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光耦著名型号及高速光耦技术普及
[摘要]在通讯电路设计中，光耦是经常见到的。大部分的光耦都是低速光耦，最著名的当然是TLP521-1，PC817、814等也是经常使用的光耦。TL
在通讯电路设计中，光耦是经常见到的。大部分的光耦都是低速光耦，最著名的当然是TLP521-1，PC817、814等也是经常使用的光耦。TLP521-1可以用到；限流电阻是1K；上拉电阻是1K。
高速光耦最著名也最便宜的是6N137，6N137可以到10M；但是6N137需要按照datasheet来接它的外部电路才能达到10M的速度；6N137的内部和典型电路。
6N137的内部结构
6N137的测试电路 6N137的使用注意点：
1、高速光耦的驱动LED的电流要求比较大，LED的压降也比较大，在5V情况下，限流电阻我选择的是680欧姆；
2、上拉电阻需要调整到1K或者更小才能达到10M的速度；（印象记忆中）还有一种特殊的光耦，内部有2个发光管
常见之高速光藕型号
经查大量资料后，总结出目前市场上常见之高速光藕型号：
100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）
10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）
另外，台湾COSMO公司的KP7010在RL选值为300欧左右时，我根据其数据手册所载数值计算，速率可达100Kbit/S，且为6脚封装，比同级的6N138、6N139小巧，价格也较低。
光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (Ctr)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压MICROCOUPLER为高温应用提升功耗性能
MICROCOUPLER为高温应用提升功耗性能
飞兆半导体、Muralitharan Samy、Krishnan Ramdass、Robert Krause
光耦合器是具有绝缘安全性及在输入和输出之间实现电气信号隔离功能的器件，其绝缘和噪声抑制特性来自于采用的机械结构和材料。
光耦合器由一个光源和一个由透明光导管围绕的感光检测器组成，并藏于环氧塑料封装内。光源是红外LED，用来将电流转换为光。感光检测器是一个硅光电二极管，作用是将光转换回电流，然后通过集成的晶体管被放大。光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (Ctr)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。
额定工作温度高达100℃的设计的出现，使业界对热稳定性和低驱动电流的需求飚升。封装技术的进步也在推动光耦合器封装的发展。从DIP (双列直插式) 转至SOP (小型封装) 及MFP (微型扁平封装) 减小了占位面积，提升了光耦合器的热性能。体积的减小也有助于在工作温度范围内增加热存储和稳定性。
飞兆半导体的Microcoupler (FODB100)是无铅表贴光耦合器，提供高达125℃的封装工作温度。随着工作温度的提升，电气性能和稳定性成为重要的课题。面对这些挑战，新的LED材料被选用以便在规定的工作温度范围内提高Ctr稳定性。AlGaAs (铝砷化稼) 红外发光二极管在一定温度范围内较GaAs (砷化稼) 红外发光二极管具有更好的稳定性。AlGaAs LED可于低电流 (最低达500 A) 下工作。更小型的封装和更佳的Ired材料使Microcoupler比传统的光耦合器封装在较高的工作温度范围内具有更加稳定的电气性能。
图1功耗的计算图1所示为MFP封装与Microcoupler在工作温度范围内Ctr性能的比较。Microcoupler在100℃时的标准化Ctr下降率约为20％，而MFP封装则为50％。较小的热体积和较高效率的AlGaAs Ired材料是Microcoupler获得较佳Ctr稳定性的原因。由于该产品在一定温度范围内展现较高的稳定性，因此更易于在高温范围内进行设计。
根据图1的数据，当温度从0℃上升到100℃时，FODB100的Ctr从+8％下降到 20％。最小Ctr（I_{F}=1mA)为100％。当工作10年后，Ctr一般会下降20％。
现在，我们可以算出上述条件下最小的Ctr：
最小 (Ctr在100℃)=100%x0.80x0.80=64%
R_{1}=\frac{(V_{CC}-V_{F})}{I_{F}} &(1)
I_{F}=\frac{I_{CE}}{Ctr} &(2)
首先确定所需的I_{CE}，然后可以确定I_{F}。从以上计算可知Ctr为64％。假设所需I_{CE}为1mA。
从公式 2可得：I_{F}=\frac{1mA}{0.64}=1.56mA
从表2可知在100℃当V_{F}= 1.1 V时，V_{CC}= 5V；
功耗=(V_{F} I_{F})+(V_{CE} I_{CE})
(导通状态) =(1.1V 1.56mA)+(0.4V 1mA)=2.117mA
根据图1的数据，当温度从0℃上升到100℃时，MFP封装的Ctr从+9％下降到 -50％。最小Ctr (I_{F}=5mA)为100％。假设LED电流为(I_{F}=1mA)，Ctr增益为100%，那么I_{CE}等于1mA。当工作10年后，Ctr一般会下降20％。现在，我们可以算出上述条件下最小的Ctr：
最小 (Ctr在100℃) =100%x0.50x0.80=40%
首先确定所需的I_{CE}，然后可以确定I_{F}。从以上计算可知Ctr为40％。假设所需I_{CE}为1mA。665)从公式 2可得：I_{F}=\frac{1mA}{0.4}=2.5mA
从表4可知在100℃当V_{F}= 1.15 V时，V_{CC}= 5V；
功耗=(V_{F} I_{F})+(V_{CE} I_{CE})
(导通状态) =(1.15V 2.5mA)+(0.4V 1mA)=3.28mA
表5列出了两种不同封装在同样电气特性下的热性能。封装密度和封装材料对于封装从结点到周围的散热能力有很大影响。由于Microcoupler 的封装密度较小，因此具有比MFP封装更多的从裸片结点散热的路径。
计算光耦合器裸片温度相对于周围温度的上升：
T_{J}=P_{DEVICE\phantom{8}POWER} _{JA}+T_{A}
Microcoupler
Tj (发射器) = 100.44℃
Tj (检测器) = 100.05℃
Tj (发射器) = 103.96℃
Tj (检测器) = 100.06℃
在100℃的温度环境维持相同增益的前提下，Microcoupler的功耗比标准MFP封装低约35％。Microcoupler封装的高效率LED和较佳的热性能是在高温应用下获得低功耗的主因。这些优点为设计人员的高温应用提供了理想的低功耗解决方案。
可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。
例如：moc3063、IL420；
它们的主要指标是负载能力；
例如：moc3063的负载能力是100mA；IL420是300mA；电源在线(CPS800)　
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阿K十一季ge4
　　首先，确保6脚无有短路情况。　　1、8脚有+5V，说明7脚供电正常。　　2、3脚 Isense 暂时接地，避免保护动作状态干扰判断。　　3、把2脚外围断开后，接地，正常情况下会输出最大占空比，此时便于对输出测试。若仍无输出电压，检查是否起振，可用示波器观察4脚。　　4、若输出对2脚状态有反应，说明 IC 正常，重点检查光藕、TL431等电压反馈电路。　　5、若输出对2脚状态无反应，且Rt、Ct正常，则更换 IC 试试。 　　
电路检查了下，通电后，TL431的参考极电压为2.7V，阴极电压6.2V，好像有点不正常，公式上说阴极的电压V=（1+R1/R2)Vref,而我R1和R2的电压比为1:2。然后就是光耦的1、2、3和4四个脚的电压分别是3v，1.9V，2.4V，2.4V，也就是说正常工作了。再测3843芯片的时候，发现5脚和6脚竟然短路，其他脚都正常，这又是什么原因呢？如果帮忙解决问题，会给你加分，谢谢！
　　TL431是个电压基准，要测量它的工作情况，首先应保证所用的测量仪表是正常、准确的，测量方法是正确的。TL431的接法是否正确？
　　光藕是否正常工作，测量电压要结合具体工作状况才能初步判断，因为可能是在脉动状态，而不是稳态。
　　发现3843的6脚与5脚短路，需要说明是在芯片外部还是内部。
　　电源能保证8脚保持+5V，IC内部就能够正常工作，比如会产生PWM信号或者处于保护状态等，测量有关引脚的电压也就与正常无二。6脚内部输出管的输出能力较强（可达1A），若基极驱动信号的占空比不大的话，输出管可能不致于烧坏（要有温度才叫烧）；若处于保护状态的话，就更没有问题了。
　　这是动态电路，最好用示波器观察电路的工作情况。若还有问题，请先上图。
不用哈，经过一天的努力，已经找到了错误的地方了，不过还是得感谢你的关注，谢谢哈！
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