HfO2 考研能带计算器吗求助

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-03-02 09:46 标签： vasp hse计算能带
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Si掺杂立方HfO2的电子结构和光学性质的第一性原理计算
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Si掺杂立方HfO2的电子结构和光学性质的第一性原理计算
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Si掺杂立方HfO2的电子结构及光学性质.计算结果表明,掺杂后立方HfO2的电子结构发生了变化,费米面进入了杂质带,同时由态密度图可知掺杂能级的形成主要是Si的3p轨道的贡献.经带隙校正后,计算了Si掺杂立方HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括吸收光谱、复介电函数、复折射率、反射光谱、损失函数及复光电导谱.结果表明,由于掺杂能级的出现,导致了立方HfO2吸收带边的红移.
LIU Qi-jun
LIU Zheng-tang
FENG Li-ping
作者单位：
西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072
年，卷(期)：
机标分类号：
在线出版日期：
基金项目：
航空科学基金，哈尔滨工业大学校科研和教改项目，西北工业大学基础研究基金
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