0.375-0.35+0.625*0.250在家做蛋糕的简便方法法

分析:观察各加数的特点,运用加法结合律即可进行简便运算.解答:解:0.+0.+0.+0.+0.+0.+0.+0.9375,=(0.5)+(0.125+0.875)+(0.5)+(0.25+0.75)+(0.5)+(0.375+0.625)+(0.5)+0.5,=1+1+1+1+1+1+1+0.5,=7.5;故答案为:7.5.点评:解答此类型的题目时要注意观察算式的特点,灵活地运用一些定律进行巧算.
练习册系列答案
科目:小学数学
(2009?中山市)脱式计算.①②③④⑤.
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请输入姓名
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First-principles study on electronic structure and conductivity of Sn-doped Ga_(1:375)In_(0:625)O_3
【摘要】:The structural properties, band structures and densities of states of Sn-doped Ga1:375In0:625O3 with a Sn atom substituting for the Ga atom or a Sn atom substituting for the In atom are calculated by using the firstprinciples method. The substitution of the Sn atom for the Ga atom in Ga1:375In0:625O3(Ga1:25In0:625Sn0:125O3/has larger lattice parameters and stronger Sn–O ionic bonds than that of the substitutional doping of the Sn atom for the In atom in Ga1:375In0:625O3(Ga1:375In0:5Sn0:125O3/. Results show that the Sn atom is preferentially substituted for the In atom in Sn-doped Ga1:375In0:625O3. Sn-doped Ga1:375In0:625O3 exhibits n-type metallic conductivity,and the impurity bands are mainly provided by the Sn 5s states. The optical band gap of Ga1:375In0:5Sn0:125O3is larger than that of Ga1:25In0:625Sn0:125O3. Ga1:25In0:625Sn0:125O3 has a smaller electron effective mass and a slightly larger mobility. However, Ga1:375In0:5Sn0:125O3 has a larger relative electron number and a slightly higher conductivity.
【作者单位】:
【基金】:
【分类号】:O481
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【参考文献】
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