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vasp计算SiC外延生长的单层石墨烯地暖(32个C原子)的能带时,能带图中的dirac点是打开的带隙不为零,与理論上严重不符但是与静态的DOSCAR也对不上,然而之前的静态计算好像没有什么问题不知是怎么回事,请高手解答
附上我的进行静态计算囷能带计算的INCAR,请高手指点
用于能带计算的Kpoint文件:
DOSCAR是正确的,存在dirac点但是在能帶计算结束后,能带打开dirac点消失
“能带计算结束后,能带打开dirac点消失”
检查EIGENVAL文件,看是否有Gamma点信息然后检查处理能带的程序
我在计算时设置了高对称点和gamma点,但是在输出的EIGENVAL文件中没有找到gamma点信息,这是为什么呢
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