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Power TransistorsTO-66 CaseTYPE NO. IC PD BVCBO BVCEO hFE @ IC VCE(SAT) @ IC fT(A) (W) (V) (V) (A) (V) (A) (MHz)NPN PNP MAX MIN MIN MIN MAX MAX MIN2N 25 90 55 25 150 0.5 1.0 0.5 0.82N3054A...
BC807 PNP -50 -45 -800 225 100 630 -100 -1 -0.7 -500 -50 100 BCEBC817 NPN 50 45 800 225 100 630 100 1 0.7 500 50 100 BCEBC846 NPN 80 65 100 225 110 800 2 5 0.25 10 0.5 300 BCEBC847 NPN 50 45 100 225...
;GDO&0.5m&10m&4-477&2SJ18&&LF PA&J(V)&P&&170&GDO&-5&63&4-458&2SJ19&NEC&LF D&J(V)&P&&140&nbsp...
8way pa8-Way Power Dividers - 0°ConnectorizedFREQUENCY RANGE (GHZ) 0.5-1.0 0.5-1.0 0.85-1.7 0.85-1.7 0.5-2.0 0.5-2.0 1.0-2.0 1.0-2.0 0.8-2.2 1.0-3.0 1.0-3.0 2.0-4.0 2.0-4.0...
知名日企平衡与不平衡麦克风都适用的电路DDC15 D1 R4C +12V68pF 50V 0.1uF 50VC44.7uF 50V3 +2C61R111k 0.5%2 3R6100k 0.5%U1AUNBAL -59dBV BAL -59dBV0.1uF 50V100k 0.5%100k 0.5%COLD4.7uF 50V 68pF 50V3 1C7100...
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，可以说LK2085很好的诠释了恒流控制的这个定义，LED软灯条高 PF 方案：PF&0.9，低 PF 方案：PF&0.5，
高PF方案目前还有着频闪的影响，不过高压线性恒流芯片LK2085可以通过加电解电容来解决，低PF方案有电容，能够解决LED产品频闪的问题。再者高压线性恒流芯片LK2085的过温调节功能解决了目前LED软灯条的存在的散热问题，让LED高压软灯条产品质量问题得到保证...
，LED软灯条高 PF 方案：PF&0.9，低 PF 方案：PF&0.5，高PF方案目前还有着频闪的影响，不过高压线性恒流芯片LK2085可以通过加电解电容来解决，低PF方案有电容，能够解决LED产品频闪的问题。再者高压线性恒流芯片LK2085的过温调节功能解决了目前LED软灯条的存在的散热问题，让LED高压软灯条产品质量问题得到保证，厂家放心，消费者也放心。输入线电压补偿，具有...
& & 度：0℃-50℃
3、 尺寸：300×250×100（mm）
4、 重& & 量：1.5kg
5、 保险丝保护：0.5A 250V快熔式保险丝
6、 显 示 器：数字式
五、测量范围及精度
表1 .技术参数
功能& & & & 量程& & & & 测量范围...
的挑战开始加剧。芯片越来越小，电路板布局越来越密集，我们也在不断寻求提供最低功耗的芯片。随着所有这些技术的快速发展，高速设计作为优秀高性能产品设计的核心，包括其所有的复杂性和解决方案便应运而生。
　　过去30年来PCB设计发生了很大的变化。 1987年，我们认为0.5微米技术是全能的，但是今天我们发现22nm技术是常见的。 1985年推出的在当时代表主流设计复杂度的边缘速率（通常为30ns...
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&TI 最新应用方案，助力智能开发&TE最新技术文章和解决方案三极管基极和发射极之间电压是固定的是0.7V,电流也是固定的吗?_百度知道
三极管基极和发射极之间电压是固定的是0.7V,电流也是固定的吗?
我有更好的答案
三极管基极和发射极之间电压是固定的是0.7V,这一是计算方便,二是大体在这范围内,只是并不能用是否0.7v准不准来判断管子工作正不正常.如在前级小信号放大电路中,为了降低噪音,工作电流取得很小,很多都在0.2mA或以下,这时的eb结电压才0.6v可能还不到点,但在饱和状态下可能会达到0.75-0.8v,还有,有些地方还可能会用到锗材料二极管和三极管，它的eb结电压一般说是0.3v,但在0.15v-0.4v之间的都有,都能正常工作.电流是否固定这个问题一看就知道还未入门,三极管是电流控制型元件,要放大的也基本是交变的电流信号,静态工作点虽然调好后就固定了,但在有信号输入时,流入基极的电流就变化了,反映到c或e极就是与b极同步并放大了的信号了,但是这同型号的管子也可以用在不同电路中,静态工作电流也可以完全不同,这时,流过eb结的电流也当然不同了.
懂了吗?不懂再问吧.
采纳率：90%
你好：——★1、【硅材料的】三极管，基极和发射极之间电压是0.7V左右，由于三极管产品的 “离散性”，不可能正好是0.7V而没有偏差的。——★2、三极管基极和发射极之间就是二极管（PN结），属于 “非线性” 元件，不会随外加电压（或电流）变化而改变，就像整流二极管一样的。
本回答被网友采纳
不是的，教科书上的理想是0.7。实际上不同的三极管发射结电压是不一样的，跟三极管的结电容，分布电容有关，电容的容抗又受到输入信号频率的影响，因此电流也会不一样。一般让三极管工作，是0.7v左右,但是我在实际工程中，有见过0.65V的高频三极管工作的，电流也是在一个值周围不断变化。希望对您有帮助。
怎么可能？
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STM32的I/O口的8种工作模式
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stm32I/O的8种工作模式具体含义是什么？求解释
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浮空,顾名思义就是浮在空中,上面用绳子一拉就上去了,下面用绳子一拉就沉下去了.&
开漏,就等于输出口接了个NPN三极管,并且只接了e,b.&c极&是开路的,你可以接一个电阻到3.3V,也可以接一个电阻到5V,这样,在输出1的时候,就可以是5V电压,也可以是3.3V电压了.但是不接电阻上拉的时候,这个输出高就不能实现了.&
推挽,就是有推有拉,任何时候IO口的电平都是确定的,不需要外接上拉或者下拉电阻.
（1）GPIO_Mode_AIN&模拟输入
（2）GPIO_Mode_IN_FLOATING&浮空输入
（3）GPIO_Mode_IPD&下拉输入
（4）GPIO_Mode_IPU&上拉输入
（5）GPIO_Mode_Out_OD&开漏输出
（6）GPIO_Mode_Out_PP&推挽输出
（7）GPIO_Mode_AF_OD&复用开漏输出
（8）GPIO_Mode_AF_PP&复用推挽输出
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
开漏输出:输出端相当于三极管的集电极.&要得到高电平状态需要上拉电阻才行.&适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).
开漏形式的电路有以下几个特点：
1.&利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R&pull-up&，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。
2.&一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的，因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时，只能输出低电平，如果需要同时具备输出高电平的功能，则需要接上拉电阻，很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压，便可以改变传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。（上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度&。阻值越大，速度越低功耗越小，所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。）
3.&OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择小时延时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议用下降沿输出。
4.&可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。补充：什么是“线与”？：
在一个结点(线)上,&连接一个上拉电阻到电源&VCC&或&VDD&和&n&个&NPN&或&NMOS&晶体管的集电极&C&或漏极&D,&这些晶体管的发射极&E&或源极&S&都接到地线上,&只要有一个晶体管饱和,&这个结点(线)就被拉到地线电平上.&因为这些晶体管的基极注入电流(NPN)或栅极加上高电平(NMOS),晶体管就会饱和,&所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非&NOR&逻辑.&如果这个结点后面加一个反相器,&就是或&OR&逻辑.
其实可以简单的理解为：在所有引脚连在一起时，外接一上拉电阻，如果有一个引脚输出为逻辑0，相当于接地，与之并联的回路“相当于被一根导线短路”，所以外电路逻辑电平便为0，只有都为高电平时，与的结果才为逻辑1。
由于浮空输入一般多用于外部按键输入，结合图上的输入部分电路，我理解为浮空输入状态下，IO的电平状态是不确定的，完全由外部输入决定，如果在该引脚悬空的情况下，读取该端口的电平是不确定的。
上拉输入/下拉输入/模拟输入：这几个概念很好理解，从字面便能轻易读懂。
复用开漏输出、复用推挽输出：可以理解为GPIO口被用作第二功能时的配置情况（即并非作为通用IO口使用）
最后总结下使用情况：
在STM32中选用IO模式
（1）&浮空输入_IN_FLOATING&——浮空输入，可以做KEY识别，RX1
（2）带上拉输入_IPU——IO内部上拉电阻输入
（3）带下拉输入_IPD——&IO内部下拉电阻输入
（4）&模拟输入_AIN&——应用ADC模拟输入，或者低功耗下省电
（5）开漏输出_OUT_OD&——IO输出0接GND，IO输出1，悬空，需要外接上拉电阻，才能实现输出高电平。当输出为1时，IO口的状态由上拉电阻拉高电平，但由于是开漏输出模式，这样IO口也就可以由外部电路改变为低电平或不变。可以读IO输入电平变化，实现C51的IO双向功能
（6）推挽输出_OUT_PP&——IO输出0-接GND，&IO输出1&-接VCC，读输入值是未知的
（7）复用功能的推挽输出_AF_PP&——片内外设功能（I2C的SCL,SDA）
（8）复用功能的开漏输出_AF_OD——片内外设功能（TX1,MOSI,MISO.SCK.SS）
STM32设置实例：
（1）模拟I2C使用开漏输出_OUT_OD，接上拉电阻，能够正确输出0和1；读值时先GPIO_SetBits(GPIOB,&GPIO_Pin_0)；拉高，然后可以读IO的值；使用GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,GPIO_Pin_0)；
（2）如果是无上拉电阻，IO默认是高电平；需要读取IO的值，可以使用带上拉输入_IPU和浮空输入_IN_FLOATING和开漏输出_OUT_OD；
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回复【8楼】谷子木:
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浮空外加上下拉电阻，就可以做按键输入的。
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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谢谢啊，很有用
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3楼的回答很好，cool
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非常感谢，正迷惑着呢！
暂不做硬件，投身机器学习和数据挖掘。欢迎交流！
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回复【2楼】冰封嗜魔:&
---------------------------------&&
1楼干得漂亮。
一直努力就很好。
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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浮空输入作摁键？不太合适吧&&
我个人觉得浮空操作&对&ADC采用才合适，因外外部电压不能受内部上拉或下拉影响，才能真实的获取外部电压值
对于上拉输入或者下拉输入，用于模拟各种协议的输入端，或者作摁键的输入，有明确的&1或者0
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回复【9楼】正点原子:
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外部加上下拉电阻&也行&，刚看了下原子你战舰板&&&IO口&直连摁键&连地&&，这种接法用浮空就不行了吧
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3L讲得好啊，学习。
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回复【8楼】谷子木:
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恩，但是有时候特属需要。
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回复【10楼】谷子木:
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是的，我们的必须开启内部上下拉。
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图中说'0'激活N-MOS不是很清楚，我的分析如下：
&nbsp-MOS的S极接VDD 、G极接'0' 则VGS&0,且由于|VGS|应该是大于|Vgs(th)|,那么应该是P-MOS导通，输出1，为什么说0激活N-MOS啊？
还有‘1’是如何激活P-MOS的？
烦请好心朋友解释一下这块，谢谢！
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回复【14楼】E-angel:
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理解错误！
你截图里面说的0，和1，是ODR寄存器的值，不是控制PMOS,和NMOS的电压，不要搞混了！
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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（7）复用功能的推挽输出_AF_PP&——片内外设功能（I2C的SCL,SDA）&
（8）复用功能的开漏输出_AF_OD——片内外设功能（TX1,MOSI,MISO.SCK.SS）
好像笔误了，应该是相反吧
（7）复用功能的推挽输出_AF_PP&——片内外设功能（TX1,主模式下的MOSI,SCK,SS，以及从模式的MISO）&
（8）复用功能的开漏输出_AF_OD——片内外设功能（I2C的SCL,SDA）
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恩&谢谢指出
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回复【15楼】正点原子:
回复【14楼】E-angel:&---------------------------------&理解错误！&你截图里面说的0，和1，是ODR寄存器的值，不是控制PMOS,和NMOS的电压，不要搞混了！
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那就是说，框框内的“输出控制”那部分会把ODR寄存器的值做类似“反转”的动作来驱动N-MOS&and&nbsp-MOS
是这个意思吧？
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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一楼回答的太帅了！！！
人类是地球的，但地球不是人类的
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金钱124973
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回复【18楼】E-angel:
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是的
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很有用，谢谢！
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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1楼你好向您请教一个问题，PB3,PB4设置成推免输出低电平&，怎么测试都是高电平呢！！非常感谢。（新手请教！！）
为着自己的梦想，努力向前
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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复用开漏输出、复用推挽输出：可以理解为GPIO口被用作第二功能时的配置情况（即并非作为通用IO口使用
PB3,PB4如何配置为普通IO使用呢！！
为着自己的梦想，努力向前
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回复【13楼】正点原子:
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唔，内部设置成上拉或者下拉，省了一个外部电路呵呵。
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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写的太好太好了，转走了哈。放到我的学习博客了。
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回复【25楼】wwjdwy:
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客气客气
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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看過這麼多你寫得很清楚~想問問到底什麼是復用功能!何謂復用定義?
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回复【22楼】Snoopy.TANK:
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推挽输出后你拉低了没？
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回复【28楼】hack906447:
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为了使不同器件封装的外设I/O&功能的数量达到最优，可以把一些复用功能重新映射到其他一些
脚上。这可以通过软件配置相应的寄存器来完成(&参考AFIO寄存器描述)&。这时，复用功能就不
再映射到它们的原始引脚上了。
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回复【23楼】Snoopy.TANK:
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普通功能的话就是没有复用的那几种模式呀，比如推挽
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回复【31楼】冰封嗜魔:
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寄存器不是可以直接設定為什麼要透過復用在設定功能~你是說復用就是重新更改功能?
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回复【32楼】hack906447:
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比如说你使用USART1，你可以直接设置寄存器的值来配置PA9和PA10。
但是如果PA9和PA10被占用了，你就要使用复用功能重映射到PB6和PB7，然后设置寄存器的值来配置PB6和PB7。
像复用推挽等这些配置是特殊功能时候用的。
比如TIM2/3/4/5_CHx&&输出比较通道x&&IO口要设置成推挽复用输出
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回复【33楼】冰封嗜魔:
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謝謝很清楚
想再問問浮空輸入就是指引腳什麼都不接嗎?
浮空輸入的功能都用在什麼情況下的應用?
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回复【34楼】hack906447:
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浮空输入状态下，IO的电平状态是不确定的，完全由外部输入决定，如果在该引脚悬空的情况下，读取该端口的电平是不确定的。
浮空是指IO口状态不确定，如果你外部上拉电阻，就是1；下拉电阻，就是0。浮空一般多用于按键，还有就是一些特殊功能。
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回复【35楼】冰封嗜魔:
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謝了清楚很多
想問一個~
推挽跟開漏都可以輸出高電位跟低電位!
那差別在哪?
灌電流是指什麼?什麼情況下需要灌電流~?
抱歉這次問了多一點
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回复【36楼】hack906447:
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推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
开漏输出适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).
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回复【37楼】冰封嗜魔:
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謝了
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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http://hi.baidu.com/lyhdq315/item/ee0e9b1c9dc65e2b
从这粘贴的吧
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mark&&&&&&&&&&&XD
道不同，不相与为谋
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此等好文必须顶
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学习了，谢谢
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请问，GPIO的模拟输入模式有什么用，能当做adc来用吗，比如检测电源电压。
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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请问，GPIO的模拟输入模式有什么用，能当做adc来用吗，比如检测电源电压。
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回复【2楼】冰封嗜魔:
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mark--出色的讲解了IO端口8种工作模式，人才
以我资质之鲁钝，当尽平心静气、循序渐进、稳扎稳打之力。
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回复【45楼】runfan:
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是的呀，模拟输入就是ADC用的。
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回复【46楼】龙之谷:
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谢谢支持
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这个必须顶！！ 之前一直傻傻分不清楚
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不错，非常有用！
学以致用，
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