TVS二极管位置不同，有什么影响？ - 捷配电子市场网
TVS二极管位置不同，有什么影响？
作者：kebi216　栏目：
TVS二极管位置不同，有什么影响？请问图1&图2，TVS二极管位置不同，这样不同设计，各有什么好处？谢谢！
作者： 大海孤星 于
16:16:00 发布：
当然是这第一种了.第二种那个TVS很难起到作用了.前面那么多元件.电压突变先降在前面的电感电容上.之后才到TVS .冲击都是在前面承担了.TVS怎么保护?
作者： kebi216 于
17:13:00 发布：
谢谢你的回复 ！实际应用结果第2个电路 应用中 多次发生 TVS烧毁第1个电路，是重新设计的！未量产
作者： kebi216 于
12:17:00 发布：
等等，来人帮忙啊我等等等等............
作者： 鲍云竹 于
15:38:00 发布：
你的电路输入电压是多少？这个参数很重要的。5V的TVS不到5V就可以导通，一旦导通电流会很大，时间过久就会烧毁。建议输入电压在5V时，至少用6V以上的TVS。
作者： 李冬发 于
20:51:00 发布：
要是第2种很容易烧TVS，那第1种不就更严重了?&
作者： mygaojian 于
9:07:00 发布：
这个问题非常值得关注这个问题非常值得关注，希望有高人继续讨论。
作者： yjinter 于
13:45:00 发布：
TVS前加自恢复保险丝&
作者： yangjian71 于
2:09:00 发布：
什么东西没见过
作者： kevinchan 于
12:41:00 发布：
觉得六楼说的有道理，期待中&
作者： kebi216 于
10:29:00 发布：
谢谢各位！输入正常为5V，对这个电路的改进请各位不要讨论了！现在关键是这两种电路的差异？第一个还没有量产！ * - 本贴最后修改时间： 14:39:28 修改者：kebi216
作者： zjp8683463 于
15:27:00 发布：
当然用第一个第一个烧了还能说明有问题，第二个不烧，但不能说明没问题，烧了问题就大了5V输入用的TVS，保险丝要放TVS前面
作者： 老黄头 于
10:03:00 发布：
用第一个第二个容易烧，第一个反尔不容易烧，第二个TVS除承担冲击电流还要承担前面的电容放电电流。同意楼上的建议。
作者： munababy 于
12:28:00 发布：
要用第二个,第一个安全性差第一种方案,如果TVS管内部烧结，会导致外部输入电路烧毁。第二种即使TVS管内部烧结，还能起保护。看楼主考虑问题的方法是故障的时候保护自己，烧毁别人，还是烧毁自己保护别人？另外，你电路的TVS烧毁有可能是因为电源断开时，电感的反向电动势导致，你可以考虑在电感反向并个啥的？或者在电感输入点也加个TVS管对地应该也可以。还有一定是加在最先输入的地方，因为你产品的任何一个元件都有可能出现短路情况，如此不起作用外部电路岂不完蛋。
作者： kebi216 于
13:52:00 发布：
有点明白还有不明白的地方1.TVS放前面，难道不会承担电容放电电流？？2. Dear munababy, &你可以考虑在电感反向并个啥的？或者在电感输入点也加个TVS管对地应该也可以&, 这个不太明白了！这个市针对那个电路，1还是2？3.这样看来，因为5V是外接输入的，这样看来，第一种方法比较好了，只有外接输入源稳定，都好！但当外界不稳定，TVS烧毁，外界输入源电路也要受到损害了！ 可以这样理解吗？
作者： kebi216 于
8:35:00 发布：
???????????&
作者： czhlcai 于
9:24:00 发布：
同意14楼的说法，应是电源断开后的反向电动势造成TVS坏掉。&
作者： munababy 于
10:07:00 发布：
再扯两句多加一个TVS管放电感前面，在电源断电的瞬间电感产生反向电动势，如果在电感前面有TVS管，就可抑制部分反向电流，从而减少流过电感后面那个TVS管的电流。对了你的TVS管是单向还是双向的？双向的如果也烧那你还是考虑在电感上反向并个足够功率的二极管吧。
作者： kebi216 于
8:26:00 发布：
谢谢munababy!图中TVS是单向的！
作者： zjp8683463 于
14:43:00 发布：
munababy“你电路的TVS烧毁有可能是因为电源断开时，电感的反向电动势导致”---------------------------------------------------------TVS对瞬态电流的吸收的能力是很强的，所以用来防雷击，电感的反电动势能把TVS击穿？TVS不是稳压管。TVS不能长时间工作在稳态大电流情况下 * - 本贴最后修改时间： 14:45:34 修改者：zjp8683463
作者： munababy 于
15:34:00 发布：
TO: zjp8683463老兄请注意，楼主已指明是单向TVS，，电感的反向电动势能不能烧毁TVS要看电感多大，注意我说的是烧毁，不是击穿哦，电感的反向电动势产生的电流是正向流过TVS管，单向TVS在正向等同二极管，压降只有0.7-1V左右，如果电感够大，过流烧毁TVS当然有可能。接着扯击穿的情况，TVS击穿只要电压高于TVS管阀值就会造成TVS管击穿，跟电压是否是电感产生没什么关系吧，关键是只要能量足够，击穿并烧毁也没什么问题啊。
作者： zjp8683463 于
14:34:00 发布：
munababy“单向TVS在正向等同二极管，压降只有0.7-1V左右，如果电感够大，过流烧毁TVS当然有可能。”------------------------------------------------------------&&即使是正相导通，被烧毁也要看能量，这样的电路中的电感的能量还不至于烧掉TVS，象这样的二极管都可以用来当续流二极管都没问题&&TVS被电感之类的反相击穿的可能性更小，放电的瞬态能量对TVS实在太小被烧的可能性就是TVS的反相电压太低，一直工作在击穿状态
作者： lihuanjie 于
15:13:00 发布：
我的看法小可认为:1.TVS应该放在电感后面,这样也可以吸收电感的反向电动势;&&&&&&&&&2.TVS烧坏看看它的功率是多少,现在一般是600W.&&&&&&&&&3.能否把压敏电阻放在电感之后,TVS之前.&&&&&&&&&4.也就是楼上说的保险丝放在最前面.&&&&&&&&大家以为呢?TVS是怎么坏的,是因为打静电还是浪涌?我一直很怀疑瞬态器件对静电的保护作用.&&&&&
作者： haienwang 于
1:31:00 发布：
小弟，学习到了各位的精彩答复。&
作者： munababy 于
12:31:00 发布：
zjp8683463老兄说的有理，我没查电路中那个TVS管的型号，今天我特意查了下，是个5V的TVS选值确实有问题，5V的供电选5V的TVS确实是有欠考虑。而让TVS管长时间工作在反向击穿状态确实可能就是导致烧毁的原因。多谢zjp8683463兄提醒。
作者： kebi216 于
15:43:00 发布：
谢谢各位！五一节回家，一直没有上网，谢谢大家的回复！多谢！第2个电路图 ，经常烧毁，综合大家意见：一种是电感引起，一种是TVS选择对第1个电路图，再请多发表意见！谢谢了！
作者： ak007 于
0:01:00 发布：
晕到看了 半天TVS管是什么东西都不知道了？
讨论内容：
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【应用】超低电容TVS阵列实现CVBS端口的静电和浪涌保护
【摘要】超低负载电容高浪涌保护具有降低信号衰减和提高雷击抗扰度，因此是工程师优选选择的CVBS端口静电防护器件。二极管TVS阵列采用SOT-23小型表面贴装，具有2pF超低的负载电容，可将1GbE接口的信号衰减程度降至最低，雷击抗扰度大幅提高到40A（tP=8/20μs）。该器件提供高达±30kV（接触放电）和超过了IECESD标准的ESD最高保护水平。CVBS中文名字叫复合同步视频广播信号或复合视频消隐和同步，是美国国家电视标准委员会（NTSC）电视信号的传统图像数据传输方法，它以模拟波形来传输数据。对于CVBS端口的应用，因为用户在使用中过程中经常性热插拔，会导致板上的芯片非常容易受静电影响，因此非常有必要对端口加上防止损坏芯片。静电防护是10/100/1000以太网、广域网/局域网设备、测试和测量设备、交换系统、仪表、音频/视频输入等各种CVBS端口应用的主要防护类型。因为超低负载电容高浪涌ESD保护TVS阵列具有降低信号衰减和提高雷击抗扰度，所以工程师在为上述高速传输数据的CVBS端口选择静电防护器件时，会优先选择超低电容高浪涌ESD保护TVS阵列。本篇给大家介绍的是基于二极管阵列ESD放电二极管SLVU2.8HTG的静电防护。
图1：SLVU2.8HTG内部结构图
图2：SLVU2.8HTG简易应用图
SLVU2.8HTG二极管TVS阵列采用SOT-23小型表面贴装。瞬态抑制二级管由特制的P-N半导体结组成，可提供。PN结通常覆膜，以防在非导电状态下过早出现电压弧闪。出现瞬态电压时，瞬态抑制二级管开始导电，并通过雪崩效应钳制瞬态电压。SLVU2.8HTG具有更低的负载电容（2pF），可将1GbE接口的信号衰减程度降至最低水平，同时还大幅提高1GbE接口的雷击抗扰度，达到40A（tP =8/20?s）。此外,该器件超过了IECESD标准的ESD最高保护水平，可提供高达±30kV（接触放电）的保护，能够帮助制造商制造出满足GR-1089（NA）、ITU K.20/21（欧洲）和YD/T（中国）等标准要求的CVBS端口。SLVU2.8HTG超低电容TVS阵列在高浪涌ESD保护中的主要特性与优势总结如下：1）ESD、IEC、±30kV接触放电/±30kV空气放电；*ESD保护水平远远超过了IEC标准的最高保护水平（±8kV）
2）雷击、IEC、40A（tP=8/20μs）*高级雷击保护有助于满足符合法规标准的设计要求
3）每个I/O仅2pF（典型值）*低电容能够将信号衰减程度降至最低水平，特别是针对1GbE界面的应用
4）超低的动态电阻仅约0.4Ω*ESD静电二极管低导通电压和动态电阻提供了超低箝位电压
-Rev: 1-A-061016
-Rev: 1-A-062316
-Revised: 09/20/16
-Revised: 02/24/16
-Revised: 12/20/13
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TVS管选型指导
&&1.介绍了TVS分类及工作原理,对TVS管常用参数介绍分析,及选型时对每个参数的考虑因数。
2.介绍了TVS管与MOV和稳压二极管的差异和TVS管的优点。
3.介绍TVS管失效的各种内在和外在因数。
4.介绍了TVS管布局布线指导。
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