难道STM32F207的内部FLASH不如外接的SPI flash读写速度快？！ - 【stm32/stm8】 - 电子工程世界-论坛
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难道STM32F207的内部FLASH不如外接的SPI flash读写速度快？！
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一粒金砂（中级）, 积分 58, 距离下一级还需 142 积分
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我进行了如下实验，二者是都能正常读写出数据的，操作都是先擦除再写入数据，我对内部flash是按着16K擦除的，对外部flash是按照64k擦除的，结果：内部FLASH读写的时候机器明显很卡，把功能移到外部SPI接口的FLASH之后发现程序就不卡了，难道说外部的FLASH比内部的还快，不太可能吧，这个有没有个参考值或者参数什么的？ 难道ST的东西真的这么挫吗？
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不是flash擦除慢,是内部flash影响cpu运行而外部不影响.
感谢斑竹在此解答！在其他论坛上有人回答说操作内部FLASH的时候CPU挂起的，就是不明就里，可否深入指点一二？&
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不是flash擦除慢,是内部flash影响cpu运行而外部不影响.
感谢斑竹在此解答！在其他论坛上有人回答说操作内部FLASH的时候CPU挂起的，就是不明就里，可否深入指点一二？为什么外部的就不影响而内部影响？
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flash的访问有独立的硬件电路控制,对flash编程不像写RAM那么简单.外部flash这套控制电路在芯片上所以和cpu没关系,顶多就是有个延时而已.
你可以上电初始化时把可能要写的区域擦掉,ram里开个缓冲区必要时候再写入,一次写入量越大影响就越小了.
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flash擦写是有寿命的10万次左右,如果你总是擦写会把它写坏的.
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一粒金砂（中级）, 积分 58, 距离下一级还需 142 积分
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找到了相关的参数（如图）并且进行了实验。确实按字擦除的时候，硬件跟踪发现207擦除一个16K的扇区需要200ms,而另一103的资料说擦除1K大小的页是40ms.二者相差最少5倍。
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/*******************************************************************************flash的写函数：输入： u32 StartAddr flash起始地址u32 *p_data 待写入数据指针u32 size 写入数据的数量输出： 0：正确执行
非0：出错注意：输入数据一定是u32 的指针，即数据一定是按照4字节对齐写入的。所以：size也是u32的个数（字节数的4分之一）*******************************************************************************/u8 flash_write(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size){ volatile FLASH_Status FLASHS u32 EndAddr=StartAddr+size*4; vu32 NbrOfPage = 0; u32 EraseCounter = 0x0, Address = 0x0;int MemoryProgramStatus=1;//为一是通过FLASH_Unlock();
//解锁函数NbrOfPage=((EndAddr-StartAddr)>>10)+1; //有多少个页被擦除 //清除所有已有标志FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);//擦页FLASHStatus=FLASH_COMPLETE;for(EraseCounter=0;(EraseCounter<NbrOfPage)&&(FLASHStatus==FLASH_COMPLETE);EraseCounter++){
FLASHStatus=FLASH_ErasePage(StartAddr+(PageSize*EraseCounter)); }//开始写数据Address = StartAi=0;while((Address<EndAddr)&&(FLASHStatus==FLASH_COMPLETE)) { FLASHStatus=FLASH_ProgramWord(Address,p_data[i++]);Address=Address+4;}//检验数据是否出错Address = StartAi=0;while((Address < EndAddr) && (MemoryProgramStatus != 0)){ if((*(vu32*) Address) != p_data[i++]){
MemoryProgramStatus = 0;return 1;}Address += 4;}return 0;}int flash_read(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size){u32 EndAddr=StartAddr+size*4;int MemoryProgramStatus=1;u32 Address = 0x0;int i=0;Address = StartAwhile((Address < EndAddr) && (MemoryProgramStatus != 0)){p_data[i++]=(*(vu32*) Address);Address += 4; }return 0; }注：需在stm32f10x_conf.h中先定义#define _FLASH_PROG
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STM32F103系列内部Flash读写程序_计算机软件及应用_IT/计算机_专业资料。实现了stm32内部剩余flash空间的读写操作,需要对stm32单片机有一定了解 ...STM32读写内部FLASH程序_电子/电路_工程科技_专业资料。利用stm32内部FLASH存储数据,可实现掉电保存的功能,简化外部电路 /*** flash的写函数:输入: u32 StartAdd...STMF系列内部Flash读写程序_计算机硬件及网络_IT/计算机_专业资料。STMF系列内部...WriteFlashOneWord(uint32_t WriteAddress,uint32_t WriteData) { FLASH_...STM32读写内部FLASH的函数程序_计算机软件及应用_IT/计算机_专业资料。STM32操作内部FLASH的读写函数,可将FLASH作为数据区,用于存储各种参数。注意在编译器中设定...读写STM32 内部 flash 读写代码分类: 单片机 stm32
06:16 10343 人阅读 评论(2) 收藏 举报 flashfunctionbyte 编程存储 io 由于老师的要求, ...STM32F103系列内部Flash读写程序_计算机硬件及网络_IT/计算机_专业资料。STM32F103系列内部Flash读写程序 /*** *Function: STM32F103系列内部Flash读写操作 *Author...参数 eeprom it ▼ 分类: 安防,监控 因为要用内部 FLASH 代替外部 EEPROM,把参数放在 STM32 的 0xK 处,其中 20K 是 bootloader,300K 是应用程序...21ic官方微信-->
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求 STM32F0内部flash读写例程 ！
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求 STM32F0内部flash读写例程 ！
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读没啥好说的，关心擦写吧。
这个手册上都讲得详细了，先FLASH开锁，
The main Flash memory programming sequence in standard mode is as follows:
1.Check th ...
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读没啥好说的，关心擦写吧。
这个手册上都讲得详细了，先FLASH开锁，
The main Flash memory programming sequence in standard mode is as follows:
1.Check that no main Flash memory operation is ongoing by checking the BSY bit in the FLASH_SR register.
2. Set the PG bit in the FLASH_CR register.
3. Perform the data write (half-word) at the desired address.
4. Wait until the BSY bit is reset in the FLASH_SR register.
5. Check the EOP flag in the FLASH_SR register (it is set when the programming operation has succeeded), and then clear it by software.
另外，官方固件库flash目录下有例程参考。
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读没啥好说的，关心擦写吧。
这个手册上都讲得详细了，先FLASH开锁，
The main Flash memory programming s ...
谢谢大侠 ！
固件库 有例程，已找到！
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评估板上都有相关的例程可以参考的。
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