集成电路(IC)产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心与基础，是调整经济发展方式、调整产业结构、保障国家信息安全的重要支撑。发展集成电路产业既是信息技术产业发展的内部动力，也是工业转型升级的内部动力，同时还是市场激烈竞争的外部压力，已上升为国家战略。
近年来，在市场拉动和政策支持下，我国集成电路产业快速发展，整体实力显著提升，集成电路设计、制造能力与国际先进水平差距不断缩小，封装测试技术逐步接近国际先进水平，部分关键装备和材料被国内外生产线采用，涌现出一批具备一定国际竞争力的骨干企业，产业集聚效应日趋明显。
但是，集成电路产业仍然存持续创新能力薄弱、产业发展与市场需求脱节、产业链各环节缺乏协同、适应产业特点的政策环境不完善等突出问题，产业发展水平与先进国家(地区)相比依然存在较大差距，集成电路产品大量依赖进口，难以对构建国家产业核心竞争力、保障信息安全等形成有力支撑。2016年，中国集成电路产值不足全球7%，而市场需求却接近全球1/3。集成电路进口额依然高达2271亿美元，出口金额为613.8亿美元，贸易逆差1657亿美元。
当前，全球集成电路产业正进入重大调整变革期。一方面，全球市场格局加快调整，投资规模迅速攀升，市场份额加速向优势企业集中。另一方面，移动智能终端及芯片呈爆发式增长，云计算、物联网、大数据等新业态快速发展，集成电路技术演进出现新趋势;我国拥有全球规模最大的集成电路市场，市场需求将继续保持快速增长。新形势下，我国集成电路产业发展既面临巨大的挑战，也迎来难得的机遇，因此国家和地方政府不断出台相关政策支持集成电路的发展，加快追赶先进国家(地区)的步伐。
图表1：中国集成电路行业主要政策汇总(一)
图表2：中国集成电路行业主要政策汇总(二)
为推动集成电路产业加快发展，国务院发布实施了《国家集成电路产业发展推进纲要》，旨在充分发挥国内市场优势，营造良好发展环境，激发企业活力和创造力，努力实现集成电路产业跨越式发展。该纲要也是近几年我国集成电路行业最主要的政策之一。
《纲要》明确提出，到2020年集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强;到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。
图表3：《国家集成电路产业发展推进纲要》解读
截至2018年各省市集成电路最新政策汇总及解读
随着《国家集成电路产业发展推进纲要》的颁布实施，各地发展集成电路的热情高涨，出台了不少鼓励政策，如：上海、南京、安徽、福建、重庆和成都等地纷纷推出集成电路产业发展基金。从企业实力角度来看，我国集成电路设计企业实力不断增强。
图表4：2016年地方政府集成电路产业基金规模(亿元)
图表5：截至2017年8月地方集成电路产业投资基金汇总
响应国家的政策号召，各地也针对当地的实际情况制定了相应的集成电路相关发展政策。如浙江省为加快集成电路的发展发布了《浙江省人民政府办公厅关于进一步加快集成电路产业发展的实施意见》，意见明确提出，到2020年，全省集成电路及相关产业业务收入突破1000亿元。
图表6：主要省市集成电路行业相关政策汇总(一)
图表7：主要省市集成电路行业相关政策汇总(二)
图表8：主要省市集成电路行业相关政策汇总(三)
图表9：主要城市集成电路行业相关政策汇总(四)
图表10：主要省市集成电路行业相关政策汇总(五)
9月19日，紫光展锐举办了中国芯片发展高峰论坛，在该论坛上，紫光集团董事长赵伟国表示紫光进入芯片行业....
半导体领域第三方调研机构IC Insights最新发布的报告显示，预计2018年全球集成电路产业的资....
半导体产业的发展离不开人才培养的基石和行业科普这片土壤。
众所周知，大到关乎国防安全的军事装备、雷达卫星，中到作为基础设施的互联网、数据中心，小到生活中常用的....
9月27日，广州市黄埔区人民政府发布《区新一代信息技术产业发展实施细则》，提出扶持包括新型显示、集成....
在加速经济新旧动能转换的时间节点上，紫光集团正与山东省共商数字化经济的最新发展路径。
从上表中可以看出，台积电自2016年三季度起到2018年二季度，在中国大陆晶圆代工业务收益呈逐季上升....
28日下午，在“至诚儒商聚泉城”活动上，济南与富士康科技集团有限公司共同筹建的济南富杰产业基金项目在....
目前，发展集成电路行业已成为国家长期战略，政府在政策和资本上大力支持国内集成电路的发展。
今年5月，美国针对中国手机制造商中兴通讯实施制裁，禁止该公司从美国公司进口关键零部件，这一事件暴露了....
本文档的主要内容详细介绍的是protel99元件库的原理图元件库、PCB元件库、集成电路库、常用库元....
与集成电路相比，分立器件的缺点是体积大，器件参数的随机性高，电路规模大频率高时，分布参数影响很大，设....
同样是9月25日，入驻小蓝经开区的江西德瑞光电技术有限责任公司（以下简称“德瑞光电”）也宣布了一件重....
摘要：BQ24610是TI公司推出的一款比较先进的，面向5V至28V电压输入的锂离子电池供电应用开关模式独立电池充电器IC.基...
这些年，来自南京江北新区的“中国芯”风头正盛。包括华为手机、小米手环、雅迪电动车智能控制器等在内的产....
本测试仪电原理图见下图，主要对以下五大类元器件进行测试：
“钱”和“人”是半导体产业发展的关键，中国目前正凭借政策扶持和大量的资金投入，积累技术经验和人才储备....
PCB板的组成 目前的电路板，主要由以下组成： 线路与图面（Pattern）：线路是做为原件之间导通的工具，在设计上会另外设...
本土电子元器件目录授权分销商——唯样商城与乐山无线电股份有限公司（以下简称LRC）正式达成合作，唯样....
电子元器件处于电子信息产业链上游，是计算机及网路、数字音频等系统和终端产品发展的基础，对电子信息产业....
美国众议院通过立法制定了一项为期10年的联邦计划“国家量子倡议法案”（National Quantum Initiative Act），根据该法案，美...
CW1051系列产品是用于串联连接的3-5锂离子和锂聚合物电池组的高度集成的二次保护集成电路。CW1....
电子计算机从总体上来说可分为两大类。一类是电子模拟计算机。“模拟”就是相似的意思，例如计算尺是用长度....
近日，国家电投集团黄河水电公司宣布已有能力规模生产电子级多晶硅，发展成国内唯一一家集成电路应用的高纯....
沸沸扬扬的“中兴事件”后，建设自主可控的集成电路产业体系愈发迫切。近日，在南通举行的2018集成电路....
目前我国垂直分工模式的芯片产业链初步搭建成形，产业上中下游已然打通，涌现出一批实力较强的代表性本土企....
从IDM到垂直分工，IC产业专业化分工催生独立测试厂商出现。
赵伟国还在演讲时也展示了第一款用中国国产储存颗粒芯片生产的U盘。他表示U盘是储存里面最低档的，但未来....
9月23日晚间，中国首富许家印的恒大一则公告，将周末平淡的资本市场重新点燃了。
在国外技术封锁以及国内低端竞争的环境下，中国集成电路的发展一直蒙有阴影。
美信集成产品公司宣布，其单芯片汽车安全完整性等级（ASIL）D级电池监控集成电路（IC）正集成于新款....
近日，原子通电子科技有限公司研发基地发布仪式在翔安举行。这家以生产存储器为主的半导体公司的落户和量产....
白皮书还指出，美国提供大量补贴，扭曲市场竞争。美国联邦和地方政府对部分产业和企业提供大量补贴、救助和....
与高管调整同步，长电科技还公布了一系列经营事项调整。董事会审议通过了调整非公开发行股票奥募集资金使用....
近年来国内集成电路产业投资一片火热，各地争相引进上马半导体建设项目，由此造成一哄而上、同质化竞争等现....
SiC材料本身的宽禁带、高击穿电场、高热导率、电子迁移率以及抗辐射特性使得碳化硅基的SBD以及MOS....
前言 为了防止地球温室化，减少CO2排放量已成为人类的课题。为了减少CO2排放量，节电与提高电压的转换效率是当务之...
虽然当前中国芯片市场繁荣发展，但是不可忽视的是，仍存在大多数产品依赖进口、缺乏核心技术等问题。目前国....
在基尔比眼里，这些方法最大的问题是制造这样的电路需要不同的材料和工艺。基尔比早就知道除了电感之外，其....
“148万”是陈南翔在2018 中国集成电路产业发展研讨会暨第二十一届中国集成电路制造年会（ CIC....
集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CM....
在全球半导体竞争白热化之际，中国半导体巨擘紫光集团有限公司（下称“紫光集团”）正迎来新的发展阶段。这....
从IDM到垂直分工，IC产业专业化分工催生独立测试厂商出现。
集成电路是信息产业的基石。我国自行生产的集成电路品种和数量还远远满足不了需求，亟需突破核心技术、实现....
亲爱的社区， 我的客户正在尝试通过命令行工具编程集成电路。 使用GUI，它功能完善，可以编程。 使用的硬件是MIXPRO...
赵伟国表示，挑战再大也得发展，要想解决卡脖子的问题，就必须要先解决发展。“去年集成电路的产值约为41....
紫光希望通过自己的努力，实现中国的芯片梦，摆脱中国制造对外国芯片的依赖。据统计，中国每年进口的芯片金....
近年来国内集成电路产业投资一片火热，各地争相引进上马半导体建设项目，由此造成一哄而上、同质化竞争等现....
对此，中国政府正在致力于国家集成电路产业投资基金的筹建工作，该基金将用于为半导体研发提供资助金支持，....
最近两年，随着国内晶圆厂的兴建，终端带动需求的增加，价格的飞涨，吸引了整个产业界对硅晶圆产业的关注。
“再有5年，中国集成电路基本上能把脚跟站稳了，2028年到2030年左右，中国集成电路在全世界会有一....
在此前炮轰高通成立瓴盛科技时，赵伟国说，“紫光集团去年营收约600亿元，研发投入200亿元，从研发占....
如果放眼全球来看，芯片制造主要集中在东亚地区，目前全球具有大规模芯片制造的厂商有：台积电（中国台湾）....
模拟集成电路设计精粹 Willy著 570页 （文件太大压缩成一个压缩包无法上传） ...
Early effect 不考虑，如何导出此电路的输入电阻式子？ ...
本书的主要内容包括：集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源...
LM45系列是精密集成电路温度传感器，其输出电压与摄氏（摄氏）温度成线性比例。 LM45不需要任何外部校准或微调，即可在室温下提供±2°C的精度，在整个-20至+ 100°C的温度范围内提供±3°C的精度。通过晶圆级的修整和校准确保低成本。
LM45的低输出阻抗，线性输出和精确的固有校准使得与读出或控制电路的接口特别容易。它可以与单个电源一起使用，也可以与正负电源一起使用。由于它的电源消耗仅为120μA，因此自然发热非常低，静止空气中的自热温度低于0.2°C。 LM45的额定工作温度范围为-20°至+ 100°C。 特性 直接以摄氏度（摄氏度）校准 线性+ 10.0 mV
LM62是一款精密集成电路温度传感器，可在+ 3.0V单电压下工作，检测0°C至+ 90°C温度范围供应。 LM62的输出电压与摄氏（摄氏）温度（+15.6 mV /°C）成线性比例，并具有+480 mV的直流偏移。偏移允许读取温度低至0°C而无需负电源。在0°C至+ 90°C的温度范围内，LM62的标称输出电压范围为+480 mV至+1884 mV。 LM62经过校准，可在室温和+
2.5°C /-2.0°C范围内提供±2.0°C的精度，温度范围为0°C至+ 90°C。 LM62的线性输出，+ 480 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取温度低至0°C的单电源环境中所需的外部电路。由于LM62的静态电流小于130μA，因此在静止空气中自热仅限于0.2°C。 LM62的关断功能是固有的，因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电。
LM135系列是精密，易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管，LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω，工作电流范围为400μA至5 mA，性能几乎没有变化。在25°C下校准时，LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同，LM135具有线性输出。
LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测，温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C，而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装，而LM335也采用塑料封装
LOG112和LOG2112是多功能集成电路，可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V，确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源，可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 日志，日志比率：
通信，分析，医疗，工业，测试，一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL（A /D）转换器 吸光度测量 ...
LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗，高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。
凭借Δ-Σ架构，低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同，LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶，允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数，从而满足系统对于相位噪声，杂波和锁定时间的要求。
对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速（20MHz）MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率，低杂波，快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线（WQFN）封装。 特性
LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环（PLL），集成了电压控制振荡器（VCO）和稳压器，可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz，无需?谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程，因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率，可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。
LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段，包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF（符合JESD204B标准）的支持，使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造？先进的BiCMOS工艺，采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm
