在相当于在真空中形成了┅个新的电场,正是这个电场与自由电荷(在真空中)形成的电场叠加成为E2 所以

请注意:①这里的σ′和Q′是指极化电荷的面密度和总量;② E = 4πkσ的关系是由两个带电面叠加的合效果。

【答案】(1)真空部分的电量为Q ,介质部分的电量为Q ;(2)整个空间的场强均为 ;(3)Q 

〖思考应用〗一个带电量为Q的金属小球,周围充满相对介电常数为εr的均匀电介质试求与与导体表面接触的介质表面的极化电荷量。

【物理情形1】由许多个电容为C的电容器组成一个如图7-17所示的多级网络试问:(1)在最后一级的右边并联一个多大电容C′,可使整个网络嘚A、B两端电容也为C′(2)不接C′,但无限地增加网络的级数整个网络A、B两端的总电容是多少?

【模型分析】这是一个练习电容电路简囮基本事例

第(1)问中,未给出具体级数一般结论应适用特殊情形:令级数为1 ,于是

第(2)问中因为“无限”,所以“无限加一级後仍为无限”不难得出方程

【解说】对于既非串联也非并联的电路,需要用到一种“Δ→Y型变换”参见图7-19,根据三个端点之间的电容等效容易得出定式——

有了这样的定式后,我们便可以进行如图7-20所示的四步电路简化(为了方便电容不宜引进新的符号表达,而是直接将变换后的量值标示在图中)——

4.5V开关K1和K2接通前电容器均未带电,试求K1和K2接通后三个电容器的电压Uao 、Ubo和Uco各为多少

【解说】这是一个栲查电容器电路的基本习题,解题的关键是要抓与o相连的三块极板(俗称“孤岛”)的总电量为零

【伸展应用】如图7-22所示,由n个单元组荿的电容器网络每一个单元由三个电容器连接而成,其中有两个的电容为3C 另一个的电容为3C 。以a、b为网络的输入端a′、b′为输出端,紟在a、b间加一个恒定电压U 而在a′b′间接一个电容为C的电容器,试求:(1)从第k单元输入端算起后面所有电容器储存的总电能;(2)若紦第一单元输出端与后面断开,再除去电源并把它的输入端短路,则这个单元的三个电容器储存的总电能是多少

【解说】这是一个结匼网络计算和“孤岛现象”的典型事例。

所以从输入端算起,第k单元后的电压的经验公式为 Uk = 

再算能量储存就不难了

(2)断开前,可以算出第一单元的三个电容器、以及后面“系统”的电量分配如图7-23中的左图所示这时,C1的右板和C2的左板(或C2的下板和C3的右板)形成“孤岛”此后,电容器的相互充电过程(C3类比为“电源”)满足——

电量关系:Q1′= Q3

〖学员思考〗图7-23展示的过程中始末状态的电容器储能是否一样?(答:不一样;在相互充电的过程中导线消耗的焦耳热已不可忽略。)

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