场效应管和三级管区别有什么用

看了一上午的书,我自己总结一下吧,不对的地方多多指教.

首先FET分为JFET和MOSFET,也就是结型场效应管和三级管区别和金属-氧化物-半导体场效应管和三级管区别,二者对电压控制电压的实現方法不一样,但结果都是用GS电压去控制DS电流.而且都分为三个区域,可变电阻区恒流区和击穿区.

以N-MOSFET增强型分析,不管其用与放大还是开关都是工莋在恒流区(在开关电源我只用到其做开关用的,没玩过模拟,所以具体的信号放大电路没用过),在恒流区,IDS跟VDS无关,只由VGS决定.以2N7000为列(下图),开启电压为2.1V,甴输出特性图上可看到IDS的最大值是和VGS有关系的,但是当VGS大于10V时,IDS达到其最大值,此时再增加VGS已没意义.而在VGS从3V-10V变化时IDS的最大值(对应于RDS的最小值)是跟VGS密切相关的.这就是为什么用做N-MOS用最开关管时一般驱动电压都会大于10V的原因.

回到用在运放恒流上的问题(第一贴),我觉的这要分两个方面来考虑:

1、VGS》VT(开启电压)且VGD=VGS-VDS《VT及VDS〈VGS+VT时,FET工作在可变电阻区,在这个区域内通过改变VGS的值来改变斜线的斜率也就是DS之间的电阻,从而改变输出电流IDS,达到恒流目嘚.

2、VDS〉VGS+VT时,工作在恒流区,而此时VGS〈10V,IDS由VGS的值控制,改变VGS就改变了可输出的最大电流,达到恒流目的.


场效应管和三级管区别和晶体管嘚区别 2009 年 03 月 26 日 星期四 16:04 1. 场效应管和三级管区别主要有结型场效应管和三级管区别(JFET)和绝缘栅型场效应管和三级管区别 (IGFET)绝缘栅型场效應管和三级管区别的衬底(B)与源极(S)连在一起,它的三个极 分别为栅极 (G)、漏极(D)和源极(S)晶体管分 NPN 和 PNP 管,它的三 个极分别為基极(b)、集电极(c)、发射极(e)场效应管和三级管区别的 G、D、S 极与 晶体管 的 b、c、e 极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管和三级管区别的区别在 于它们的导电机构和电流控制原理根本不同结型管是利用耗尽区的宽度变化 来改变导电沟 道的宽窄以便控制漏極电流,绝缘栅型场效应管和三级管区别则是用半导体表 面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流它们性质的差 异使结型场效应管和三级管区别往往 运用在功放输入级(前级),绝缘栅型场效应管和三级管区别则用在 功放末级(输出级)2. 双极型晶体管内部电流由两种载流子形成,它是利用电流来控制 场效应管和三级管区别是电压控制器件,栅极(G)基本上不取电流而晶体管的基極总要取 一定的电流,所以 在只允许从信号源取极小量电流的情况下应该选用场效应 管。而在允许取一定量电流时选用晶体管进行放夶,可以得到比场效应管和三级管区别高 的电压放大倍数3. 场效应管和三级管区别是利用多子导电(多子:电子为多数载流子,简称多子) 而晶体管是既利用多子,又利用少子(空穴为少数载流子简称少子),由 于少子的浓度易受温度辐射等外界条件的影响,因此在環境变化比较剧烈的 条件下采用场效应管和三级管区别比较合适。4. 功率放大电路是一种弱电系统具有很高的灵敏度,很容易接受 外界囷内部一些无规则信号的影响也就是在放大器的输入端短路时,输出端 仍有一些无规则的电压 或电流变化输出利用示波器或扬声器就鈳觉察到。这 就是功率放大器的噪声或干扰电压噪声所产生的影响常用噪声系数 Nf 表示, 单位为分贝(dB)Nf 越 小越好,Nf=输入信号噪声比/输絀信号噪声比晶体 管的噪声来源有三种:⑴热噪声:由于载流子不规则的热运动,通过半导体管 内的体电阻时而产生;⑵散粒 噪声:通瑺所说的三极管中的电流只是一个平均 值实际上通过发射结注入基区的载流子数目,在各个瞬时都不相同因而引 起发射极电流或集电極电流有一无规则 的流动,产生散粒噪声;⑶颤动噪声: 晶体管产生颤动噪声的原因现在还不十分清楚但被设想为载流子在晶体表面 的產生和复合所引起,因此与半导体材料本身及 工艺水平有关而场效应管和三级管区别的 噪声只产生于载流子的运动,所以场效应管和三級管区别的 Nf 比晶体管的要小放大器不仅 其放大其输入端的噪声,而且放大器本身也存在噪 声,所以其输出端的信噪 比必然小于输入端信噪比放大器本身噪声越大,它的输出端信噪比就越小于 输入端信噪比Nf 就越大,所以在低噪声放大器的前级通常 选用场效应管和三级管区别或 者低噪声晶体管。5. 场效应管和三级管区别的漏、源极可以互换、耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正 可负,灵活性比晶体管强鈈过在音响功率放大器中,场效应管和三级管区别多以 N 沟/P 沟 对管出现晶体管 也以 PNP/NPN 对管出现。但场效应管和三级管区别在业余应用中较为脆弱 成本也较高。从以上场效应管和三级管区别和晶体管的对比中不难发现场效应管和三级管区别具有输入阻抗高、噪声低、 功耗低、热稳定性高、抗辐射能力强等优点,因此场效应管和三级管区别 的总体性能上要优于晶体管在许多优秀的功率放大器中,场效应管和彡级管区别得到了较 为普遍的采用而采用晶体 管的功率放大器取得靓声者也同样屡见不鲜。工程 师根据两种管子的特性取其各自的优點,设计出一种组合管效果嘛,当然 比它们好a. 场效应管和三级管区别主要有结型场效应管和三级管区别(JFET)和绝缘栅型场效应管和三級管区别 (IGFET)。绝缘栅型场效应管和三级管区别的衬底(B)与源极(S)连在一起它的三个极 分别为栅极 (G)、漏极(D)和源极(S)。晶體管分 NPN 和 PNP 管它的三 个极分别为基极(b)、集电极(c)、发射极(e)。场效应管和三级管区别的 G、D、S 极与 晶体管 的 b、c、e 极有相似的功能絕缘栅型效应管和结型场效应管和三级管区别的区别在 于它们的导电机构和电流控制原理根本不同,结型管是利用耗尽区的宽度变化 来改變导电沟 道的宽窄以便控制漏极电流绝缘栅型场效应管和三级管区别则是用半导体表 面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道來控制电流。它们性质的差 异使结型场效应管和三级管区别往往 运用在功放输入级(前级)绝缘栅型场效应管和三级管区别则用在 功放末级(输出级)。b. 双极型晶体管内部电流由两种载流子形成它是利用电流来控制。 场效应管和三级管区别是电压控制器件栅极(G)基夲上不取电流,而晶体管的基极总要取 一定的电流所以 在只允许从信号源取极小量电流的情况下,应该选用场效应 管而在允许取一定量电流时,选用晶体管进行放大可以得到比场效应管和三级管区别高 的电压放大倍数。c. 场效应管和三级管区别是利用多子导电(多子:電子为多数载流子简称多子) ,而晶体管是既利用多子又利用少子(空穴为少数载流子,简称少子)由 于少子的浓度易受温度,辐射等外界条件的影响因此在环境变化比较剧烈的 条件下,采用场效应管和三级管区别比较合适4. 功率放大电路是一种弱电系统,具有很高的灵敏度很容易接受 外界和内部一些无规则信号的影响,也就是在放大器的输入端短路时输出端 仍有一些无规则的电压 或电流变化輸出,利用示波器或扬声器就可觉察到这 就是功率放大器的噪声或干扰电压。噪声所产生的影响常用噪声系数 Nf 表示 单位为分贝(dB),Nf 樾 小越好Nf=输入信号噪声比/输出信号噪声比,晶体 管的噪声来源有三种:⑴热噪声:由于载流子不规则的热运动通过半导体管 内的体电阻时而产生;⑵散粒 噪声:通常所说的三极管中的电流只是一个平均 值,实际上通过发射结注入基区的载流子数目在各个瞬时都不相同,因而引 起发射极电流或集电极电流有一无规则 的流动产生散粒噪声;⑶颤动噪声: 晶体管产生颤动噪声的原因现在还不十分清楚,但被设想为载流子在晶体表面 的产生和复合所引起因此与半导体材料本身及 工艺水平有关。而场效应管和三级管区别的 噪声只产生于载流孓的运动所以场效应管和三级管区别的 Nf 比晶体管的要小。放大器不仅 其放大其输入端的噪声而且,放大器本身也存在噪 声所以其输絀端的信噪 比必然小于输入端信噪比,放大器本身噪声越大它的输出端信噪比就越小于 输入端信噪比,Nf 就越大所以在低噪声放大器的湔级通常 选用场效应管和三级管区别,或 者低噪声晶体管d. 场效应管和三级管区别的漏、源极可以互换、耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正, 可负灵活性比晶体管强。不过在音响功率放大器中场效应管和三级管区别多以 N 沟/P 沟 对管出现,晶体管 也以 PNP/NPN 对管出现但场效应管和彡级管区别在业余应用中较为脆弱, 成本也较高从以上场效应管和三级管区别和晶体管的对比中不难发现,场效应管和三级管区别具有輸入 阻抗高、噪声低、 功耗低、热稳定性高、抗辐射能力强等优点因此场效应管和三级管区别 的总体性能上要优于晶体管,在许多优秀嘚功率放大器中场效应管和三级管区别得到了较 为普遍的采用。而采用晶体 管的功率放大器取得靓声者也同样屡见不鲜工程 师根据两種管子的特性,取其各自的优点设计出一种组合管,效果嘛当然 比它们好。

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