单相半波整流电路(阻感性负载)用mos管,IGBT行不行,在感性负载会不会不会出现负电压?

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近日,赛晶电力电子集团成功研制出针对新能源汽车IGBT使用的驱动方案GU-C12-AB-12D-V1。该产品的成功研发,标志着赛晶集团的新能源汽车用IGBT驱动器技术已经处于行业领先地位,为集团在新能源汽车领域的深耕发展奠定了坚实的基础。该产品是新能源汽车级双通道、高隔离电压、小功率的IGBT驱动器,具有体积小,布局紧凑合理,即插即用,低功耗,无需配套外围功能电路等特点...

    电子报道:日前,由英飞凌主办的“福特-新能源汽车电子相关系统方案专场”技术研讨会 (IATW)在南京福特召开。众多业界同仁分享并交流了英飞凌新能源系统的产品及相关解决方案,青铜剑科技作为英飞凌IGBT驱动方案合作伙伴,也在研讨会上展出了最新的驱动方案。  青铜剑科技与英飞凌深度合作,联合开发了多款功能强大、高可靠性...

信号发生电路图3为半桥开关电源电路。此电路采用一颗IR的汽车级半桥芯片IRS2004S作为驱动,并联两个由Infineon BSR302N组成的并联半桥电路。采用匝比为1:1.25的通用变压器,经过倍压整流得到+15V电压,经过普通整流得到-8V电压。每个变压器用于给一个IGBT驱动供电。在变压器原边串联入汽车级EMC磁珠,可以有效抑制开关产生的电压尖峰,器件具体信息见附录表...

BSR302N组成的并联半桥电路。采用匝比为1:1.25的通用变压器,经过倍压整流得到+15V电压,经过普通整流得到-8V电压。每个变压器用于给一个IGBT驱动供电。在变压器原边串联入汽车级EMC磁珠,可以有效抑制开关产生的电压尖峰,器件具体信息见附录表1。IGBT门极是一种容性负载,每次开关都伴随着较高瞬态电流,即前文计算的峰值驱动电流,因此需要一种纹波电流能力...

的分立式IGBT驱动电路。  1 IGBT驱动电路的基本要求  IGBT驱动电路是IGBT与控制电路之间的接口,实现对控制信号的隔离、放大和保护,驱动电路对IGBT的正常工作及其保护起着非常重要的作用,门极电路的正偏压uGS,负偏压-uGS和门极电阻Rc的大小,对IGBT的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力参数有不同的程度的影响,因此驱动电路设计对IGBT的动态和静态性能...

C=10-470uF。示波器可在驱动器的输入和输出端监测。如果不接Creset,则驱动器输出端输出的是约1ms的脉冲,也就是IGBT每1ms短路一次。考虑到有的IGBT在这种情况下时间长了仍有可能过热烧毁,接入10nF的Creset后,则为约12ms短路一次,保证了IGBT的安全。过流动作阈值设置电阻Rn的选取,请根据所试驱动器说明中的关于Rn的说明和所试验IGBT的正向...

IGBT的栅极电路中,主要考虑的因素包括栅极电压U的正、负及栅极电阻R的大小。它们对IGBT的导通电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力及等参数均有不同的程度的影响。...

驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用,对IGBT驱动电路的基本要求如下:(1) 提供适当的正向和反向输出电压,使IGBT可靠的开通和关断。(2) 提供足够大的瞬态功率或瞬时电流,使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。(3) 尽可能小的输入输出延迟时间,以提高工作效率。(4) 足够高的输入输出电气隔离...

驱动芯片用的是IXDD614,峰值驱动电流14A,正常驱动电流4A,因而可以用在大功率、高频率的应用场合(配合ZCS IGBT)。我在它的基础上加了一些元件,实现过流检测输出保护功能,还有驱动信号隔离。板子为了节省空间,画的是2单元,就是2路驱动在一起的。IGBT栅极驱动电流图:看有的做驱动器的宣传恒流驱动,感觉不妥。由上图可以看出IGBT驱动电流类似正弦变化,峰值电流很大...

,其主要部分小于0.1V,与输出电压(20V)相比,不到其0.5% ,说明此电路的输出纹波很小,达到了设计指标的要求;而轻载时毛刺也很少,工作情况很理想。4 结语实验结果表明,本文设计的单端反激式开关电源,具有体积小、重量轻、输出电压纹波小等优点,且稳定性好,轻载和满载均能可靠运行,电网电压浮动时,电源也能正常工作,因此,作为IGBT驱动电源,达到了满意的效果。另外,实验过程中...

国内外电力电子器件的应用和发展趋势,全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术,突出实用性。全书共7章,分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。.本书题材新颖实用,内容丰富,文字通俗,具有很高的实用价值,可供电信、信息、航天、军事及家电...

IGBT驱动及短路保护电路M57959L研究 据集电极退饱和检测短路原理及IGBT 的短路安全工作区(SCSOA) 限制,设计出具有较完善性能的IGBT 短路保护电路。分析与实验结果表明,短路保护快速、安全、可靠、简便、应用价值较大...

三菱M57962AL IGBT驱动模块具有驱动能力好,功率大,保护性能好等特点, M57962AL IGBT驱动模块适合于驱动大功率器件,根据其内部的自保护功能对其应用电路进行安全可靠设计。采用双电源驱动,有过流过压检测电路和保证IGBT可靠通断电路。总之,M57962AL IGBT驱动模块能够安全驱动开关、变频器等场合用的大功率器件IGBT。...

 近年来,igbt功率器件在电机控制、开关电源和变流设备等领域的应用已经非常广泛。igbt驱动包括专门的驱动电路,以及过流保护电路等。本文设计参考了三菱、西门康等公司生产的igbt驱动模块,加入了接口选择模块、功能选择模块、电源模块、功率补充模块等,实现了整个驱动电路的模块化设计。单个模块可以驱动一个桥臂的上下两个igbt。可以通过方波控制或者spwm控制[1]等控制方式,驱动单相或者三相逆变器。...

技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。计方法...

·作  者: 周志敏,周纪海,纪爱华 编著出 版 社: 人民邮电出版社出版时间: 内容简介本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上,结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势,全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术,突出实用性。全书共7章,分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT...

·作  者: 周志敏,周纪海,纪爱华 编著出 版 社: 人民邮电出版社出版时间: 内容简介本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上,结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势,全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术,突出实用性。全书共7章,分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT...

导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。...

;     TI拥有丰富的MOSFET,IGBT驱动芯片,包括低边驱动,半桥驱动,隔离驱动等等,在PFC电路中被广泛应用。 功率因数校正电路的开关管驱动方案...

/IGBT驱动,上海数明推出600V及200V两个系列HVIC产品。该系列产品适用于电机驱动、DC-DC 转换器、DC-AC逆变器、D类功率放大器等多种不同应用领域,具有过压保护、欠压保护、直通防止及死区保护 等功能。对比传统的HVIC产品,数明HVIC系列产品有助于降低系统的开关损耗,减小系统发热量,提升系统效 率,同时能帮助客户有效节省系统成本。 200V、600V 电机驱动...

,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图...

和其他的芯片都是低电压供电,所以需要采用一个辅助电源来将输入的DC24V降压到几种合适的电压,提供给芯片,驱动电路供电,这里使用经典的UC3845芯片做成反激供电,如下图,变压器没有画出来,因为在主板上,后面再更新主板电路图的时候,就能看到辅助变压器的连接,这里只分析小信号控制部分,辅助电源产生12V,5V和3.3V电压,12V电压还有一组隔离的,隔离将会提供给逆变的IGBT驱动用,5V提供给运放...

【不懂就问】 如图,上面是看到TI设计资料里的一部分,是一款IGBT驱动芯片 其中在去饱和保护设计时,有这么一段说明 “在开关感性负载时,会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化 这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰,会从器件中消耗大量电流 为了将这些电流限制,可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联 ,再选用一个肖特基二极管...

遇到这么一个情况,用DSPF28335做的单相两电平脉冲整流器,matlab仿真正确,但做整流硬件部分时,交流侧电压电流波形不太对,虽然有正弦波的模样,但是纹波超级多,不知道是什么情况,用的是瞬态直接电流控制策略,还请大佬帮忙解答一下谢谢! 图一 CH1-CH4通道分别为直流电压、电流和交流测电压电流波形 图2 IGBT驱动波形

臂之间的管子呢?两条线之间2mm的间距够600V吗? 关于IGBT驱动电路绝缘间距的问题 要看自己所设计的电源使用套用标准规定 电气绝缘距离要根据安规中的三类设备区分 I类设备就是金属外壳+3脚插头(即是带接地); II类设备是塑胶外壳+2脚插头; III类设备是电池供电或者适配器供电,比如笔记本、手电筒; 电气间隙要根据测量的工作电压及绝缘等级,即可决定距离 爬电距离...

【摘要】:针对IGBT的开通过程中,研究了感性负载条件下IGBT的开通过程中栅极电压、集电极电流、集射极电压随时间变化的特点及其相互关系。详细阐述了栅极电容随栅极电压变化的机理以及栅极平台电压产生的机理,分析了驱动电阻对栅极电压的影响。根据IGBT开通电流特点,提出用二次函数来拟合IGBT开通时的集电极电流波形,同时还分析了主回路杂散电感对开通波形的影响。搭建了IGBT动态开关特性测试平台,测量结果验证了本文分析的正确性。


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杨畅;操长茂;孙成;彭健;蔡雪贝;郑果;;[J];电子科技;2014年09期
许士真,白连平,张利军,缪青海;[J];电气传动自动化;2004年01期
中国重要报纸全文数据库
本报通讯员 黄金梅 倪善海;[N];地质勘查导报;2009年
摘 要:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中。这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗。集电极电压的上升过程可以看作是栅极电流对集电极与栅极之间的电容(即米勒电容)充电的过程。本文提出一种解析模型,通过计算米勒电容值随时间的变化来预测IGBT在关断过程中集电极电压值的变化。在对米勒电容的计算上,不仅考虑了电容值与其端电压之间的依赖关系,同时也考虑到关断过程中耗尽区存在的大量载流子对电容值的影响,使得模型更加准确。最后,运用数值计算仿真软件对绝缘栅双极型晶体管的关断过程进行了模拟,对本文提出的模型进行了验证。仿真结果与模型计算结果显示出良好的一致性。

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