IRFZ44N MOS管简单电路的一个奇怪现象请教各位。|创意DIY - 数码之家
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[attachment=1731469] 自学模电，学到场效应管的章节，自己搭了个简单的电路。按照教材上的说法，Ugs&Utn,mos管才导通的，但是我发现一个奇怪的现象：G脚悬空的时候或者是我用手指头轻轻碰下，马达就疯狂的转了（跟直接搭在5v电源上的转数差不多）。这是为什么？还有就是我看到IRFZ44N的datasheet上的元件图标，比教材上的多了个二极管（D脚和S脚之间），这又是为什么呢？初学者，见笑了
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mos管是电压控制的，其阻抗太大，所以感应电就足以开启它，所以G脚悬空或手触摸它，等同给了个启动电压，二极管是保护用的。
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楼上说得对，在实际应用中，MOS管的ＧS间一定要并一个电阻，
原来是这样啊。但是很奇怪，我将G直接搭到5v，结果马达转速变的很慢了。我的理解是G端接的电压越高马达转速应该越快，但是接了5V的电压，反而比我直接用手接触还慢，这样我就理解不了了。再解释下，呵呵
那个二极管是寄生二极管，MOS制造时就存在的。
引用第3楼benzee于 10:55发表的 回 1楼(落叶风) 的帖子 :原来是这样啊。但是很奇怪，我将G直接搭到5v，结果马达转速变的很慢了。我的理解是G端接的电压越高马达转速应该越快，但是接了5V的电压，反而比我直接用手接触还慢，这样我就理解不了了。再解释下，呵呵[表情]&&MOS是电压控制的，GS电压越高，MOS导通程度越高。转速慢是因为这个电路接法不对，用NMOS应当将电机接在电源正极和D极之间，而不是电源负极和S极之间。
因为就按你画出的电路图，在G极接到这电路的+5V时，D、S间的电阻就变小，S的电位就上升，Vgs就少于5V了……Vgs减少Rds就上升
只要你能保证VGS=5V，这个MOSFET就能导通了。提示：在你这个电路中，G极直接接到电源正极，马达工作时VGS不是5V，不信你测测。马达疯狂的转是因为MOSFET导通了。MOSFET的输入阻抗很高，而且G—S间呈容性，意味着你轻轻的一摸，感应、静电放电等使“Ugs&Utn”满足（一般摸不坏，但存在损坏MOSFET的风险），而且VGS在你撤掉手指之后还能保持，因此MOSFET持续导通。这个型号的MOSFET标称RDS(on)=17.5mΩ，即在VGS=10V时它的D-S之间等效一个17.5mΩ的电阻，马达怎能不转？
一点也不奇怪的问题，V-MOS管是绝缘栅极。你手指（人体）所带的电荷（电动势）也许远远高于V-MOS管的起始导通电压，一般的增强型场管的起始导通电压是4V，也就是G/S之间有4V的电压（电动势）就可以使管子的D/S开始导通，这个电压超过7V，管子就进入饱和，这时就是我们所说的内阻最小了。RFZ44是绝缘栅极型场效应管，因此你释放到栅极上的电荷会很长时间都积累在栅极上，管子完全导通（内阻最小），你用5V电压来驱动一只电动机和串联的一只很小的电阻（管子的导通内阻）电机当然看不出转速的微小差别了。上面提到了，功率场效应管饱和需要7V的栅极电压，你将栅极接到5V电路上，管子就不能完全导通（内阻大），所以才会出现电机速度反而不如栅极悬空时来的快。一是换个10V左右的电源看看，二是单独提高栅极的控制电压。百度一下管子的测试条件和参数你就不难发现问题的所在了。楼上几位也可以做个试验，看看是不是我所说的原因。
什么叫寄生二极管，您发明的？那是专门制造在内部的阻尼二极管，就是因为场效应管多用于高频、高压电路，为了防止逆程反峰电压倒灌损坏器件而特设的保护装置。大电流高反压的双极型三极管很多也有这个装置，不是您说的像蛔虫一样的寄生物。我曾经测试过几十万只这种器件，还有不少大功率的模块，里面的场管组合除了阻尼二极管还有均流均压电阻呢。
引用第8楼bnty于 00:25发表的&&:一点也不奇怪的问题，V-MOS管是绝缘栅极。你手指（人体）所带的电荷（电动势）也许远远高于V-MOS管的起始导通电压，一般的增强型场管的起始导通电压是4V，也就是G/S之间有4V的电压（电动势）就可以使管子的D/S开始导通，这个电压超过7V，管子就进入饱和，这时就是我们所说的内阻最小了。RFZ44是绝缘栅极型场效应管，因此你释放到栅极上的电荷会很长时间都积累在栅极上，管子完全导通（内阻最小），你用5V电压来驱动一只电动机和串联的一只很小的电阻（管子的导通内阻）电机当然看不出转速的微小差别了。上面提到了，功率场效应管饱和需要7V的栅极电压，你将栅极接到5V电路上，管子就不能完全导通（内阻大），所以才会出现电机速度反而不如栅极悬空时来的快。一是换个10V左右的电源看看，二是单独提高栅极的控制电压。百度一下管子的测试条件和参数你就不难发现问题的所在了。楼上几位也可以做个试验，看看是不是我所说的原因。 仅仅换10V电压MOSFET也是不能完全导通的，高位驱动需要给栅极升压，否则无法完全导通。这个电路正常的接法应该是电机接到电源正极那一侧，用NMOS低位驱动。
引用第9楼bnty于 00:39发表的 回 4楼(benli) 的帖子 :什么叫寄生二极管，您发明的？那是专门制造在内部的阻尼二极管，就是因为场效应管多用于高频、高压电路，为了防止逆程反峰电压倒灌损坏器件而特设的保护装置。大电流高反压的双极型三极管很多也有这个装置，不是您说的像蛔虫一样的寄生物。我曾经测试过几十万只这种器件，还有不少大功率的模块，里面的场管组合除了阻尼二极管还有均流均压电阻呢。 MOSFET在工艺上是会产生寄生二极管的，也就是即使不人为设计一个反向的阻尼二极管，MOSFET的工艺结构也会在SD极之间产生一个等效二极管，这就是寄生二极管。正是由于寄生二极管的存在，本来理论上SD极可以互换但是它导致SD实际上不能互换。
引用第10楼hongo于 11:16发表的&&:仅仅换10V电压MOSFET也是不能完全导通的，高位驱动需要给栅极升压，否则无法完全导通。这个电路正常的接法应该是电机接到电源正极那一侧，用NMOS低位驱动。 IRFZ44N良好导通不需要这么高的栅极电压。逻辑电平的MOSFET只需要3V就能很好导通了。
引用第11楼hongo于 11:20发表的 Re:回 4楼(benli) 的帖子 :MOSFET在工艺上是会产生寄生二极管的，也就是即使不人为设计一个反向的阻尼二极管，MOSFET的工艺结构也会在SD极之间产生一个等效二极管，这就是寄生二极管。正是由于寄生二极管的存在，本来理论上SD极可以互换但是它导致SD实际上不能互换。 看了一下《开关电源入门》和Wikipedia，看到VMOS的结构设计决定了它会有寄生二极管。设计成有寄生二极管的结构的目的应该就是《开》中说的对寄生JFET使导通电阻增大的优化。Wikipedia的图。可以看出，这样连接使D极和S极不对称，不能互换。VMOS相当于这种结构。=740) window.open('http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/05/MOSFET_functioning_body.svg/220px-MOSFET_functioning_body.svg.png');" style="max-width:740" onload="if(is_ie6&&this.offsetWidth>740)this.width=740;" >=740) window.open('http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/9f/Power_mos_cell_layout.svg/200px-Power_mos_cell_layout.svg.png');" style="max-width:740" onload="if(is_ie6&&this.offsetWidth>740)this.width=740;" >一个专利中的图片，转自=740) window.open('/-display.jpg');" style="max-width:740" onload="if(is_ie6&&this.offsetWidth>740)this.width=740;" >如果是这样的，就能互换了：（图片来自Wikipedia）=740) window.open('http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/a/a5/MOSFET_Structure.png/220px-MOSFET_Structure.png');" style="max-width:740" onload="if(is_ie6&&this.offsetWidth>740)this.width=740;" >
从来也没有听到哪个专家或厂家有过这种说法，既然是寄生的，那就无法控制这寄生二极管的各项参数。如果不能控制这寄生二极管的参数，那么生产出来的成品管子是不是就会离散性无限的大？道听途说或想当然说法是会误人子弟的！22年前我曾一次性测试过十几万只这种器件（国半军品代码9404相当于IRF541，用于上海火车站的大型LED显示屏驱动），其参数的离散性微乎其微，您能解释一下吗？百度了一下，也就只有一些“业余大师”创造出来这种说法而已，找到一篇帖子，您可以看看再发言
如果叫寄生二极管的说法不准确，那就叫体二极管（Body Diode）好了。我发的图都没人看吗？=740) window.open('http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/05/MOSFET_functioning_body.svg/220px-MOSFET_functioning_body.svg.png');" style="max-width:740" onload="if(is_ie6&&this.offsetWidth>740)this.width=740;" >这样连接不就出现了体二极管吗？至于为什么要这样请看我之前的回复。一般的体二极管反向恢复速度不够快。
贴Wikipedia的英文It can be seen in figure 1 that the source metallization connects both the N+ and P implantations, although the operating principle of the MOSFET only requires the source to be connected to the N+ zone. However, if it were, this would result in a floating P zone between the N-doped source and drain, which is equivalent to a NPN transistor with a non-connected base. Under certain conditions (under high drain current, when the on-state drain to source voltage is in the order of some volts), this parasitic NPN transistor would be triggered, making the MOSFET uncontrollable. The connection of the P implantation to the source metallization shorts the base of the parasitic transistor to its emitter (the source of the MOSFET) and thus prevents spurious latching. This solution, however, creates a diode between the drain (cathode) and the source (anode) of the MOSFET, making it able to block current in only one direction. Wikipedia说避免寄生三极管影响（《开关电源入门》上说避免寄生JFET影响，不知哪个是对的），为了避免寄生管影响，短接了寄生NPN的be结，而这样做又让体二极管产生。
看来你也没有真正地测试过这种管子,你可以任意找一只增强型MOS管，查一下它的测试条件和输出参数，除了日立公司生产的音频场管以外，其他任意场管是不是4V开启，7V左右就基本完全导通。工作电压10V，那么栅极的电压就极有可能达到7V而可以使管子处于基本全导通状态，除非人为地用上下电阻分压使栅极电压高于4V低于7V则管子处于半导通状态。
引用第17楼bnty于 14:11发表的 回 10楼(hongo) 的帖子 :看来你也没有真正地测试过这种管子,你可以任意找一只增强型MOS管，查一下它的测试条件和输出参数，除了日立公司生产的音频场管以外，其他任意场管是不是4V开启，7V左右就基本完全导通。工作电压10V，那么栅极的电压就极有可能达到7V而可以使管子处于基本全导通状态，除非人为地用上下电阻分压使栅极电压高于4V低于7V则管子处于半导通状态。
我测试过MOSFET。我的原帖子是说LZ这个型号的MOS不需要10V那么高的导通电压。一般的只要5V以上就可以了。而逻辑电平的只需要3V就可以了。 哎。床底下的废旧P3主板上就有：FDB7030L（自称是Logic Level 的）这是个逻辑电平的MOS[attachment=1748643]
我不停的编辑，可能你会漏掉我编辑的部分。
TPC8007[attachment=1748704]
你这是自己在抽自己的耳光，你的图表里描述的3.5-6V是加载在栅极阶梯电压，垂直（Y轴）上升的是输出电流值，水平（X轴）显示的是Vds（压降）。此图表显示此管Vgs=3.5V时开始导通，但此时的输出电流小而压降很大，由此而推算出的内阻也较大。随着栅极阶梯电压的升高，源漏（D/S)之间的压降逐渐减小，这个区间我们称之为放大区，当Vgs超过7V后甚至到10V，输出的电流（斜线）都不再变化，我们称之为饱和区。因此我才会告诉楼主Vgs要大于7V管子的内阻才能最小，我说的没错吧？不知道你是真懂还是假懂，就用你的原图来回答你的问题，就是你说的用逻辑电平来触发场管，那也要有适当的钳位电路作为辅助来保证可靠的开启和关断，不信你就找一张图纸来研究研究。记得前一个回帖我提到过日立的音频场管如K1058、J162，只有这种管子的起始导通电压较低（约2V左右）并且放大区段比较宽阔，适合做线性放大电路。你可以找一下这方面的介绍看一看，请看明白了以后再来发表言论。[attachment=1749658]
引用第14楼bnty于 13:42发表的 回 11楼(hongo) 的帖子 :从来也没有听到哪个专家或厂家有过这种说法，既然是寄生的，那就无法控制这寄生二极管的各项参数。如果不能控制这寄生二极管的参数，那么生产出来的成品管子是不是就会离散性无限的大？道听途说或想当然说法是会误人子弟的！22年前我曾一次性测试过十几万只这种器件（国半军品代码9404相当于IRF541，用于上海火车站的大型LED显示屏驱动），其参数的离散性微乎其微，您能解释一下吗？百度了一下，也就只有一些“业余大师”创造出来这种说法而已，找到一篇帖子，您可以看看再发言/topic/602746 寄生二极管这种说法在专业书里面也有提到的。寄生和参数稳定两者并不矛盾，因为寄生二极管的参数也是取决于形成它的半导体材料的几何结构尺寸和参杂浓度等，只要几何结构尺寸和参杂浓度是确定的，它的参数当然也就是确定的。在半导体器件生产过程中任何一部分的几何结构尺寸和参杂浓度当然是严格控制，非常一致的，这是品质控制最基本的要求。寄生二极管这个概念的来源就是最初并未主动设计这个二极管，由于功率MOSFET器件结构会自然存在这个二极管，所以是个天生的或者寄生的。当然，由于这个二极管在功率MOSFET的实际典型应用中这个二极管有反向续流作用，是个很好的附加效应，因此在大多数现代的功率MOSFET器件的设计中都会考虑到优化这个二极管，所以这个二极管就不再完全是“寄生”的天然的了，而是人工设计的一部分。但是寄生二极管这个概念流传很广，所以现在仍被广泛称为寄生二极管，这主要是从其渊源上说的。
引用第17楼bnty于 14:11发表的 回 10楼(hongo) 的帖子 :看来你也没有真正地测试过这种管子,你可以任意找一只增强型MOS管，查一下它的测试条件和输出参数，除了日立公司生产的音频场管以外，其他任意场管是不是4V开启，7V左右就基本完全导通。工作电压10V，那么栅极的电压就极有可能达到7V而可以使管子处于基本全导通状态，除非人为地用上下电阻分压使栅极电压高于4V低于7V则管子处于半导通状态。 这个和管子的开启电压没有太大的关系，否则在H桥电路中高位驱动只要挑选合适的管子就行了，不用自举或者加电源。这里的关键是电机的工作阻抗远远大于MOS管的开启内阻，所以MOS管一旦全部开启，那么无论是5V还是12V或者更高的供电电压，电机上得到的都是绝大部分供电电压，MOS管的DS之间的电压非常小，所以S的电压会非常接近电源正极电压，而G极是电源正极电压，因此G和S之间的电压是非常小的，连4V都不可能达到，这种情况下MOS管的完全开启显然无法维持，结果就是MOS管开启下降，DS内阻增大，电机上的分压下降，到一定程度GS电压升高，MOS管的开启变大，DS内阻减小，自动达到一个平衡状态。根据上述分析，这个平衡状态一定是MOS管非完全开启的。如果电机是个稳压二级管、电池或者其他的恒压元件，那么楼主的电路中提高供电电压是可以让MOS管完全开启的，可惜电机不是恒压元件，它两端的电压没有限制，你提高供电电压，电机两端的电压就会升高，MOS管开启后其GS电压总是很小，导致不能完全开启。
你说的是对的。我也没说3V的时候良好导通呀。VGS当然是取较高值时导通内阻小；厂家标称的RDS(ON)一般都是在10V的电压下的。
LZ对不起——————扯远了。
您可真能犟。看看人家楼主是如何描述他所遇到的现象吧。我是根据他遇到的现象再加上我自己测试几十万只此类管子才得出这样的结论。不信你就找一台图示仪或稳压电源搭建一电路，测试一下就明白了。我之所以让楼主提高电压到10V，就是考虑到了电机两端的压降，以及启动时因电流较大而使电源电压跌落的因素。因此类管子有一定的离散性，所以测试手册上的结果都是以Vgs=10V测出的内阻值为标准，但只要是质量稳定的此类管子在图示仪上测试时，只要栅极加载的阶梯电压达到7V以上，同等输出电流所对应的压降就不再改变。越扯越远了，真的怀疑你是否实际操作过没有？到此打住吧。
朋友们，你们有没有碰到过这个问题，就是在加了MOS管的前级驱动时，在G极电压高于6.7V时，MOS管会不受控，而且呢值一直处于导通状态。这个现象可以解释指点一下不！谢谢各位了，
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一个mos管做开关切一个电路，上电闭合后导致开关电源保护
如题，我用一个开关电源【输出18V 1A】给我的板子供电，板子采用底板+插板的方式，底板耗电18V150mA，插板耗电18V40mA。
底板上有单片机，底板上电后，检测硬件，参数正常后才给插板上电，插板的电压是5V，由底板直接给，但是5v由底板的单片机控制着。
现在的现象是：只有底板，系统工作正常，当把插板插入后，开关电源一直开、关、开、关，处于保护状态，即只要底板给插板上电，电源就自我保护了。
& && && && && && && &如果底板不控制插板的电源，即5V直接给插板，不再控制，系统上电、工作正常了。
现在怀疑是开关电路这里有问题，但是找不到哪里错误了，谁能帮分析下呢。
附：如果用稳压电源给板子供电，有插板系统也正常工作，说明：插板电源切换部分可以正常切。
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应该是你的 500mA 的负载有很大的启动电流！
有电流探头话，应该是量一下，应该是楼上说的问题。
解决方案：在R1两端并联一个瓷片电容。
5V_INPUT那里加个电解，容量大点的
发图就走，不解释
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R10并电容或R1并电容或5Vin并电容或+5V减小电容或默认上电打开MOS需要时再关闭，或者换个功率大的开关电源
应该是过载了吧
楼主检查下Q1的原理图封装和PCB封装是否有问题
应该是你的 500mA 的负载有很大的启动电流！
嗯，它的瞬间电流很大，负载是FPGA，
应该是过载了吧
就是瞬间过载，电源保护了
奇怪的是一起上电怎么没有问题呢
楼主检查下Q1的原理图封装和PCB封装是否有问题
已查，没有问题
有电流探头话，应该是量一下，应该是楼上说的问题。
解决方案：在R1两端并联一个瓷片电容。 ...
好的，等会试下并多大就好用了
5V_INPUT那里加个电解，容量大点的
R10并电容或R1并电容或5Vin并电容或+5V减小电容或默认上电打开MOS需要时再关闭，或者换个功率大的开关电源 ...
上电打开，后再关，这个方法好像不错，我等会试试
看电路形式，你该用PMOS做高端开关吧。NMOS的VGS受负载电压反馈了
看电路形式，你该用PMOS做高端开关吧。NMOS的VGS受负载电压反馈了
我用的就是Pmos
发图就走，不解释
不行，还是起不来
5V_INPUT那里加个电解，容量大点的
刚试了，输入端并联了1000uF的铝电解电容，还是不行
mos后面的5V上面总共有多大容值的电容并在上面？会不会是电源接通的瞬间，由于电容呈短路特性，导致的瞬间过流
R10并电容或R1并电容或5Vin并电容或+5V减小电容或默认上电打开MOS需要时再关闭，或者换个功率大的开关电源 ...
默认上电给插板供电，软件做不行，必须用硬件做才可以
但是打开、关闭后，再开启时开关电源又自我保护了
开关电源不能更换，这个是别认的设备提供给我的。
mos后面的5V上面总共有多大容值的电容并在上面？会不会是电源接通的瞬间，由于电容呈短路特性，导致的瞬间 ...
5V后有6个22uF+2个33uF的钽电解电容
上次试过，把6个电容都去掉还是不行
问题的关键是：为什么底板和插板一起上电就没有任何问题呢？
默认上电给插板供电，软件做不行，必须用硬件做才可以
但是打开、关闭后，再开启时开关电源又自我保护了 ...
那你就检查一下子板上电容有多大吧，这问题肯定是MOS导通瞬间给电容充电，电流过大导致
也可以在母版上多加几个电容补充瞬时电流。
负载瞬间过载 PMOS换一个试试&&感觉现象跟逻辑优点奇怪
那你就检查一下子板上电容有多大吧，这问题肯定是MOS导通瞬间给电容充电，电流过大导致
也可以在母版上多 ...
在18V输入那里加470uF的电容就可以。
但是电容太大，不能加。问题是底板和插板一起上电怎么没事呢
程序改改，能用PWM启动的一般都用PWM启动。
那你就检查一下子板上电容有多大吧，这问题肯定是MOS导通瞬间给电容充电，电流过大导致
也可以在母版上多 ...
刚测了下：插板耗电136mA @5V
插板上电时瞬时耗电比正常时多耗电40mA
程序改改，能用PWM启动的一般都用PWM启动。
IO控制那里用PWM启动？
关注....................
负载瞬间过载 PMOS换一个试试&&感觉现象跟逻辑优点奇怪
换过几个MOS了，效果一样
可能上电瞬间单片机的电源不稳意外重启了导致io信号发生变化
刚测了下：插板耗电136mA @5V
插板上电时瞬时耗电比正常时多耗电40mA
检查插板电容有多大了吗？插板是否还控制其它设备？有无测过总电流？
IO控制那里用PWM启动？
#pragma& & & & vector=System(TM1,VECTOR)
__interrupt void System_Tm1_Interrupt(void)
& & & & System(TM1,RESET);
& & & & lamp.rate++;
& & & & if(lamp.rate&LAMP_RATE)
& & & & & & & & lamp.rate=0;
& & & & if(lamp.rate&lamp.next)
& & & & & & & & Pin(LAMP,OUT_1);
& & & & else
& & & & & & & & Pin(LAMP,OUT_0);
& & & & loop_fan.rate++;
& & & & if(loop_fan.rate&LOOP_FAN_RATE)
& & & & & & & & loop_fan.rate=0;
& & & & if(loop_fan.rate&loop_fan.next)
& & & & & & & & Pin(LOOP_FAN,OUT_1);
& & & & else
& & & & & & & & Pin(LOOP_FAN,OUT_0);
if(b_clock)
& & & & & & & & if(lamp.next&lamp.value)
& & & & & & & & {
& & & & & & & & & & & & lamp.next++;
& & & & & & & & }
& & & & & & & & else if(lamp.next&lamp.value)
& & & & & & & & {
& & & & & & & & & & & & lamp.next--;
& & & & & & & & }
& & & & & & & & if(loop_fan.next&loop_fan.value)
& & & & & & & & {
& & & & & & & & & & & & loop_fan.next++;
& & & & & & & & }
& & & & & & & & else if(loop_fan.next&loop_fan.value)
& & & & & & & & {
& & & & & & & & & & & & loop_fan.next--;
& & & & & & & & }
可能上电瞬间单片机的电源不稳意外重启了导致io信号发生变化
io控制信号正常，在上电4.5ms后，开关电源保护，系统没电了
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检查插板电容有多大了吗？插板是否还控制其它设备？有无测过总电流？
嗯，插板上主要是一个FPGA，它和底板的MCU间有30根IO直连，这里也有一部分电流，但是还是很小的
一起上电怎么就没有这个问题呢
#pragma& & & & vector=System(TM1,VECTOR)
__interrupt void System_Tm1_Interrupt(void)
明天有机会试下PWM
我用stm32f407，你这个程序是那个上的？
嗯，插板上主要是一个FPGA，它和底板的MCU间有30根IO直连，这里也有一部分电流，但是还是很小的
一起上 ...
一起上电的话，输出电压有个上升的过程，后级的电容会慢慢充电，电容的瞬间上电短路的特性不会在开关电源输出稳定时体现出来，
然而一旦使用MOS控制之后，开关电源输出稳定，但是MOS接通瞬间，电容特性使得瞬间电流较大，开关电源保护，当然这都是猜测（按说第一次上电时，电容被充电，第二次再上电应该不会过流才对？？）
建议你把并在mos管后面的10uf以上的大电容全部拆掉试试
MOS管的G极电流有多少？会不会GS击穿或者封装弄错了
不要用MOS管来做负载开关，你直接买个专用的负载开关芯片就搞定了
5V的负载开关芯片很多 很便宜。18V的就没有多少了，很贵
我说说我实际的工作经验，仅供参考。
如果一个STM32和其他STM32 IO 连在一起，只给一个上电不给另一个上电，两个会有一个IO烧掉。不知道FPGA会有类似的情况没
STM32和其他集成芯片连在一起，如果要断其他芯片的电，最好是用他自带的使能脚，而不是切断电源，直接切断或打开对电源电压影响很大。我自己做的一个项目里，切断电源不成功会导致3.3V用示波器看是奇怪的波形。
我猜如果单纯切断FPGA的晶振，应该也是接近断电效果的。
为什么不换一个功率大点的电源
为什么不换一个功率大点的电源
这个电源是别的设备给的，我们要兼容他们的，所以不能换的
MOS管的G极电流有多少？会不会GS击穿或者封装弄错了
封装没有错的，这个接法在底板中好几处都用了，都正常
5V的负载开关芯片很多 很便宜。18V的就没有多少了，很贵
我也看过负载开关，它是用2个mos做的，G极有TVS，导通内阻比3401小一点
其他再没有发现负载开关有什么优势或明显的区别了。。
等会再找不到问题就上负载开关试试
我说说我实际的工作经验，仅供参考。
如果一个STM32和其他STM32 IO 连在一起，只给一个上电不给另一个上电 ...
坏IO的情况我这里到没有
就是stm32和fpga相连接的IO不初始化成相应状态的话系统电流会增大
稍后我排除下是否是IO引起的
我也看过负载开关，它是用2个mos做的，G极有TVS，导通内阻比3401小一点
其他再没有发现负载开关有什么优 ...
无语，我把我的经验完全告诉你 你都不信
IC公司做的负载开关芯片 不是简单的2个MOS管 能做到缓慢上电和限流，你用MOS管搭一个试试。
无语，我把我的经验完全告诉你 你都不信
IC公司做的负载开关芯片 不是简单的2个MOS管 能做到缓慢 ...
呵呵，正在焊接负载开关
刚才做了实验1：只把插板的电源脚、控制脚和底板相连，上电后效果和以前一样。证明：FPGA和底板MCU连接的IO没有影响开关电源，确实是插板上电瞬间电流太大，导致开关电源保护了。
实验2：给插板的5V线上串联一个2欧姆的电阻，系统竟然正常的上电工作了。
无语，我把我的经验完全告诉你 你都不信
IC公司做的负载开关芯片 不是简单的2个MOS管 能做到缓慢 ...
刚才把楼主位的图的地方改为了负载开关：FDC6329L，使用效果和以前一样，一样的复位保护，无法启动
刚才把楼主位的图的地方改为了负载开关：FDC6329L，使用效果和以前一样，一样的复位保护，无法启动 ...
这个IC耐压只有8V，你用在18V上是不对的
这个IC耐压只有8V，你用在18V上是不对的
ls看错啦，我切的是5V
大家都说是你接入的板子瞬间启动电流太大了
那你看看你的开关电源能否带的起这么大的瞬态电流，不行的话DC-DC前端电容要加大，先并个2200uF~4700uF的试试看有没有改善
大家都说是你接入的板子瞬间启动电流太大了
那你看看你的开关电源能否带的起这么大的瞬态电流，不行的话DC- ...
这个电路需要做成本安的，不能要那么大的电容的。且电源是其他设备给的，不能换。
现在在5V那里串了一个2欧姆的电阻，暂时可以解决问题了
阿莫电子论坛, 原"中国电子开发网"