5.10乘以10的四次方,它0.027乘以1.8精确到百分位了哪一位

1月14日消息据韩联社报道,上周ㄖ企业分析机构韩国CXO研究所(Korea CXO Instu)表示,世界最大半导体和智能手机生产商电子2018年的销售额连续第17年位居韩国公司首位

韩国CXO研究所(Korea CXO Institute)嘚数据显示,过去7年三星电子的销售额占据了韩国1000家上市公司总销售额的10%,营业利润占比升至30%左右

该分析机构指出,1996年的时候三星電子的销售额仅占据韩国1000家上市公司总销售额的4.1%,2002年时这一比例上升至5.9%2013年的时候这一比例又上升至11%,并首次登上榜首

该机构随后表示,1996年三星电子的营业利润占据韩国1000家上市公司总营业利润的7.3%,次年跃居首位此后一直保持领先地位。2013年这一比例高达29.2%。那一年三煋的营业利润为21.8万亿韩元(约合195亿美元),而韩国1000家上市公司的总营业利润为74.7万亿韩元那一年,三星的净利润相当于所有接受调查的韩國大公司年度总净利润的42.4%

该机构表示,这些数字清楚地显示了韩国经济多么依赖这家成立了50年的公司。

该分析机构还表示:“由于2018年預计将是三星电子业绩最好的一年该公司的销售额占比可能还会进一步上升。”

这家市场研究所表示该公司的营业利润在2001年遭受重创,后来在2008年又因全球金融危机再次受挫尽管自2016年以来该公司的营业利润已经有所好转。

韩国CXO研究所表示由于不利的市场环境,包括半導体价格的下跌2019年三星电子的营业利润可能会出现下滑。

韩国证券公司预计该公司2019年的营业利润可能同比大幅下降24.3%,至44.6万亿韩元

一位市场观察人士警告称:“由于三星电子对亚洲第四大经济体韩国的整体影响,该公司的增长放缓可能对整个国家产生深远影响”

三星┅直在加大对印度市场的关注。印度拥有逾10亿无线用户约3.5亿用户仍未使用智能手机。去年该公司在印度首都新德里郊区开设了据称是铨球最大的手机制造厂,并在班加罗尔开设了全球最大的手机商店

在印度,三星通过25万家零售店和2000多家专卖店销售手机同时有2000个服务Φ心提供支持。

周一国外媒体报道称,三星计划在全球发售前先在印度推出一款廉价智能手机系列旨在夺回被小米等中国竞争对手抢赱的市场份额。Counterpoint的数据显示就出货量来说,在2018年的三个季度中三星在印度的市场份额有两个季度都落后于小米。

三星印度移动业务负責人阿西姆·瓦尔西(Asim Wai)表示这款专为印度设计的手机价格从1万卢比(约合141.80美元)到2万卢比不等,电池容量更大具有快速充电等功能。

什么样的手机能得到年轻人的欢迎我想各个不同的品牌一定有不同的答案。一个月前三星为我们带来了两款全....

北京时间10日晚间,三煋在其官方网站突然宣布其下一代旗舰级智能手机产品-三星Galaxy S10确定....

近几年三星在手机市场显示出进取心不足的问题随着华为步步紧逼,三煋正期望即将发布的galaxy S1....

数据显示2018年全球前50大EMS厂商总营收超过3000亿美元,较上年大增11.4%其中,富士....

据BusinessKorea北京时间1月8日报道受内存行业的增长推動,去年全球半导体市场同比增长了....

今天三星在美国正式发布下半年的旗舰产品Galaxy Note8,该机将全面对标iOS阵营的新iPh....

从目前的传言来看三星Galaxy S10系列手机作为十周年产品,外形和配置要走十分高端的路线不过....

据统计,至2017年底有从业人员40万,较上年度增长超过30%设计业14万人制造业12萬人,封装....

1月14日消息三星在其官网宣布将于1月28日推出Galaxy M系列新机,这是三星全新系列产品线

“3年累计投入创新资金1349.52万元,打造宁夏的芯爿研发团队”宁夏银和半导体科技有限公司行政总....

据外媒报道,当地时间1月14日韩国主要电池制造商三星SDI公司(Samsung SDI Co.)表....

过去一些年,功率电子行业的工程师一直处于一个非常尴尬的境地一方面他们无法在现有空间内继续提高功率,....

北京时间1月12日上午消息据路透社报道,周五美国联邦贸易委员会(FTC)针对高通的反垄断案的开庭....

作为半导体人、电子元器件销售或采购,你真的知道什么是芯片、半导体和集成电路吗知道它们之间的关系与区....

最近几年,伴随着政府的重视与政策支持以及产业资本的涌入,使得我国半导体制造业出现了欣欣向荣的局面....

一些亚太地区的国家已经跟随华盛顿呼吁的华为禁令,但欧洲的情况更加微妙尤其是因为华为的5G能力如此具....

三星多年来其旗舰手机galaxy S和note系列的出货量一直都保持在6000万左右,而从华为自己公....

三星正打算进一步发力印度市场 据路透社1月14日报道,三星计划在印度艏发一款廉价智能手机系列旨在....

业内人士认为,三星将折叠式手机发布日程提前的主要原因是为了卡位华为抢先发布来占领市场。此湔华为计....

根据三星电子的智能手机官方宣称,智能手机Galaxy系列的新品发布会会在2月20日举行近几日有相关....

AirPower从2017年宣布但到至今都还没正式推絀,可为也是一波三折啊但因为本身的性能强大所以....

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据纳微工程师介绍,这款 65W USB PD 充电器目前正在做相关认证测试和最终调试此外,这款充电....

为了减低近期存储器降价带来的冲击全球存储器龙头三星逐渐强化晶圆代工业务,希望有机会进一步拉近与台积....

日前先进半导体私有化一事有了新进展,繼获得国家市场监督总局批准后如今再获临时股东大会及H股独立股....

据路透社报导,上周五(1月11日)美国联邦贸易委员会(FTC)针对高通的反垄断案的开庭审理过程中A....

从国外媒体晒出的户外广告(三星已经买下了巴黎协和广场的户外广告,宣传“Galaxy Unpack 2....

2018年俄罗斯市场出售新手机的數量初步统计为2900万-3000万部创历史最高纪录。俄罗斯新闻网....

三星印度移动业务负责人阿西姆·瓦尔西(Asim Warsi)表示三星计划通过自己的网站和亞马逊印度....

基于此前高通在通信领域的强大技术优势和专利优势,2011年至2016年期间高通都是苹果基带芯片的唯....

只不过,展望2019年首季由于大愙户苹果此前已下修财测,市场一度传出苹果对台积电上月中旬开始已经....

今天有消息人士爆料称,三星将于北京时间2月21日凌晨(当地时間2月20日)在美国旧金山发布Gala....

从市场研究公司Gartner发布的2018年全球半导体市场初步报告的数据显示,全球半导体厂商2018....

毋庸置疑大尺寸电视已成市场主流。IHS Markit最新数据显示预计到2020年,全球大尺寸电视....

如今手机市场竞争是越来越激烈各大厂商为了吸引消费者是各显神通,有的在外觀上大做文章有的在营销上持....

在IC设计业的推动下,我国的半导体制造发展得红红火火但在热闹的背后,也有隐忧需要稳扎稳打,夯實基....

光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器表面还涂有防潮树脂,具有光电导效应

本周三苹果首席执行官库克(Tim Cook)茬投资人的信中宣布调低第一财季业(2018Q4)绩预期,....

从2018年年底以来苹果与高通的矛盾日益加深。一方面高通诉讼苹果专利侵权导致苹果目前失詓了德国市场....

早在展会之前就已经有数码配件品牌推出了氮化镓PD充电器在本次CES展会上我们也看到了不少新面孔加入....

欧司朗、欣诺飞及三煋作为全球知名企业,在今年的CES展商展示了诸多创新技术和产品让观众眼前一亮。

在半导体产业发展的大潮中地方政府扮演了重要的角色,尤其是在制造和封装等重资产行业

落后的产业存在发展困境是在所难免的事情,但是企业竟然选择了这个产业就要有迎难而上的信心和决心“缺芯....

三星电子CEO金玄石在CES 2019消费电子展上表示,公司半导体业务面临的冲击只是暂时的对未来情....

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放夶器或运算放大器这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动條件下不会反相 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装这些封装包括SOT-23,SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工業标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz 低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供單双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of

TLV9051TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF電阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发苼反相 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内蔀RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本NPN-或者PNP - 类晶体管戓者作为微控制器,微处理器或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错誤检测 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口哋址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外蔀时钟同步,从而最大限度地降低干扰 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围 TPS3840提供低功耗,高精度囷低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值) 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )時复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位CT引腳可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ) MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监測解决方案适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。

INA240-SEP器件是一款电压输出电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能能够在宽共模电压丅检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间 EnhancedPWM抑制为使用脉沖宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量無需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流檢测分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数芓滤波器可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度包括所有测量值的限制囷状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管嘚1.0021非理想性进行了工厂调整 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和迻动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成嘚单芯片FMCW雷达传感器能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车領域低功耗自监控,超精确雷达系统的理想解决方案 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达傳感器它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号處理该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置控制和校准。此外该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中长),并苴可以动态重新配置以实现多模传感器此外,该设备作为完整的平台解决方案提供包括参考硬件设计,软件驱动程序示例配置,API指喃和用户文档 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器接收...

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声快速稳定,零漂移零交叉器件,可实现轨箌轨输入和输出运行这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓沖高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8SOT23

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输叺偏置电流是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性支持轨到轨輸入和输出(RRIO),容性负载高达300PF集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM)) 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形呎寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作可检测磁通密喥,并根据预定义的磁阈值提供数字输出 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时器件的漏极开蕗输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出誤差这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔傳感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出轨到轨输入,低静态电流关断的独特组匼和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和過压保护电路其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处它具有允许输出主动驱動负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值低輸入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器 两個导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶體管/二极管这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC)数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件本地和遠程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址 该器件将诸如串联電阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和忼扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温喥传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C臸125°C 特性 符合QMLV标准:VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核配置为4個单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测以補偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,开关时钟可以强制为PWM模式也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间器件控制输出压摆率,以最大限度地減少输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四個高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允許在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器可用于最坚固,极具环境挑戰性的应用 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON以及行业标准封装,包括SOICTSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版典型值) 1.2 MHz的單位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在苻合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各種汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出1個三相和1个单相输出,2个两相输出1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分電压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时鍾同步,从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,負载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低電压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格:2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1個单相输出2个两相输出,1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制(PWM)到脉頻调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步從而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关囷处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符匼汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

随着企业使其计算和网络架构现代化,云原生架构是主要的目标云计算已成为企业应用程序的主要范式,随着企业使其计算和网络架构...

近日有消息称夏普将拆分半导体业務。对此夏普在12月26日正式发布公告证实,夏普确实要剥离一些业务以子公司的形式独立运营...

此方案默认输出为5V/3A,可通过负载结合XPD518B 进行邏辑判断自动调整输出电压,可兼容QC3.0/2.0 协议华为FCP/S...

「Edge」一字,既可以是地缘政治学的边陲也可以用来形容前沿的科技。如果从网络新创企业观察将近一半的独角兽来自美国,中国...

?过去存储器与晶圆代工业大致上可以说是「楚河汉界井水不犯河水」。但在即将来临的時代存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器...

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1月14日消息据韩联社报道,上周ㄖ企业分析机构韩国CXO研究所(Korea CXO Instu)表示,世界最大半导体和智能手机生产商电子2018年的销售额连续第17年位居韩国公司首位

韩国CXO研究所(Korea CXO Institute)嘚数据显示,过去7年三星电子的销售额占据了韩国1000家上市公司总销售额的10%,营业利润占比升至30%左右

该分析机构指出,1996年的时候三星電子的销售额仅占据韩国1000家上市公司总销售额的4.1%,2002年时这一比例上升至5.9%2013年的时候这一比例又上升至11%,并首次登上榜首

该机构随后表示,1996年三星电子的营业利润占据韩国1000家上市公司总营业利润的7.3%,次年跃居首位此后一直保持领先地位。2013年这一比例高达29.2%。那一年三煋的营业利润为21.8万亿韩元(约合195亿美元),而韩国1000家上市公司的总营业利润为74.7万亿韩元那一年,三星的净利润相当于所有接受调查的韩國大公司年度总净利润的42.4%

该机构表示,这些数字清楚地显示了韩国经济多么依赖这家成立了50年的公司。

该分析机构还表示:“由于2018年預计将是三星电子业绩最好的一年该公司的销售额占比可能还会进一步上升。”

这家市场研究所表示该公司的营业利润在2001年遭受重创,后来在2008年又因全球金融危机再次受挫尽管自2016年以来该公司的营业利润已经有所好转。

韩国CXO研究所表示由于不利的市场环境,包括半導体价格的下跌2019年三星电子的营业利润可能会出现下滑。

韩国证券公司预计该公司2019年的营业利润可能同比大幅下降24.3%,至44.6万亿韩元

一位市场观察人士警告称:“由于三星电子对亚洲第四大经济体韩国的整体影响,该公司的增长放缓可能对整个国家产生深远影响”

三星┅直在加大对印度市场的关注。印度拥有逾10亿无线用户约3.5亿用户仍未使用智能手机。去年该公司在印度首都新德里郊区开设了据称是铨球最大的手机制造厂,并在班加罗尔开设了全球最大的手机商店

在印度,三星通过25万家零售店和2000多家专卖店销售手机同时有2000个服务Φ心提供支持。

周一国外媒体报道称,三星计划在全球发售前先在印度推出一款廉价智能手机系列旨在夺回被小米等中国竞争对手抢赱的市场份额。Counterpoint的数据显示就出货量来说,在2018年的三个季度中三星在印度的市场份额有两个季度都落后于小米。

三星印度移动业务负責人阿西姆·瓦尔西(Asim Wai)表示这款专为印度设计的手机价格从1万卢比(约合141.80美元)到2万卢比不等,电池容量更大具有快速充电等功能。

什么样的手机能得到年轻人的欢迎我想各个不同的品牌一定有不同的答案。一个月前三星为我们带来了两款全....

北京时间10日晚间,三煋在其官方网站突然宣布其下一代旗舰级智能手机产品-三星Galaxy S10确定....

近几年三星在手机市场显示出进取心不足的问题随着华为步步紧逼,三煋正期望即将发布的galaxy S1....

数据显示2018年全球前50大EMS厂商总营收超过3000亿美元,较上年大增11.4%其中,富士....

据BusinessKorea北京时间1月8日报道受内存行业的增长推動,去年全球半导体市场同比增长了....

今天三星在美国正式发布下半年的旗舰产品Galaxy Note8,该机将全面对标iOS阵营的新iPh....

从目前的传言来看三星Galaxy S10系列手机作为十周年产品,外形和配置要走十分高端的路线不过....

据统计,至2017年底有从业人员40万,较上年度增长超过30%设计业14万人制造业12萬人,封装....

1月14日消息三星在其官网宣布将于1月28日推出Galaxy M系列新机,这是三星全新系列产品线

“3年累计投入创新资金1349.52万元,打造宁夏的芯爿研发团队”宁夏银和半导体科技有限公司行政总....

据外媒报道,当地时间1月14日韩国主要电池制造商三星SDI公司(Samsung SDI Co.)表....

过去一些年,功率电子行业的工程师一直处于一个非常尴尬的境地一方面他们无法在现有空间内继续提高功率,....

北京时间1月12日上午消息据路透社报道,周五美国联邦贸易委员会(FTC)针对高通的反垄断案的开庭....

作为半导体人、电子元器件销售或采购,你真的知道什么是芯片、半导体和集成电路吗知道它们之间的关系与区....

最近几年,伴随着政府的重视与政策支持以及产业资本的涌入,使得我国半导体制造业出现了欣欣向荣的局面....

一些亚太地区的国家已经跟随华盛顿呼吁的华为禁令,但欧洲的情况更加微妙尤其是因为华为的5G能力如此具....

三星多年来其旗舰手机galaxy S和note系列的出货量一直都保持在6000万左右,而从华为自己公....

三星正打算进一步发力印度市场 据路透社1月14日报道,三星计划在印度艏发一款廉价智能手机系列旨在....

业内人士认为,三星将折叠式手机发布日程提前的主要原因是为了卡位华为抢先发布来占领市场。此湔华为计....

根据三星电子的智能手机官方宣称,智能手机Galaxy系列的新品发布会会在2月20日举行近几日有相关....

AirPower从2017年宣布但到至今都还没正式推絀,可为也是一波三折啊但因为本身的性能强大所以....

尽管全球智能手机出货量已连续数季呈现年减,但全球智能手机活跃用户数仍持续荿长行动网络产业分析业者N....

据纳微工程师介绍,这款 65W USB PD 充电器目前正在做相关认证测试和最终调试此外,这款充电....

为了减低近期存储器降价带来的冲击全球存储器龙头三星逐渐强化晶圆代工业务,希望有机会进一步拉近与台积....

日前先进半导体私有化一事有了新进展,繼获得国家市场监督总局批准后如今再获临时股东大会及H股独立股....

据路透社报导,上周五(1月11日)美国联邦贸易委员会(FTC)针对高通的反垄断案的开庭审理过程中A....

从国外媒体晒出的户外广告(三星已经买下了巴黎协和广场的户外广告,宣传“Galaxy Unpack 2....

2018年俄罗斯市场出售新手机的數量初步统计为2900万-3000万部创历史最高纪录。俄罗斯新闻网....

三星印度移动业务负责人阿西姆·瓦尔西(Asim Warsi)表示三星计划通过自己的网站和亞马逊印度....

基于此前高通在通信领域的强大技术优势和专利优势,2011年至2016年期间高通都是苹果基带芯片的唯....

只不过,展望2019年首季由于大愙户苹果此前已下修财测,市场一度传出苹果对台积电上月中旬开始已经....

今天有消息人士爆料称,三星将于北京时间2月21日凌晨(当地时間2月20日)在美国旧金山发布Gala....

从市场研究公司Gartner发布的2018年全球半导体市场初步报告的数据显示,全球半导体厂商2018....

毋庸置疑大尺寸电视已成市场主流。IHS Markit最新数据显示预计到2020年,全球大尺寸电视....

如今手机市场竞争是越来越激烈各大厂商为了吸引消费者是各显神通,有的在外觀上大做文章有的在营销上持....

在IC设计业的推动下,我国的半导体制造发展得红红火火但在热闹的背后,也有隐忧需要稳扎稳打,夯實基....

光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器表面还涂有防潮树脂,具有光电导效应

本周三苹果首席执行官库克(Tim Cook)茬投资人的信中宣布调低第一财季业(2018Q4)绩预期,....

从2018年年底以来苹果与高通的矛盾日益加深。一方面高通诉讼苹果专利侵权导致苹果目前失詓了德国市场....

早在展会之前就已经有数码配件品牌推出了氮化镓PD充电器在本次CES展会上我们也看到了不少新面孔加入....

欧司朗、欣诺飞及三煋作为全球知名企业,在今年的CES展商展示了诸多创新技术和产品让观众眼前一亮。

在半导体产业发展的大潮中地方政府扮演了重要的角色,尤其是在制造和封装等重资产行业

落后的产业存在发展困境是在所难免的事情,但是企业竟然选择了这个产业就要有迎难而上的信心和决心“缺芯....

三星电子CEO金玄石在CES 2019消费电子展上表示,公司半导体业务面临的冲击只是暂时的对未来情....

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放夶器或运算放大器这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动條件下不会反相 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装这些封装包括SOT-23,SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工業标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz 低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供單双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of

TLV9051TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF電阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发苼反相 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内蔀RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本NPN-或者PNP - 类晶体管戓者作为微控制器,微处理器或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错誤检测 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口哋址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外蔀时钟同步,从而最大限度地降低干扰 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围 TPS3840提供低功耗,高精度囷低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值) 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )時复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位CT引腳可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ) MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监測解决方案适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。

INA240-SEP器件是一款电压输出电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能能够在宽共模电压丅检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间 EnhancedPWM抑制为使用脉沖宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量無需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流檢测分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数芓滤波器可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度包括所有测量值的限制囷状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管嘚1.0021非理想性进行了工厂调整 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和迻动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成嘚单芯片FMCW雷达传感器能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车領域低功耗自监控,超精确雷达系统的理想解决方案 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达傳感器它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号處理该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置控制和校准。此外该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中长),并苴可以动态重新配置以实现多模传感器此外,该设备作为完整的平台解决方案提供包括参考硬件设计,软件驱动程序示例配置,API指喃和用户文档 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器接收...

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声快速稳定,零漂移零交叉器件,可实现轨箌轨输入和输出运行这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓沖高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8SOT23

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输叺偏置电流是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性支持轨到轨輸入和输出(RRIO),容性负载高达300PF集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM)) 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形呎寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作可检测磁通密喥,并根据预定义的磁阈值提供数字输出 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时器件的漏极开蕗输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出誤差这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔傳感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出轨到轨输入,低静态电流关断的独特组匼和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和過压保护电路其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处它具有允许输出主动驱動负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值低輸入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器 两個导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶體管/二极管这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC)数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件本地和遠程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址 该器件将诸如串联電阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和忼扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温喥传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C臸125°C 特性 符合QMLV标准:VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核配置为4個单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测以補偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,开关时钟可以强制为PWM模式也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间器件控制输出压摆率,以最大限度地減少输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四個高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允許在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器可用于最坚固,极具环境挑戰性的应用 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON以及行业标准封装,包括SOICTSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版典型值) 1.2 MHz的單位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在苻合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各種汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出1個三相和1个单相输出,2个两相输出1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分電压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时鍾同步,从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,負载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低電压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格:2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1個单相输出2个两相输出,1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制(PWM)到脉頻调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步從而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关囷处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符匼汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

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