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问答题简答题对于1.33MeV的γ射线，HPGe探测器的典型能量分辨率是多少（以keV为单位）？
最好可以达到1.3keV，常见的是1.75MeV左右
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是。因为HPGe探测器所用的Ge材料杂质浓度很小，仅为1010原子/cm3；
2.问答题 因为Si材料的掺杂浓度无法做得很小，因此同样反向电压下，结区的厚度不大，仅为mm量级。虽然可以通过提高反向电压来增大厚度，但......3.问答题
增大灵敏体积，减小结电容（电容噪声小）；
坏处是反向电流会增大；
反向电压有一个最优值，此时能量分辨率最好。
它们之间是平方和关系碲锌镉像素阵列核探测器及其电子学设计
碲锌镉(CdZnTe,CZT)核辐射探测器是一种新型三元化合物半导体探测器,具有能量分辨率高、本征探测效率好、禁带宽度大、电阻率高、体积小、重量轻、可在室温下使用等优点,可广泛应用于X、γ射线成像装置中,在国防、天体物理研究、环境监测、医疗成像等领域有着广阔的应用前景。CZT探测器近年来倍受人们的关注,已成为世界各国研究的前沿热点。本文分析和总结了近年来国内外研究学者在CZT核辐射探测技术领域的最新进展,对CZT像素阵列核辐射探测成像系统进行了研究,主要研究工作如下:①以CZT像素阵列核辐射探测器为研究对象,分析了工作原理及其CZT晶体的特性,讨论了CZT像素阵列核辐射探测成像系统组成。②针对CZT像素阵列核辐射探测器输出信号特点设计读出电路。讨论了CZT像素阵列核探测器件用电荷灵敏前置放大器的参数指标,研究分析了电荷灵敏前置放大器对核脉冲信号的响应特性,确定了成像系统的电荷灵敏前置放大器。进一步根据电荷灵敏前置放大器输出信号的&
(本文共66页)
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1引言随着惯性约束聚变(ICF)研究的发展,聚变产生辐射能量越来越高。而“神光-II”和“神光-III”原型装置的使用,使得10~1 000 keV范围硬X射线及伽玛射线探测技术的研究变得十分紧迫[1]。CdZnTe(CZT)常温核辐射探测器是继NaI、CsI和HPGe探测器后新一代核辐射探测器,在高能核物理、重离子物理、原子分子物理和天体物理等相关研究领域中起着重要作用[2]。与传统平面电极CZT探测器相比,具有单极敏感特性的面元像素阵列CZT探测器具有更高的探测效率和能量分辨率[3,4]。近年相关研究机构已经针对面元像素阵列CZT探测器进行了大量研究[5~8],但是面元像素CZT探测器的制备通常*E-mail:czt.采用工艺成本高、结构复杂的模拟信号后处理电路、存在堆积信号易丢失和探测计数不足等缺点。因此,探索信号处理过程更为简单直接的阵列探测系统制备技术具有重要实际意义。本文根据CZT面元像素探...&
(本文共6页)
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有机电致发光显示器(简称OLED)由于具有高清晰度、高亮度、低功耗、响应速度快、主动发光、无视角限制等优点,又能制作成薄而轻的柔软型显示器,在商业上具有非常好的应用前景。自1987年C.W.Tang和S.A.VanSklkye首次研制成功以来,OLED器件制作技术和工艺水平不断提高,从低容量的单色静态矩阵显示发展到动态全彩色显示,分辨率已达到SVGA水平。微制造技术的发展为提高OLED的分辨率和制作精度带来了很大的突破,但是如何提高并稳定OLED发光性能、实现大面积稳定均匀制作、确保低的生产成本等,仍是OLED生产与应用推广的关键所在[1~4]。1 OLED像素点阵的一般制作方法一般而言,OLED的每个像素都是由阳极、有机发光材料层和金属阴极构成,OLED的像素点阵是采用阳极为列、阴极为行来集成的。阳极通常为淀积在玻璃衬底上的ITO膜,可采用标准的光刻工艺来使ITO膜成型为列,然后将有机发光材料通过真空蒸发到ITO膜上形成有机发...&
(本文共6页)
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l引言大型图像的表达式和存储一直是图像处理和图像在网络中传输的重要研究课题．随着并行机的发展，人们开始越来越多地关注并行图像的处理问题．不同类型的空间数据已用来表示任意区域、点阵、图形的收集等．像素树已经广泛地应用在区域数据的表示．这些像素树是基干递归分解方法，把空间分解成不相邻的区域，直到达到某种特定的分解值．对于一个2”XZ”像素阵列，图像就有n层分解．现在，我们有两种方法来表示像素树：第一种方法是压缩指针编码，它是通过树中的节点间产生指针的方法来实现的；第二种方法是线性压缩表示法，它又分为两种：树码表示（如S树）和叶码表示（如FD位置代码）．FD线性编码形式和S树是两种有效的存储方法．它们的编码和结构是以像素树（如二分树、四分树、八分树）为基础的，像素树已被广泛的应用于区域数据的表示．图像的四分树（或二分树）表示法就是将2”XZ”的图像分成4个（或2个）不同小区域，然后，小区域又类似的分别分成小区域直到小区域中颜色相同为止...&
(本文共8页)
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1引言基于CdZnTe(CZT)晶体的核辐射探测器具有轻便的体积、高的探测效率、无极化效应和优良的抗辐射性能,有利于获得较高的能量分辨率[1]。CZT晶体易于加工成像素阵列,CZT像素阵列探测器的研究已经成为热点[2～9],研究方向主要集中在改进工艺、提高电极收集效率等方面,采用CZT探测器成像的研究鲜有报道。CZT晶体内部缺陷的不均匀分布,引起表面电极载流子收集效率降低,特别是迁移寿命积较低的空穴不能完全收集,形成低能拖尾,降低能量分辨率,制约了探测器性能,这也是影响成像效果的主要因素之一。此外,由于CZT探测器输出信号微弱,探测系统必须采用高性能的电荷灵敏放大器、线性放大器和快速成形等相关电路进行处理[10],才能得到信噪比高的信号,以获得较高的能量分辨率和较好的成像质量。对于单块像素晶体,边缘像素的性能往往较中心像素差。而大面积CZT探测器由多块像素晶体阵列组合而成,各晶体间边缘像素在成像时的缺陷就会更明显。用于测试的4个...&
(本文共5页)
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随着核技术的发展，核材料的应用范围也在扩大。高能量的核辐射对人体会产生巨大的伤害，为尽量避免这种情况，非常有必要对核辐射进行探测。CZT探测器是新型常温半导体探测器，较之传统的探测器，它具有探测效率高、探测范围广、能量分辨率好、常温工作等优点，因而被广泛应用于核辐射的探测。本课题针对CZT核辐射像素阵列探测器探测的微弱电荷信号，基于GPDK0.18μm，电源电压1.8V工艺模型，对其CMOS模拟读出电路以及A/D转换器进行了设计，为CZT核辐射像素阵列探测器的单芯片集成打下了基础。首先，针对CZT探测器的输出信号特点设计了一个电荷灵敏型前置运算放大器，该放大器的功能是将CZT探测器的电荷型输出信号转换为电压信号。鉴于电荷灵敏型前置放大电路所提取的电压信号非常微弱，接着设计了两级反相比例运算放大器将微弱的电压信号进行线性放大以降低对后续处理电路的性能要求，为照顾前置放大电路的负载，第一级的放大倍数为2比第二级的放大倍数小。然后设计...&
(本文共84页)
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传真：010-　　学科：岩矿分析与鉴定
　　词目：能量色散X射线荧光分析仪
　　英文：energy dispersive X-ray fluores- analyzer(EDXRF)
　　释文：利用探测器能量分辨本领（如：）对X射线进行能量甄别，而无需的X射线荧光光谱分析仪器。早期能量色散X射线分析仪的探测器，使用闪烁或正比计数器，它们的能量分辨率分别为30%～70%和20%～50%，若与X射线平衡滤光片配合使用，总能量分辨率可达10%左右。而当代的能量色散X射线分析仪，使用的半导体探测器的能量分辨率可达2%～5%。此种仪器的优点：①多元素同时测量；②探测效率高；③体积小。缺点：①半导体探测器要液氮冷却；②总能量分辨率低；③计数率低。
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碲锌镉阵列探测器的研究及进展
作者单位：
中国科学院紫金山天文台 暗物质与空间天文研究室 南京 210008
母体文献：
第十届海峡两岸空间/太空科学研讨会论文集
会议名称：
第十届海峡两岸空间/太空科学研讨会
会议时间：
会议地点：
主办单位：
中国空间科学学会
在线出版日期：
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Si -PIN 核辐射半导体探测器性能测量研究
为解决金硅面垒半导体探测器存在的漏电流较大、表面不可擦拭、受环境影响严重、使用稳定性较差等缺点，开展性能更优异的Si-PIN核辐射探测器研究具有十分重要的意义，可推动α、n、裂变碎片能谱测量等技术进步。论文介绍了离子注入与平面工艺相结合制作Si-PIN探测器的方法，对灵敏面积为20 mm ×20 mm的Si-PIN探测器主要开展了I-V、C-V电学特性参数测量研究，开展了Si-PIN探测器对226 Ra源α粒子的能量分辨率、能量线性响应研究工作。当反向偏压为2043 pF时，探测器全耗尽时的漏电流为40 nA、结电容为43 pF，对α粒子的最佳能量分辨率为0．68％，探测器线性响应良好。
Abstract：
To solve the problems of large leakage current ,incapableness of wiping the surface ,severely affected by the environment ,poor stability and other shortcomings existed in the Au -Si-surface barrier semiconductor detectors ,it is of great significance to carry out a research on Si -PIN ( Positive-Intrinsic-Negative ) detec-tors with excellent performance ,which can promote technological progress in the fields of α,n,fission fragments spectroscopy measurements .This paper describes a method of ion implantation technology combined with flat production to fabricate Si -PIN detectors .For the Si-PIN detector with sensitive area of 20 mm ×20 mm,we mainly carried out I -V, C-V electrical characteristic parameter measurements and the energy resolution as well as energy linear response study of αparticle from 226 Ra source.The detector is fully depleted at 20V bias, the leakage current is 40nA,the capacitance is 43pF,the best energy resolution of αparticle is 0.68%,and meanwhile the detector has a good linear response .
LI Ming-fu
JIN Chang-Jiang
JIANG Yong
作者单位：
成都航空职业技术学院航空电子工程系,成都,610100
中国工程物理研究院中子物理重点实验室,绵阳,621900
年，卷(期)：
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机标分类号：
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