硅v型槽硅片刻蚀厂家到底后为什么不再发生硅片刻蚀厂家了

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-01-06 05:09 标签： 晶硅刻蚀工艺
【图文】湿法刻蚀_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
评价文档：
上传于||文档简介
&&天​津​理​工​大​学​超​大​规​模​集​成​电​路​刻​蚀​部​分​p​p​t
大小：519.63KB
登录百度文库，专享文档复制特权，财富值每天免费拿！
你可能喜欢您所在位置： &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
实验3-采用湿法刻蚀技术制作硅微V型槽.doc5页
本文档一共被下载：
次 ,您可全文免费在线阅读后下载本文档。
文档加载中...广告还剩秒
需要金币：150 &&
实验3-采用湿法刻蚀技术制作硅微V型槽.doc
你可能关注的文档：
··········
··········
微机电系统课程实验之三
采用湿法刻蚀技术制作微V型槽
《微机电系统》课程组
电子科技机械电子工程学院
实验名称：采用湿法刻蚀技术制作硅微V形槽
理解硅湿法刻蚀加工原理；掌握硅晶体晶向对湿法刻蚀过程、最终形成结构形状的影响规律；
理解微加工工艺流程；通过运用硅湿法刻蚀加工装置、完成其腐蚀实验过程，培养对微加工过程的具体感性认识；
学习微结构测试、分析的相关知识。
选择适当硅片，在其上表面上刻蚀平行V型槽阵列，用于某MEMS组装结构。周期350微米，槽宽205微米。槽数量3~5个。
硅湿法刻蚀加工原理
硅是各向异性材料，因此对硅的不同晶面将有不同的腐蚀速率，基于这种腐蚀特性，可以在硅衬底上加工出各种不同的微细结构，例如我们将要加工的V型槽。腐蚀剂可分为两类：一类是有机腐蚀剂，例如EPW（乙二胺，邻苯二酸和水按一定比例配成）、联胺；另一类是无机腐蚀剂，例如KOH、NaOH、LiOH、CsOH、NH4OH等等。由于有机腐蚀剂排放的气体有毒，所以我们将考虑采用氢氧化钾溶液作为腐蚀剂。其腐蚀的反应式为： （2-1）
在有乙丙醇（（CH3）2CHOH，缩写为IPA）参与的情况下，其反应式为： （2-2） （2-3）
即首先将硅氧化成含水的硅化物。 （2-4）
由上述反应式可知，KOH首先将Si氧化成含水的硅化合物，然后与IPA反应，形成可溶解的硅络合物，这种络合物不断离开硅的表面。
湿法刻蚀加工中的各向异性与V型槽的形成
110 100 111
硅晶体的晶面
硅的湿法腐蚀速率与硅晶体的晶面方向有关，这是由硅晶体的各向异性特性得到的。正是硅晶体有此特性，才能制作出各种微细结构。
硅晶体中存在多个晶面，其中较
正在加载中，请稍后...ICP刻蚀4H-SiC栅槽工艺研究 - 真空技术网
ICP刻蚀4H-SiC栅槽工艺研究
来源:真空技术网（）电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室　作者:户金豹
　　为避免金属掩膜易引起的微掩膜，本文采用SiO2介质作为掩膜，SF6/O2/Ar作为刻蚀气体，利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对4H-SiC trench MOSFET栅槽刻蚀工艺进行了研究。本文详细研究了ICP刻蚀的不同工艺数对刻蚀速率、刻蚀选择比以及刻蚀形貌的影响。实验结果表明：SiC刻蚀速率随着ICP功率和RF偏压功率的增大而增加；随着气体压强的增大刻蚀选择比降低；而随着氧气含量的提高，不仅刻蚀选择比增大，而且能够有效地消除微沟槽效应。刻蚀栅槽形貌和表面粗糙度分别通过扫描电子显微镜和原子力显微镜进行表征，获得了优化的栅槽结构，RMS表面粗糙度&0.4nm。
　　由于SiC具有宽禁带(2.3～3.3eV)、高临界击穿电场(3&106 V/cm)、高饱和电子漂移速度(2&107 cm/s)、高热导率(4.9 W/(cm& K))等优点，使得SiC材料在制备大功率、高温、高频、抗辐射的半导体器件等方面具有极其广泛的应用。
　　然而，SiC材料硬度高、化学性质稳定，难以通过湿法腐蚀形成各种结构，目前只能采用干法刻蚀的方法。对于SiC槽栅结构器件如UMOSFET、Trench Gate IGBT以及SiC MEMS器件等三维结构器件，刻蚀形貌、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物等均对SiC器件的研制及性能有很大的影响。目前刻蚀SiC最常用的气体是F基气体，如CF4、SF6，本次实验采用了SF6/O2/Ar作为刻蚀气体。由于采用金属做掩膜，容易在刻蚀过程中金属簇会溅射到SiC表面，而金属刻蚀速率远小于SiC刻蚀速率，从而导致微掩的形成，为了消除微掩膜效应以及残留金属的污染，本实验采用了高陡直的SiO2介质作为刻蚀掩膜，通过扫描电镜(SEM)观测和原子力显微镜(AFM)观测发现刻蚀表面很光滑，实验中RMS表面粗糙度为0.36nm，未出现微掩膜；通过调节刻蚀参数，可以实现高刻蚀选择比的SiC刻蚀。
　　在SiC的刻蚀工艺中，如何消除&微沟槽&是该工艺中的难点，微沟槽指在临近侧壁的底部形成的V形凹槽，它主要是由于该处刻蚀速率增强造成的；微沟槽的存在会导致器件的电场集中，降低器件的稳定性和可靠性，本文对微沟槽消除方法进行了探究，最终获得了高刻蚀速率、高陡直性、高刻蚀选择比、无微沟槽且底脚圆滑的栅槽刻蚀工艺条件。
　　1、实验步骤
　　本实验采用4H-SiC衬底作为刻蚀材料，经常规清洗后，(PECVD)生长2&m厚SiO2作为SiC刻蚀的硬掩膜，之后LPCVD生长100nm非晶硅，此非晶硅作为刻蚀SiO2的掩膜，刻蚀图形为宽度3&m 长条形区域。对非晶硅和SiO2的刻蚀分别利用Lam Research 公司的Rainbow 4420和Rainbow 4520，对SiC的刻蚀采用德国Sentech公司的SI500系列ICP刻蚀机。为了研究不同刻蚀参数对SiC刻蚀速率、刻蚀选择比、微沟槽的消除的影响，选用了如下的刻蚀条件：ICP功率变化范围为400～800 W，偏压功率为30～200W，刻蚀压强为0.2～2Pa，通过改变O2的流速使得O2含量变化范围为10%～50%来研究氧气含量对刻蚀效果的影响。通过SEMS-5500观测刻蚀形貌和刻蚀深度，利用AFM 分析了样品刻蚀的表面粗糙度的变化情况。
　　3、结论
　　为避免金属掩膜易引起的微掩膜，本文采用SiO2作为掩膜，详细研究了不同工艺参数包括ICP功率、RF偏压功率、压强、氧气含量等对SiC槽栅区域的刻蚀速率、SiC与SiO2的刻蚀选择比、刻蚀形貌的影响。研究结果表明可通过调节ICP功率和RF功率优化SiC刻蚀速率，可通过调节压强和O2含量调节刻蚀选择比，重点研究了消除微沟槽的方法。最终获得了高刻蚀速率，高陡直性，高刻蚀选择比，无微沟槽且底脚圆滑的优化刻蚀工艺条件。在ICP功率为800 W，RF功率为100 W，反应室压强为0.4Pa，SF6/O2/Ar流量为15/45/30的刻蚀条件下，刻蚀陡直性好，底部平整，无微沟槽且底脚圆滑的刻蚀效果，刻蚀速率约500nm/min。本文对高质量SiC栅槽工艺及各种栅槽结构SiC器件的研发具有一定借鉴意义。
　　为真空技术网首发，转载请以链接形式标明本文首发网址。
　　与 真空应用 感应耦合等离子体 相关的文章请阅读：硅-石英器件 | MEMS定制加工，微纳加工及传感器研发-苏州原位- | 苏州原位芯片科技有限责任公司
技术部王先生138-.cn研发部马先生139-.cn
更多精彩关注微信公众号
定期更新前沿技术文章助您发表高水平工作
　　公司通过石英、玻璃的刻蚀、激光打孔技术可以实现纳米级到通孔的结构制作。
　　V-groove是一种V型光纤夹具，定位精度为0.5um。可以实现光纤在X,Y,Z三个维度的高精度定位。
　　体硅腐蚀技术使用深硅刻蚀工艺、各项同性湿法腐蚀和各项异性湿法腐蚀工艺加工不同的三维微纳结构。
　　可实现的结构包括：V型槽、薄片、通道、桥、悬臂梁、柱子、通孔等结构。
　　制作硅光栅的微细加工工艺可分为体硅工艺和面硅工艺,这些微细加工方法在技术上与微电子及微机械工艺可以兼容。
　　光栅的图形包括直线型、圆形等等。
　　微针美容是一种很时尚的美容方法。它是利用微针滚轮上许多微小的针头，刺激皮肤，在很短时间内微针可以做出超过200，000个微细管道，微针美容能令活性成分有效渗入皮肤，配以祛皱、美白、修复、祛疤痕等特效产品，从而达到减淡皱纹、治疗疤痕及…& 硅基V型槽
优质相似产品
手机访问展示厅
手机查看产品信息
订货量（台）
价格（元/台）
供货总量：
四川省/成都市
自买家付款之日起7天内发货
付款方式：
您的询盘篮内信息已满0条！
达到信息添加上限
已成功添加到询盘篮！
您的询盘篮中共有0家公司的0个产品
四川 MaRS光电
适用范围：
　光学传感器连接和反馈；
检测仪器仪表
光纤通讯，光纤传感
& & & MaRS硅基V型槽专为高性能光子器件设计。这种采用高精度硅蚀刻工艺制造的V型槽阵列可实现单接口和多组接口光纤的精确对准。缓冲区可提供额外的强度和刚度，以避免处理过程中光纤断裂。金属化处理的芯片可用于实现与金属化光纤直接焊接的工艺，满足了高端应用设计中对无胶固化工艺的要求。
& & & 标准规格4、8、16、32通道或客户自定义的多种规格V型槽光纤阵列；
　　高精度V型槽采用Si刻蚀工艺制成；
　　适用于直径为125/250μm的单模、多模和保偏光纤，更多规格可根据客户要求定制；
　　V型槽间隔标准为127μm 和250μm，或根据客户要求定制；
　　可选表面金属镀膜；
　　设计符合Telcordia标准。
& & &集成光学器件尾纤封装工艺；
　　平面光波导（PLC）连接；
　　密集波分复用（DWDM）多通道模块连接；
　　光学传感器连接和反馈；
　　有源器件阵列连接；
　　光学微机电系统（MEMS）器件间连接。
& 通道间隔
& 芯片长度
& 芯片宽度
& 芯片厚度
MTT-SVG-4-250-8.15-2.5-1
MTT-SVG-8-127-10-2.8-1
MTT-SVG-8-250-8.15-3.2-1
MTT-SVG-16-127-12-3.2-1
MTT-SVG-32-127-12-5.7-1
MTT-SVG-64-127-12-10-1
您可能感兴趣的产品
与“硅基V型槽”相关的产品信息
您当前访问的产品需要授权才能查看，请尝试用密码访问或索取密码。

我要回帖

更多关于 晶硅刻蚀工艺 的文章

 

随机推荐