fab 介质刻蚀 为什么湖南不用icpp

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&&集成电路工艺之刻蚀工艺
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刻蚀术语.xls6页
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Selectivity
Uniformity
Stopping layer
Micro-masking
Resist reticulation
Aspect ratio
Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE
Resolution
Depth of focus
Critical dimensions-CD
Chemical etching
Anisotropic
Micro Loading
Undercutte
Physical etching
Spacer etch
纵横比决定刻蚀
反应离子刻蚀
各向同性刻蚀
各向异性刻蚀
刻蚀后镜检
接触口刻蚀
电感耦合等离子
氧化膜刻蚀缓冲溶液
腐前胶剖面
将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程
利用等离子体刻蚀
描述刻蚀快慢的参数
不同材料蚀刻速率的比值。
相对平均值的变化,常在描述蚀刻速率,CD和淀积物厚度时使用。
器件结构横截面的形状和倾斜度。
停止层,通常通过终点控制。
刻蚀前与刻蚀后条宽的差值
在平均膜厚完全蚀刻掉以后的额外蚀刻。补偿蚀刻速率和膜厚的不均匀性。
系指被蚀刻材料,在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留
在蚀刻和平版印刷过程中无意留下的物质。
由于微粒,薄膜掺杂以及残留物产生的无意留下的掩膜
温度超过150摄氏度时光刻胶产生的燃烧和折皱。
器件结构横截面深度和宽度的比率
蚀刻速率依赖于可蚀刻表面数量,可在宏观或微观尺寸下。
刻蚀面积大的区域刻蚀
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> 02政策专项“给力”国内半导体企业
02政策专项“给力”国内半导体企业
  02专项的实施,对国内半导体材料企业尤其是设备企业来说,具有历史性的意义,因为半导体设备的研发所需资金数额巨大,若完全由国内企业自己承担,恐怕难以承受其重。02重大专项的实施,不仅表明国家支持半导体支撑业的决心,而且在资金上更是给了国内企业&真金白银&的支持。本文引用地址:
  通过承担国家02专项,国内半导体设备和材料企业的核心研发能力、产业化能力和产业协调能力得到了较大的提升。在02专项的实施过程中,设备制造企业与用户工艺实现了紧密结合,促使设备研制与制造围绕大生产需求。北方微电子的65nm硅刻蚀机已经完成中芯国际生产线的全部工艺考核和认证,各项技术参数均达到国际主流设备水平,65nm~45nm铜(物理气相沉积)设备也依照项目计划节点进行工艺测试。中科信承担的90nm~65nm大角度离子注入机于2010年10月进入中芯国际北京公司FAB至今,已完成基于90nm工艺器件的匹配测试、90nm商用器件小批量测试,WAT(晶片允收测试)测试数据达到中芯要求,现正处于65nm工艺器件匹配测试阶段,即将进行该制程的器件小批量工艺测试。中微公司已经开发出12英寸能加工65纳米到40纳米的等离子体刻蚀设备,并正在亚洲领先的芯片生产线上核准加工28纳米的芯片,比原来的计划超前了两代。中微的介质刻蚀设备已被10家亚洲芯片厂商的生产线接受,已经在5条生产线上生产出150多万片合格的芯片。可以说,国内生产的集成电路设备终于在产业化的路上迈出了坚实的一步。
  尽管国内半导体设备和材料企业的核心竞争能力实现了新的突破,但要具有和已经发展了几十年、而且拥有尖端技术和市场人脉的国外知名半导体设备厂商同台竞争的实力,对于国内设备厂商来说,还不是一朝一夕能够实现得了的。要想提高国产设备的竞争力,必须以产业化为目的实现设备的国产化,一方面要优先使用国内零部件,大力扶持国内零部件制造商,完善供应链;另一方面还应重视产学研用的结合,坚持以企业为主体,以产业化为目标,积极推动与多家大学和研究所的资源整合。
  当然,国家有关部门应当进一步完善国家重大专项的实施。比如,在项目审查过程中,除了专家参与,还应该吸收在国际半导体业界具有经验的人士特别是市场和财务方面的人员参加,促使02专项不仅在技术上取得突破,在产品和市场上也同样能够取得突破。比如,应当尽量减少&撒胡椒面&式的支持,集中力量办大事,重点扶持能够取得突破的项目,力争未来5~10年能够打造出世界一流的半导体生产和支撑企业。
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